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[实用新型]一种移动加热器法生长晶体的坩埚装置-CN202320261607.X有效
发明人：高绪彬;吴召平;刘柱 -专利权人：苏州哥地光子技术有限公司
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种移动加热器法生长晶体的坩埚装置，属于供水设备技术领域，包括：石英坩埚、真空密封件、电阻炉，所述真空密封件设置在石英坩埚上方，所述电阻炉设置在石英坩埚外壁中间位置，所述石英坩埚内部中间设有一组石英槽，所述石英槽上方设有倒扣在石英槽上的石英杯，所述石英槽内添加有一种低熔点低蒸汽压的颗粒惰性物料。电阻炉局部加热石英槽，使得惰性物料融化成液态，冷却凝固后惰性物料将石英杯和石英坩埚连接在一起，避免了氢气的使用，降低了氢气泄漏爆炸的风险，且无需敲碎石英坩埚取出晶体，可反复使用石英坩埚，降低生产成本。
一种移动加热器生长晶体坩埚装置

[实用新型]一种高成品率的石英坩埚封接装置-CN202320337373.2有效
发明人：朱宏磊;高绪彬;吴召平 -专利权人：苏州哥地光子技术有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C03B23/207 文献下载
摘要：一种高成品率的石英坩埚封接装置，属于半导体材料焊接技术领域，包括封焊平台、石英坩埚固定支架、石英坩埚支撑架、氢氧焰封焊枪和坩埚，所述石英坩埚固定支架、石英坩埚支撑架和氢氧焰封焊枪均设置在封焊平台的上水平台面或者竖直侧壁上，所述氢氧焰封焊枪位于石英坩埚固定支架和石英坩埚支撑架之间，所述坩埚的两端分别设置在石英坩埚固定支架和石英坩埚支撑架上，所述氢氧焰封焊枪可进行坩埚的封焊。本实用新型所述的高成品率的石英坩埚封接装置，结构合理，使用方便，将传统的水平封焊方式转化为既可水平放置封焊又可垂直放置封焊，极大的提高了3inch以上石英坩埚封焊的成功率，大幅降低封焊过程中石英坩埚的浪费及原材料的浪费。
一种成品率石英坩埚装置

[实用新型]一种用于碲锌镉晶体生长坩埚的组合式支撑托-CN202320203530.0有效
发明人：王杜;高绪彬;吴召平;刘柱 -专利权人：苏州哥地光子技术有限公司
申请日： 2023-02-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B35/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于碲锌镉晶体生长坩埚的组合式支撑托，包括：外部支撑托，包括支撑托本体、第一空腔、一组外部检测孔，第一空腔设于支撑托本体内，外部检测孔相对设于第一空腔两侧的支撑托本体上；中部支撑托，中部支撑托设于第一空腔内，且其内部设有第二空腔，第二空腔两侧的中部支撑托内相对设有一组中部检测孔；内部支撑托，内部支撑托设于第二空腔内，且其内部设有内部检测孔。本实用新型可有效固定和保护晶体生长坩埚，灵活性高，可快速的调整来匹配不同的坩埚，方便及时的反馈晶体生长过程中温度的情况，有效改善了温场稳定性和碲锌镉晶体的传热情况，有利于在晶体生长过程中形成平稳的固液生长界面，长出大的碲锌镉单晶粒。
一种用于碲锌镉晶体生长坩埚组合式支撑

