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[发明专利]用于电子器件的抗辐射封装件-CN201880041947.3有效
发明人： 延斯·霍弗里希特;吉·迈南;约瑟夫·佩特尔;托马斯·特罗克勒 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/04 文献下载
摘要：封装件包括载体(1)、布置在载体(1)上的电子器件(2)、布置在电子器件的背离载体的一侧上的屏蔽件(22)以及施加在屏蔽件上或上方的包含纳米材料的吸收膜(23)。
用于电子器件辐射封装

[发明专利]用于间接检测电磁辐射的半导体器件及制造方法-CN201880029121.5有效
发明人： 延斯·霍弗里希特;吉·迈南;约瑟夫·佩特尔;托马斯·特罗克勒 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01T1/20 文献下载
摘要：半导体器件包括具有主表面(10)的半导体材料的衬底(1)、衬底中的集成电路(2)、布置在主表面上或上方的光电探检测元件(3)或光电检测元件(3)的阵列、以及布置在主表面上方的至少一个纳米材料膜(11、13)。纳米材料膜的至少一部分具有闪烁特性。制作的方法包括使用溶剂，特别地通过喷射印刷、通过丝网印刷、通过旋涂或通过喷涂来施加纳米材料膜。
用于间接检测电磁辐射半导体器件制造方法

[发明专利]集成检测器设备及制造集成检测器设备的方法-CN202180075001.0在审
发明人： 延斯·霍弗里希特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种用于直接检测X射线光子的集成检测器设备(1)，其包括：CMOS体(10)，该CMOS体(10)包括衬底部分(11)和布置在所述衬底部分的主表面上的电介质部分(12)；在所述CMOS体(10)中的集成电路，其在所述主表面处或上方具有用来形成电荷收集器的植入物(13)；以及在所述电介质部分(12)中的金属结构(14)，其从所述电荷收集器延伸到所述电介质部分(12)背离所述衬底部分(11)的接触表面(15)。该设备还包括：布置在所述电介质部分的接触表面(15)上的吸收部分(20)，该吸收部分包括与所述金属结构(14)电接触的吸收元件(21)；以及与形成电接触件的所述吸收元件(21)直接接触的电极结构(30)。所述吸收元件(21)被配置成吸收X射线光子并基于所吸收的X射线光子产生电荷。
集成检测器设备制造方法

[发明专利]显示器和用于制造显示器的方法-CN202180047580.8在审
发明人： 延斯·霍弗里希特;科尔内留-米哈伊·托贝斯库 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：一种显示器，包括具有表面的显示衬底(10)，通过在显示衬底的表面上设置多个发光显示子像素和多个光捕获子像素，在显示衬底上形成像素。每个发光显示子像素包括micro‑LED(12)，每个光捕获子像素包括微型光电二极管(13)。像素(11)分布在显示衬底(10)的活动显示区域上。像素(11)的至少一部分包括光捕获子像素和至少一个发光显示子像素。
显示器用于制造方法

[发明专利]用于检测动态压力变化的集成光学传感器和方法-CN201980059409.1有效
发明人：戈兰·斯托扬诺维奇;科林·斯蒂尔;延斯·霍弗里希特;卡塔林·拉扎尔;约亨·克拉夫特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2019-09-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：一种用于检测动态压力变化的集成光学传感器(1)包括：微机电系统MEMS管芯(10)，其具有MEMS膜片(11)，该MEMS膜片具有第二侧(13)以及暴露于动态压力变化的第一侧(12)；以及专用集成电路ASIC管芯(20)，其具有光学干涉仪组件。干涉仪组件包括光束分离元件(21)、光束合并元件(22)以及检测器(24)，该光束分离元件用于接收来自光源(23)的源光束(30)并用于将源光束(30)分离成在第一光束路径中的探测光束(31)和在第二光束路径中的参考光束(32)，该光束合并元件用于将探测光束(31)与参考光束(32)合并成叠加光束(33)，并且该检测器配置为根据叠加光束(33)来生成电子干涉信号。相对于ASIC管芯(20)将MEMS管芯(10)布置为使得在膜片的第二侧(12)与ASIC管芯(20)之间形成间隙，其中该间隙限定腔体(14)并具有间隙高度。探测光束(31)的第一光束路径包括：耦合到腔体(14)中、从膜片(11)的偏转点或偏转表面(16)反射出来以及耦合出腔体(14)。
用于检测动态压力变化集成光学传感器方法

