“石原数也”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果24个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]开心果分选装置-CN202180039482.X在审
发明人： 石原数也;中岛洋人 -专利权人：东洋坚果食品株式会社
申请日： 2021-06-11 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： G01N21/892 文献下载
摘要：提供一种开心果分选装置，其可以高精度地检验附着在带壳开心果壳上的荧光物质所发出的BGY荧光而进行是否良好的判定，高速分选不合格品。开心果分选装置具备：照明装置(11)，其对于检查区域内作为被分选物的带壳开心果，照射最大峰值波长处于345nm～390nm的范围内的紫外线；光学滤光器(12)，其选择性地使500nm～600nm的波长范围的光透过；传感器(13)，其检测从被分选物发出并透过光学滤光器(12)的荧光的二维强度分布，生成表示检查区域内的荧光的二维强度分布的二维图像数据；判定装置(14)，其基于二维图像数据，单个地判定被分选物是否良好。
开心果分选装置

[发明专利]摄像装置和分析装置-CN201580038421.6有效
发明人：粟屋信义;石原数也;中野贵司;名仓满;夏秋和弘;泷本贵博;内田雅代 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H04N9/07 文献下载
摘要：本发明提供与现有技术相比通用性高且能够使观察对象物质的状态可视化的摄像装置。摄像装置(1)具有滤光片部(111)、受光部(112)和图像处理部(13)。滤光片部(111)具有光谱透射特性不同的多个滤光片，使与观察对象物质的吸光光谱或荧光光谱对应的特定的波段的光透过。受光部(112)接受由滤光片部(111)透射的光，将接受的光由光电转换元件(112a)转换为电信号而输出。图像处理部(13)将从受光部(112)输出的电信号转换为可见光波段的信号输出向显示装置(2)。
摄像装置分析

[发明专利]荧光检测装置和清扫机-CN201410539344.X有效
发明人：名仓满;粟屋信义;石原数也;中野贵司;泷本贵博;夏秋和弘;内田雅代 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： G01N21/64 文献下载
摘要：本发明提供荧光检测装置和清扫机。本发明提供一种能够简便地搬运到各种场所和环境，并能够容易地对检测对象物质发出的特定波长的荧光进行检测的技术。荧光检测装置在能够携带的箱体中具备：照射部，该照射部向被摄体照射规定的波段的激发光；滤光片部，该滤光片部具有使被摄体相对于激发光发出的特定波长的荧光透过的荧光滤光片；受光部，该受光部接收透过荧光滤光片的荧光；和提示部，该提示部向用户提示基于受光部的受光结果的信息。
荧光检测装置受光部荧光荧光滤光片滤光片部激发光清扫机照射部波长提示被摄体照射检测对象用户提示被摄体波段受光搬运携带检测

[发明专利]光电转换装置及其制造方法-CN201480046696.X有效
发明人：夏秋和弘;内田雅代;泷本贵博;粟屋信义;石原数也;中野贵司;名仓满 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-07-11 - 公布日： 2017-06-13 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明提供能够防止本来不透射的波长的光的异常透射、能够使光谱波形的半值宽度减小的光电转换装置及其制造方法。在基板(100)上形成第一光电转换元件(101)，在该第一光电转换元件(101)之上隔着绝缘膜(1、2、3)形成具有周期性或非周期性地配置的多个开口(41)的第一金属膜(31)。设置覆盖上述第一金属膜(31)的多个开口(41)的一部分的第二金属膜(32)。
光电转换装置及其制造方法

[发明专利]光电转换装置-CN201480048387.6有效
发明人：泷本贵博;夏秋和弘;内田雅代;粟屋信义;石原数也;中野贵司;名仓满 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-09-16 - 公布日： 2016-04-20 - 主分类号： H01L31/0232 文献下载
摘要：光电转换装置包括：由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6a)，其包括周期性地具有多个结构(11)的第一图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第一光电转换元件(A)之上；和由导电材料膜构成的第一光学滤光片(6b)，其包括周期性地具有多个结构(12)的第二图案，并且隔着绝缘膜(5)配置在第二光电转换元件(B)之上。相互相邻的上述第一图案与第二图案的间隔(a)比第一图案的结构(11)的周期(P1)和第二图案的结构(12)的周期(P2)长。
光电转换装置