[发明专利]一种碲锌镉晶体生长装置及生长方法-CN202210355157.0在审
发明人：孙磊;吴召平;刘柱;高绪彬 -专利权人：苏州哥地光子技术有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲锌镉晶体生长装置及生长方法，包括：炉体，设有加热腔；生长坩埚，包括回收端与生长端，放置于加热腔内，生长坩埚内包括生长原料，并且真空密封，生长原料为碲块或富碲的碲锌镉多晶料以及所需要生长的碲锌镉晶体的多晶料；升降单元，与生长坩埚可拆卸地连接，驱动生长坩埚沿预设方向移动，在加热腔对生长坩埚加热至生长原料融为熔体且稳定后，生长坩埚相对炉体向下方向运动，熔体析出碲锌镉晶体；旋转单元，与炉体连接；当碲锌镉晶体析出完成，旋转单元驱动炉体旋转，将附着于碲锌镉晶体上的剩余熔体移动至回收端与碲锌镉晶体分离。本发明可降低晶体开裂的概率，避免晶体形成包裹层，从而提高晶体的品质。
一种碲锌镉晶体生长装置生长方法

[实用新型]一种超薄壁厚二维准直器-CN201921308988.2有效
发明人： 吴召平 -专利权人： 吴召平
申请日： 2019-08-13 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G21K1/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超薄壁厚的二维准直器：包括：保持架、X向屏蔽片，Y向屏蔽片、安装板、安装孔，所述保持架内交叉设有若干X向屏蔽片和Y向屏蔽片，所述保持架的两侧连接有安装板，所述安装板上设有安装孔，所述X向屏蔽片壁厚为30‑100μm，所述Y向屏蔽片的壁厚为30‑100μm。本实用新型具有以下有益效果：（1）打印完的二维准直器具有壁厚为50‑80um，和传统的二维准直器相比，不仅可以有效隔离各像元之间信号的干扰，更比传统的二维准直器具有更高的X光通量，提高有效X光剂量的利用率，提高CT整机的性能。
一种薄壁二维准直器

[发明专利]金属激光熔覆打印二维准直器材料及其制备方法-CN201910703560.6在审
发明人： 吴召平 -专利权人： 吴召平
申请日： 2019-07-31 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： B22F3/105 文献下载
摘要：本发明公开了金属激光熔覆打印二维准直器材料，包括：金属粉末，所述金属粉末为钨或钼合金粉末或是钨或钼与其它低熔点金属的均匀混合粉末，如WxCu1‑x合金，其铜含量性在5%‑50%；WxNi1‑x‑yFey，WxNi1‑x‑yCuy，WxNi1‑x‑yCry，其中，x+y=5%‑50%，此组分可用于钼合金。本发明激光熔覆金属粉中，除钨和钼，加入了低熔点金属，这些低熔点金属的加入，对原本比较脆性的钨、钼薄壁材料进行了改性，能有效提高钨金属成形能力，增加了其延展性及准直器的机械强度；同时由于材料的熔点变低。
低熔点金属金属粉末金属激光准直器二维熔覆打印脆性熔点延展性钼合金粉末薄壁材料成形能力激光熔覆金属粉钨和钼钨金属钼合金改性可用准直制备合金器材

[发明专利]涂覆有耐火浆料的泡沫模样及其制造和使用方法-CN201310098984.7有效
发明人： 吴召平;布赖恩.V.穆尔;阿内特.D.迈克尔;汪德家;朴俊泳;古彦飞;赵奇 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2013-03-26 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： B22C7/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于涂覆在泡沫模型上以形成消失模铸造所需的泡沫模样的耐火浆料，其包含可对所述泡沫模型的气化反应起催化作用的催化剂。本发明还提供了一种在其耐火涂层中包含所述催化剂的泡沫模样以及制造和使用该模样的方法。
用于消失铸造涂覆有耐火浆料泡沫模样及其制造使用方法

