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[发明专利]一种平板探测器及其制造方法-CN202111497169.9在审
发明人：王健;于杰;范泽龙 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2021-12-09 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种平板探测器及其制造方法，其包括第一TFT、第二TFT、下电极、光电转换层以及上电极；所述第一TFT包括第一多晶硅、第二多晶硅、第三多晶硅、与第一多晶硅连接的第一漏极、与第二多晶硅连接的第一源极以及第三多晶硅上方的第一栅极；所述第二TFT包括第二栅极、金属氧化物半导体层以及均与金属氧化物半导体层连接的第二源极和第二漏极；所述第二TFT的第二源极与第一TFT的第一源极直接相连；第三栅极在第一栅极上方，通过过孔相连，下电极通过过孔与第一栅极连接。本发明第一TFT为多晶硅TFT，其可以是NMOS结构或者PMOS结构，第一TFT采用顶栅结构，用于放大光电探测器的电信号，可以提高光源的探测灵敏度；第二TFT采用底栅结构，用来传递PIN的光电信号，同时降低光电转换层的漏电流。
一种平板探测器及其制造方法

[发明专利]一种有机发光器件测试装置-CN202111483561.8在审
发明人：王健;于杰;陈钢 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型的有机发光器件测试装置及其制造方法，先做一层电极层，分别为阴极和阳极，再做一层有机层，形成一定的坡度角。基板上的电极层和有机层图形均按1/4中心对称。本发明通过简化传统有机发光器件的测试装置，使得有机发光器件的测试周期大大缩短，测试成本显著降低。
一种有机发光器件测试装置

[发明专利]一种新型异质基板液晶相控天线以及制造方法-CN202111490737.2在审
发明人：于杰;张加坤;范泽龙 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01Q3/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型异质基板液晶相控天线以及制造方法。该液晶相控天线的液晶盒基板采用的是异质基板，天线辐射贴片一侧使用玻璃基板，微带线一侧使用易于加工的低介电常数基板，降低了电磁波传输过程中的损耗。将辐射贴片，移相器等通过PVD，离子束等方式镀在基板上，同时在玻璃基板与介质基板内侧上使用离子束,PVD等等方式生长上对位mark，利用玻璃基板的高透明性质，从玻璃基板侧进行对位，使得对位操作更加简便，对位结果更加精准。
一种新型异质基板液晶天线以及制造方法

[发明专利]一种电磁波调控装置-CN202111490736.8在审
发明人：范泽龙;张加坤;王健 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01Q3/34 文献下载
摘要：本发明提供一种液晶相控阵电磁波调控装置及其制造方法，其包括在诸如馈线、微带线等天线结构上添加金属薄膜器件，器件的膜厚、尺寸、形状、工艺可以根据设计要求进行调整；在玻璃基板上制作微带线层时，使用半导体镀膜工艺，制作相应的元器件，达到提升生产效率、降低成本、提升馈电网络的隔离度，降低回波损耗，提升天线效率等。
一种电磁波调控装置

[发明专利]一种多功能多波段电磁调控装置-CN202110575015.0有效
发明人：陈钢;刘伟 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-08-13 - 主分类号： H01Q3/36 文献下载
摘要：本发明提供本发明提供一种多功能多波段电磁调控装置，其包括调光基板和位于所述调光基板上的相控阵基板，所述调光基板的长度不小于所述相控阵基板的长度，所述调光基板的宽度不小于所述相控阵基板的宽度，所述相控阵基板在所述调光基板上的投影不超过所述调光基板的边缘。本发明多功能多波段电磁波调控装置，通过加载在接地片和移相器上电压，控制高频液晶的旋转，控制电磁波按照要求的角度发射；本发明兼具相控阵天线及可见光可调功能，可用于汽车、飞机车窗和楼宇玻璃等场景，实现万物互联。
一种多功能波段电磁调控装置