[发明专利]用于声音检测、声音定位和波束成形的装置及其制造方法-CN202180035967.1在审
发明人：戈兰·斯托扬诺维奇;延斯·霍弗里希特;托马斯·施托克迈尔 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： H04R1/24 文献下载
摘要：一种用于声音检测、声音定位和波束成形的装置(34)，该装置包括显示器(1)和多个麦克风堆叠(3)，其中显示器(1)在横向方向(x、y)上围绕每个麦克风堆叠(3)。该装置(34)还包括多个弹性连接件(7)，其中每个弹性连接件(7)在横向方向(x、y)上围绕一个相应的麦克风堆叠(3)并且将该相应的麦克风堆叠(3)与显示器(1)机械连接。每个麦克风堆叠(3)还包括微机电换能器阵列(5)，该换能器阵列(5)包括多个膜(14)，尤其是纳米膜，和相应的集成后部容积(17)，该后部容积(17)被设置在膜(14)下面。光学读取器件(6)被配置成单独检测每个膜(14)的位移。
用于声音检测定位波束成形装置及其制造方法

[发明专利]成像系统和检测方法-CN202080056778.8在审
发明人： 延斯·霍弗里希特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01S7/4863 文献下载
摘要：在至少一个实施例中，成像系统包括光发射器、检测器阵列和同步电路。检测器阵列包括具有内置调制功能的像素。同步电路可操作以将由检测器阵列执行的采集与借助于光源的发射进行同步。
成像系统检测方法

[发明专利]具有集成高对比度光栅偏振器的光电检测器设备-CN201780037616.8有效
发明人： 延斯·霍弗里希特;扬·埃嫩克尔 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2017-06-13 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：光电检测器包括：半导体材料的衬底(1)；衬底中的传感器区域(2)；布置在传感器区域上方彼此相隔距离(d)的多个栅格元件(4)，栅格元件具有折射率；低折射率区域(3)，布置在低折射率区域上的栅格元件；以及覆盖栅格元件的另外的低折射率区域(5)。
具有集成对比度光栅偏振光电检测器设备

[发明专利]成像系统和检测方法-CN202080046477.7在审
发明人： 延斯·霍弗里希特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： G01S7/4863 文献下载
摘要：一种成像系统包括光发射器(LE)、检测器阵列(DA)和同步电路(SC)。光发射器(LE)设置为发射经调制的强度的光，其中，强度在帧(A、B、A')的采集期间被单调调制。同步电路(SC)被设置为使采集与光发射器(LE)同步。
成像系统检测方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN202080047967.9在审
发明人： 延斯·霍弗里希特;曼纽尔·卡肖维茨;伯恩哈德·波佐;卡尔·罗拉克尔;阿芒迪娜·茹夫;维奥雷尔·巴兰;罗曼·克罗什莫尔;弗兰克·富尔内尔;西尔万·麦特简 -专利权人： AMS有限公司;原子能和替代能源委员会
申请日： 2020-03-30 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括：衬底基体(2)，其具有表面(3)；导体(5)，其包括覆盖至少部分表面(3)的导体材料(5a)；以及电介质(4)，其设置在未被导体(5)覆盖的表面(3)的部分上。其中，导体(5)与衬底基体(2)接触，导体(5)与电介质(4)形成层(8)，并且层(8)的键合表面(6)具有小于10nm的表面形貌，其中，该键合表面(6)背离衬底基体(2)。此外，半导体器件(1)不具有扩散阻挡。
半导体器件制造方法