[实用新型]金属注射成型二维CT X射线二维准直器-CN201820844166.5有效
发明人： 吴召平;张培莉;王源;王黎明;潘钢;张慧芳;吴建新;吴梦迪;郑伟 -专利权人：上海鸿置黎源汇新材料有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： G01N23/046 文献下载
摘要：本实用新型公开了金属注射成型二维CT X射线二维准直器：包括：准直器部件，所述准直器部件包括：部件基板、连接块、连接线条、圆形凸块、圆形凹槽，所述基板部件的两端设有连接块，所述部件基板的中侧设有连接线条，所述连接块的上端设有圆形凸块，所述连接块的下端设有圆形凹槽，所述圆形凸块与圆形凹槽配合连接本实用新型具有以下有益效果：注射成型样品表面比较光滑，不需要后期的抛光过程；制备效率高、设备投入成本低，因此制备二维准直器的成本也比较低；本二维准直器还可适用于高能射线的应用场合，如x光、伽马射线中子、beta射线等的探测；本二维准直器可以应用于大尺寸的辐射探测设备，如大型的医疗仪器，如CT、单光子发射计算机断层扫描（SPECT）以及安检CT等。
准直器二维圆形凹槽圆形凸块金属注射成型本实用新型部件基板二维CT 制备伽马射线线条单光子发射计算机断层扫描辐射探测设备设备投入成本高能射线基板部件抛光过程配合连接样品表面医疗仪器注射成型大型的上端安检光滑下端射线探测应用

[发明专利]基于碲锌镉晶体的辐射探测器的用途-CN201810605591.3在审
发明人： 吴召平;郑伟;胡耀文 -专利权人：苏州西奇狄材料科技有限公司
申请日： 2018-06-13 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明要求保护一种基于碲锌镉晶体的辐射探测器的用途，将碲锌镉晶体的辐射探测器用于能谱CT系统。本发明还公开了一种能谱CT系统，其包括面阵探测器，所述的面阵探测器为碲锌镉晶体的辐射探测器。本发明的探测器得到的CT系统可以对同一位置在同一时间获得的x光的能谱实行分辨，获得在同一像素的x光能谱信号，原理上可以获得多个不同能量的x光成像图像，可以准确获得人体组织的材料构成，由此，比传统的双能CT更加准确诊断疾病。
辐射探测器碲锌镉晶体能谱面阵探测器人体组织时间获得同一位置同一像素诊断疾病传统的光能探测器分辨图像

[发明专利]无载流子注入的新型CZT辐射探测器结构及制备方法-CN201810551444.2在审
发明人： 吴召平;郑伟;胡耀文 -专利权人：苏州西奇狄材料科技有限公司
申请日： 2018-05-31 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L31/115 文献下载
摘要：本发明揭示了一种无载流子注入的新型CZT辐射探测器结构及制备方法，采用功函数大于CZT晶体的材料在CZT晶体一侧制备阴电极，并采用功函数小于CZT晶体的材料在CZT晶体另一侧制备阳电极。本发明采用了特殊的电极材料，使得探测器两边都能实现肖特基接触，不但可以有效地抑制两边电极载流子的注入，减小漏电流，抑制探测器的噪音，同时也可有效地收集辐射产生的光生载流子，提高收集效率，有效利用辐射剂量，提高了探测器的灵敏度及能量分辨率，大大提高探测器的性能，再者还弥补了CZT晶体材料性能的不足，提高晶体材料的利用率，提高探测器的合格率，降低成本。
探测器载流子制备辐射探测器晶体材料功函数晶体的有效地两边光生载流子能量分辨率肖特基接触电极材料辐射剂量收集效率灵敏度电极漏电流阳电极阴电极减小噪音合格率辐射

[发明专利]一种THM炉及其生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法-CN201810347824.4在审
发明人： 吴召平;郑伟;胡耀文 -专利权人：苏州西奇狄材料科技有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明要求保护一种THM炉及其生长碲化镉或碲锌镉单晶体的方法。本发明在THM炉内，设计了两个THM温度场进行了两次晶体生长，有利于提高晶体质量；一个原位退火温场避免了后退火的再次升温过程，节约能源，同时克服了后退火过程中碲或镉气氛扩散带来的成分不均匀，有利于晶体整体性能的提高。
单晶体后退火碲化镉碲锌镉晶体生长晶体整体升温过程原位退火不均匀温度场炉内温场扩散生长节约能源生产