[发明专利]一种探测成像传感器-CN202011394775.3在审
发明人：陈钢 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2020-12-03 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明提出一种探测成像传感器，涉及探测成像领域，探测成像传感器包括：平行且相对设置的第一基板和第二基板以及位于第一基板和第二基板之间的光介质层；其中，第一基板包括玻璃基板以及位于玻璃基板上方且靠近光介质层一侧的电极层，第二基板包括反射层以及位于反射层上方且靠近光介质层一侧的光敏层。本发明利用光敏层构成的光敏电阻或电容，控制加载的电压或电流发生变化，通过直接显示，实现非可见光成像。
一种探测成像传感器

[发明专利]一种平板探测器及其制造方法-CN202011168063.X有效
发明人：陈钢;李俊杰 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2021-01-22 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明提供一种平板探测器及其制造方法，平板探测器包括薄膜晶体管、光电转换器、第一绝缘层、第三绝缘层、有机绝缘层、第二绝缘层和遮挡半导体层；所述薄膜晶体管包括栅极、半导体层、栅极绝缘层、源极、漏极以及位于源极和漏极之间的沟道区，所述遮挡半导体层和第二绝缘层层叠设置在第一绝缘层上且位于沟道区的上方。本发明第二绝缘层和遮挡半导体层均位于沟道区的上方；通过第二绝缘层和遮挡半导体层实现沟道区的完全遮挡；或者在半导体层形成呈叠设置的第一刻蚀阻挡层，可以防止光电转换层形成过程中的H(氢)扩散到沟道区内，并减弱半导体层的导体化的进程。
一种平板探测器及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管阵列基板、像素电路、X射线探测器及其驱动方法-CN202011169485.9有效
发明人：陈钢 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提出一种薄膜晶体管阵列基板、像素电路、X射线探测器及其驱动方法，涉及光电技术领域，所述薄膜晶体管阵列基板包括水平排布的扫描线和读取扫描线、垂直排布的数据线和偏压线，以及由扫描线和数据线交叉限定的多个像素单元，每个像素单元包括位于光电导区的光电导薄膜晶体管和位于读取端的读取薄膜晶体管，本发明利用aSi薄膜晶体管的光电导效应，对光电流积分并控制放大倍数，实现像素内信号放大，在降低放射剂量的同时也能够实现放大倍数的精准控制；同时简化了像素结构和工艺结构。
薄膜晶体管阵列像素电路射线探测器及其驱动方法

[发明专利]一种光电探测器及其制造方法-CN202011168064.4在审
发明人：陈钢;李俊杰 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2020-10-28 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种光电探测器及其制造方法，光电探测器包括薄膜晶体管、光电转换器、透明电极层、第一触控金属层、有机绝缘层以及绝缘层；所述光电转换器包括均与源极和漏极接触的N型半导体材料层、位于N型半导体材料层上的I型半导体材料层以及位于I型半导体材料层上的P型半导体材料层。本发明光电探测器的光电转换器兼顾半导体层的功能，使得薄膜晶体管为耗尽型的薄膜晶体管；沟道区被光电转换层的N型半导体材料层覆盖，减少工艺步骤，减少掩膜版，实现半导体层的最大利用，实现光电转换器和薄膜晶体管功能的合并，实现像素信号放大效果的同时增大了开口；减少X射线光源闪烁提高了刷新效率。
一种光电探测器及其制造方法

[发明专利]一种平板探测器的驱动电路以及时序驱动方法-CN202010068031.6有效
发明人：陈钢 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2020-01-21 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H04N5/32 文献下载
摘要：本发明提供一种平板探测器的驱动电路及其时序驱动方法，平板探测器的驱动电路包括放大电路和输出信号至数据线的第一TFT开关；所述放大电路包括与反偏电压连接的第二TFT开关、光电二极管、第三TFT开关以及与工作电压连接的第四TFT开关；其中，所述第二TFT开关的控制端连接电源电压，第二TFT开关的第一通路端与反偏电压连接，第二TFT开关的第二通路端与光电二极管的负极连接。本发明通过在反偏电压和光电二极管之间设置第二TFT开关，在光电二极管转换时，通过第二TFT开关启动光电二极管进行光信号转换成电信号，光电二极管转换完成后，关闭第二TFT开关,可以最大限度的避免电荷的泄露。
一种平板探测器驱动电路以及时序方法