[发明专利]X射线检测器部件、X射线检测模块、成像设备和用于制造X射线检测器部件的方法-CN202080012349.0在审
发明人： 延斯·霍弗里希特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2020-01-24 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： G01T1/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种X射线检测器部件(1)，其包括由硅衬底(21)制成的X射线检测器芯片(22)并包括电荷收集电极(10)。X射线检测器芯片(22)适用于在电荷收集电极(10)处提供依赖于X射线的电流。X射线检测器部件(1)还包括CMOS读出电路芯片(24)，所述CMOS读出电路芯片包括连接电极(20)。X射线检测器芯片(22)与CMOS读出电路芯片(24)机械连接和电连接，使得电荷收集电极(10)与连接电极(20)电连接。本发明还涉及一种X射线检测模块(60)、一种成像设备和一种用于制造X射线检测器部件(1)的方法。
射线检测器部件检测模块成像设备用于制造方法

[发明专利]滤波器组件、检测器和滤波器组件的制造方法-CN201980049116.5在审
发明人：格哈德·艾尔姆施泰纳;德西斯拉娃·奥佩尔;黛博拉·莫尔克罗夫特;延斯·霍弗里希特 -专利权人： AMS有限公司
申请日： 2019-07-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01J1/04 文献下载
摘要：一种滤波器组件，包括入射介质(10)、间隔件(30)、至少一个电介质滤波器(50)和出射介质(70)。间隔件(30)被设置在入射介质(10)与至少一个电介质滤波器(50)之间，使得入射介质(10)和至少一个电介质滤波器(50)被间隔开工作距离(32)，并由此包围折射率低于入射介质(10)的介质。至少一个电介质滤波器(50)设置在出射介质(70)上。
滤波器组件检测器制造方法

[发明专利]光子器件、光子器件操作方法以及光子器件制造方法-CN201980026526.8在审
发明人： 延斯·霍弗里希特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2019-04-12 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： G01L9/00 文献下载
摘要：光子器件包括半导体衬底(10)和压敏膜(20)。压敏膜(20)被布置在衬底(10)之中或之上。光子结构(30)被至少部分地耦合至膜(20)，并被布置成根据由施加至膜(20)的压力所引起的变形而改变光学特性。
光子器件操作方法以及制造方法

[发明专利]用于检测电磁辐射的组件以及生产用于检测电磁辐射的组件的方法-CN201880052598.5在审
发明人：托马斯·弗勒利希;迈克尔·莱特纳;托马斯·特罗克勒;约瑟夫·佩特尔;多米尼克·霍林格;托马斯·穆勒;安德里亚斯·菲齐;延斯·霍弗里希特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：一种组件包括：具有有源像素阵列(2)的半导体器件(1)；安装在有源像素阵列外部的一个或更多个读出电路芯片(3)，以及有源像素阵列(2)与一个或更多个读出电路芯片(3)之间的电连接，所述一个或更多个读出电路芯片(3)被配置为读出由有源像素阵列(2)提供的电压或电流。
用于检测电磁辐射组件以及生产方法

[发明专利]抗辐射高速光电二极管器件-CN201780072964.9在审
发明人：杰拉尔德·迈因哈特;埃瓦尔德·瓦赫曼;马丁·桑迈斯特;延斯·霍弗里希特 -专利权人： AMS国际有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：CMOS兼容的光电二极管器件，包括：半导体材料的衬底(1)，其具有主表面(10)，以及多个第一导电类型的掺杂阱(3)，多个掺杂阱(3)构成用于图像检测的像素阵列中的一个像素。掺杂阱(3)在主表面(10)上间隔开。器件还包括保护环(7)，其包括第二导电类型的掺杂区域，第二导电类型与第一导电类型相反。保护环境围绕主表面(10)的包括多个掺杂阱(3)的区域，而不分割该区域。导体轨道(4)与掺杂阱(3)电连接，掺杂阱(3)由此被互连，并且导电轨道(5)与第二导电类型的区域电连接。主表面(10)上存在第二导电类型的掺杂表面区域(2)，其覆盖所述保护环(7)和所述掺杂阱(3)之间的整个区域。像素的光电二极管抗辐射、高速并且低电容。
掺杂阱导电类型主表面第一导电类型电连接抗辐射像素半导体材料高速光电二极管光电二极管器件光电二极管掺杂区域导电轨道导体轨道图像检测像素阵列整个区域低电容互连衬底掺杂兼容分割覆盖

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