[发明专利]金属注射成型二维CT X 射线二维准直器及其制备方法-CN201810557544.6在审
发明人： 吴召平;张培莉;王源;王黎明;潘钢;张慧芳;吴建新;吴梦迪;郑伟 -专利权人：上海鸿置黎源汇新材料有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2018-08-31 - 主分类号： G01N23/046 文献下载
摘要：本发明公开了金属注射成型二维CT X射线二维准直器及其制备方法：由若干个准直器部件1组成，本发明金属注射成型二维CT X射线二维准直器的制备方法，包括以下步骤：S1：浆料制备，制备金属粉末，利用有机胶黏将金属粉末制成可注射的浆料；S2：注射成型，设计金属注射成型的模具，利用金属注射成型机注射成型单片或一层的准直器部件；S3：重叠部件，重叠由S2制造的准直器部件至所需的片数；S4：粘结成型，将重叠好的二维准直器部件放入粘结剂中，进行粘接，形成二维准直器胚体；S5：烘干固化，将上述二维准直器胚体放入恒温烘箱，按照粘结剂的固化特性将整个准直器进行固化；S6：尺寸校正，对二维准直器的物理尺寸进行修正，完成整个制备过程。
准直器二维金属注射成型二维CT 制备注射成型粘结剂放入固化胚体金属注射成型机制备金属粉末尺寸校正恒温烘箱烘干固化浆料制备金属粉末粘结成型制备过程重叠部件单片浆料胶黏片数粘接模具注射修正制造

[发明专利]烃类裂解方法和反应装置-CN201010192512.4有效
发明人：王世忠;彭文庆;傅琪佳;邓志刚;吴召平;林川;古彦飞;张晓;L·B·库尔 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2010-05-31 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C10G9/16 文献下载
摘要：烃类裂解方法包括提供蒸汽和烃类；将蒸汽和烃类输入接触烃类的表面含有化学式为AaBbCcDdO3‑δ的钙钛矿材料的反应装置，其中0＜a＜1.2，0≤b≤1.2，0.9＜a+b≤1.2，0＜c＜1.2，0≤d≤1.2，0.9＜c+d≤1.2，‑0.5＜δ＜0.5；A从钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)及其组合选取；B从锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、铷(Rb)及其组合选取；C从铈(Ce)、锆(Zr)、锑(Sb)、镨(Pr)、钛(Ti)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、镓(Ga)、锡(Sn)、铽(Tb)及其组合选取；D从镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)、钪(Sc)、钛(Ti)、钒(V)、铬(Cr)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、铜(Cu)、锌(Zn)、钇(Y)、锆(Zr)、铌(Nb)、钼(Mo)、锝(Tc)、钌(Ru)、铑(Rh)、钯(Pd)、银(Ag)、镉(Cd)、铪(Hf)、钽(Ta)、钨(W)、铼(Re)、锇(Os)、铱(Ir)、铂(Pt)、金(Au)、镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)、锑(Sb)及其组合选取。
裂解方法反应装置

[实用新型]使用多晶半导体晶片的直接转换型x射线成像探测器-CN201420052481.6有效
发明人： 吴召平;佘铭钢 -专利权人：通用电气（中国）研究开发中心有限公司
申请日： 2014-01-27 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种数字x射线探测器，其包括用来将x射线直接转换成电信号的转换体层、以及由用来存储和读取所述电信号的像素化电容和像素化薄膜晶体管组成的有源矩阵。其中，所述转换体层包括多晶片和位于该多晶片两边的用来给该多晶片提供电场的电极。
使用多晶半导体晶片接转换型射线成像探测器

[发明专利]生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法-CN201110365464.9有效
发明人： 吴召平;高绪彬;徐悟生;江浩川;张明龙 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量。
生产碲化镉碲锌镉单晶体方法

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