[发明专利]电路内置光电转换装置及其制造方法-CN201480023309.0在审
发明人：内田雅代;夏秋和弘;泷本贵博;粟屋信义;石原数也;中野贵司 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明提供难以在等离子体滤光部之下的绝缘层产生凹陷，能够准确地进行等离子体滤光部的微细加工的电路内置光电转换装置及其制造方法。在比配线层(11、12、13)靠上方的绝缘层(7)上设置同一金属层(31)。该金属层(31)具有等离子体滤光部(32)和遮蔽光的屏蔽金属部(33)，该等离子体滤光部(32)具有用于将进行波长选择后的光向第一光电转换元件(101)引导的周期性的开口(32a)。
电路内置光电转换装置及其制造方法

[发明专利]测定装置-CN201410601756.1在审
发明人：粟屋信义;石原数也;中野贵司;名仓满;夏秋和弘;泷本贵博;内田雅代 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：本发明提供一种测定装置，其能够获得能将皮肤中含有的黑色素和血色素适当地分离的拍摄结果。该测定装置从照射部的光源对被摄体照射在蓝色和绿色的波段中具有由黑色素和血色素引起的吸收的影响度彼此不同的峰的光谱特性的光，测定装置利用摄像机对与透射RGB的滤光片的来自光源的光对应的被摄体的反射光进行摄像，利用输出部输出由摄像机摄像得到的RGB的摄像信号。
测定装置

[发明专利]半导体存储装置及半导体装置-CN201210375954.1有效
发明人：名仓满;粟屋信义;石原数也;世古明义 -专利权人：夏普株式会社;尔必达存储器股份有限公司
申请日： 2012-10-08 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G11C16/06 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体存储装置，能够使向可变电阻元件的电压施加极性不同的2种写入工作后的各验证工作分别低功耗且高速地执行。写入电路（22）构成为能分别执行设定工作和重置工作，设定工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻低电阻化，重置工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而使可变电阻元件的电阻高电阻化，读出电路（21）构成为能够分别执行第1读出工作和第2读出工作，第1读出工作通过从存储器单元的一端侧经由可变电阻元件向另一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态，第2读出工作通过从存储器单元的另一端侧经由可变电阻元件向一端侧流过电流，从而读出可变电阻元件的电阻状态。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN201210187984.X有效
发明人：大西润哉;栗屋信义;名仓满;石原数也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-06-08 - 公布日： 2012-12-12 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明实现在长期间的数据保持特性上优越且能高效地进行读出时的数据的错误检测和纠正的半导体存储装置。在将使用了金属氧化物的可变电阻元件用于信息的存储的半导体存储装置（1）中，将在使该可变电阻元件转变成高电阻状态的情况下施加的重写电压脉冲的电压振幅设定在使得成为转变后的高电阻状态的电阻值随着时间的经过而上升的数据保持特性的电压范围内。具体地说，设定在伴随着使该电压振幅上升，转变后的高电阻状态的电阻值朝向规定的峰值上升的电压范围。而且，在利用ECC电路（106）检测出数据错误的情况下，视为本来应是低电阻状态的数据变化成了高电阻状态，将检测出错误的全部的存储单元的可变电阻元件重写成低电阻状态，对检测出错误的位进行纠正。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储设备-CN201210106127.2有效
发明人：名仓满;栗屋信义;石原数也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-04-12 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G11C29/42 文献下载
摘要：本发明实现一种半导体存储设备，其能够有效地执行在连续的读取动作中会可能发生的数据错误的检测和所述错误数据的校正。所述半导体存储设备(1)使用由金属氧化物制成的可变电阻元件以用于存储信息。在所述半导体存储设备(1)中采用ECC的编码数据的读取动作期间，当通过ECC电路(106)检测数据错误时，假设由于具有与所施加的读取电压脉冲的极性相同的极性的写入电压脉冲的施加而导致已经发生错误写入，具有与读取电压脉冲的极性相反的极性的写入电压脉冲被施加到从其中检测到错误的所有存储单元，以便校正从其中检测到错误的位。
半导体存储设备