[发明专利]一种平板探测器及其制造方法-CN201910883981.1有效
发明人：陈钢 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明提供一种平板探测器及其制造方法，一种平板探测器包括具有半导体层的TFT器件、覆盖TFT器件的第一绝缘层、位于第一绝缘层上的层间绝缘层、位于层间绝缘层上且与TFT器件连接的阴极电极、位于阴极电极上的光电转换层；还包括位于层间绝缘层上的阻挡层；至少部分所述阻挡层呈浮动状态，至少部分所述阻挡层位于所述半导体层的正上方。本发明平板探测器上设置阻挡层，至少部分阻挡层位于半导体层的正上方，阻挡层可以阻挡光电转换层形成时氢气扩散对半导体层的影响、也可以阻挡X射线或环境光对半导体层的影响。
阻挡层半导体层平板探测器层间绝缘层绝缘层光电转换层阴极电极阻挡浮动状态氢气环境光制造扩散覆盖

[发明专利]一种X射线传感器及其制造方法-CN201910612563.9在审
发明人：陈钢 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2019-07-09 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种X射线传感器及其制造方法，本发明属于传感器的技术领域。X射线传感器包括阵列基板层、位于阵列基板层上的光电转换层以及闪烁体层；所述阵列基板层设有阵列像素单元，所述光电转换层设有与阵列像素单元对应设置的光电像素单元；所述闪烁体层包括多个挡墙以及位于挡墙内且由钙钛矿溶液形成的闪烁体；所述挡墙与光电像素单元对应且不超过光电像素单元的大小；所述闪烁体涂布或打印在所述光电转换层上。本发明X射线传感器及其制造方法，解决了钙钛矿溶液直接涂布在光电转换层表面，造成的像素之间的串扰问题；通过本发明，可以实现串扰更小，画质更清晰，分辨率更高。
光电转换层像素单元阵列基板挡墙阵列像素单元闪烁体层钙钛矿闪烁体串扰制造直接涂布传感器分辨率画质像素打印清晰

[实用新型]一种光电平板探测器基板-CN201820911118.3有效
发明人：秦斌 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光电平板探测器基板，该器件核心基板结构包含一层有源矩阵基板层、一层光电探测器层、一层闪烁体层。有源矩阵基板上由一个个像素区域以及外围电路组成，本实用新型通过改进光电探测器层的结构，抑制相邻像素之间的电场干扰，来改善成像传感器的重影以及光交叉问题。
光电探测器平板探测器源矩阵基板本实用新型成像传感器电场干扰基板结构器件核心闪烁体层外围电路相邻像素像素区域光交叉基板重影改进

[发明专利]一种成像传感器及其基板结构-CN201810598293.6在审
发明人：陈钢 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型成像传感器及其基板结构，该器件核心基板包含一层有源矩阵基板层、一层光电探测器层、一层闪烁体层。有源矩阵基板上由一个个像素区域以及外围电路组成，本发明通过改进闪烁体层的结构，使成像探测器接收到的射线能准确无误的进入到相对应的探测器像素内，提高成像探测器的精准性。
成像传感器成像探测器源矩阵基板基板结构闪烁体层光电探测器探测器像素器件核心外围电路像素区域基板射线改进

[发明专利]一种光电平板探测器及其基板结构-CN201810598279.6在审
发明人：秦斌 -专利权人： 南京迪钛飞光电科技有限公司
申请日： 2018-06-12 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种光电平板探测器及其基板结构，该器件核心基板结构包含一层有源矩阵基板层、一层光电探测器层、一层闪烁体层。有源矩阵基板上由一个个像素区域以及外围电路组成，本发明通过改进光电探测器层的结构，抑制相邻像素之间的电场干扰，来改善成像传感器的重影以及光交叉问题。
基板结构光电探测器平板探测器源矩阵基板成像传感器电场干扰器件核心闪烁体层外围电路相邻像素像素区域光交叉重影改进

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