[发明专利]非易失性半导体存储器设备-CN201110292340.2有效
发明人：川端优;山崎信夫;石原数也;大西润哉;粟屋信义;玉井幸夫 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-09-30 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：非易失性半导体存储器设备。非易失性半导体存储器设备包括用于存储用户数据的存储器单元阵列，其通过布置存储器单元提供，每个存储器单元具有可变电阻元件，该可变电阻元件具有第一电极2、第二电极3以及夹置在第一电极和第二电极之间由金属氧化物制成的可变电阻器4。第一和第二电极分别由与该可变电阻器4形成欧姆结的导电材料和与该可变电阻器4形成非欧姆结的导电材料形成。可变电阻器通过在电极之间施加电压在两个或更多不同电阻状态之间变化。变化之后的电阻状态以非易失性方式维持。在存储器单元阵列用于存储用户数据之前的未使用状态，存储器单元阵列中的所有存储器单元的可变电阻元件被设置为两个或更多不同电阻状态的最高电阻状态。
非易失性半导体存储器设备

[发明专利]半导体存储设备-CN201110285501.5有效
发明人：名仓滿;石原数也;山崎信夫;川端优 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：所提供的是一种半导体存储设备，其能在随机存取编程动作中以期望的可控性稳定地编程到期望的电阻状态，并且配备有可变电阻元件。不管作为写动作(擦除动作和编程动作)的目标的存储单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到具有最小电阻值的被擦除状态的擦除电压脉冲。此后，用于将所述可变电阻元件的所述电阻状态恢复到期望的被编程状态的编程电压脉冲被施加到所述编程动作目标存储单元的所述可变电阻元件。通过在已经施加了所述擦除电压脉冲之后一直施加所述编程电压脉冲，能够避免被顺序地施加的多个编程电压脉冲。
半导体存储设备

[发明专利]半导体存储器设备-CN201110285490.0有效
发明人：名仓满;石原数也;山崎信夫;川端优 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-09-23 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：半导体存储器设备，其中不管作为写入动作（擦除和编程动作）的目标的存储器单元的可变电阻元件的电阻状态如何，施加用于将可变电阻元件的电阻状态带入具有最低电阻值的擦除状态的擦除电压脉冲。此后，向编程动作目标存储器元件的可变电阻元件施加将可变电阻元件的电阻状态带入所需编程状态的编程电压脉冲。通过总是在施加擦除电压脉冲之后施加编程电压脉冲，可以避免连续地施加多个编程电压脉冲。而且，存储器单元阵列由偶数个子组块构成，且交替地执行一个子组块中擦除电压脉冲的施加和另一子组块中编程电压脉冲的施加。
半导体存储器设备

[发明专利]非易失性可变电阻元件的电阻控制方法-CN201110155556.4有效
发明人： 石原数也 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种非易失性可变电阻元件的电阻控制方法，对多个存储器单元能同时进行写入工作、擦除工作、以及成形处理。在非易失性可变电阻元件的电阻控制方法中，对于具备将具备非易失性可变电阻元件和晶体管的单位存储器单元排列成矩阵状的存储器单元阵列，通过第1选择线（字线）、第2选择线（位线）、以及第3选择线（源极线）来选择存储器工作对象的存储器单元的非易失性半导体存储装置，具有：选择一根或多根第1选择线的步骤；选择多根第2选择线的步骤；以对全部的被选择的存储器单元施加存储器工作需要的电压的方式，施加对电流经由该第2选择线在第3选择线中流过而导致的第3选择线的电位变动进行补偿的电压来成为存储器工作需要的电压的步骤。
非易失性可变电阻元件控制方法

[发明专利]非易失性半导体存储装置-CN201110215067.3有效
发明人：大西润哉;山崎信夫;石原数也;井上雄史;玉井幸夫;粟屋信义 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明实现一种可变电阻元件和具有该可变电阻元件的非易失性半导体存储装置，该可变电阻元件通过抑制伴随成形处理完成的急剧电流，从而降低特性偏差，稳定地进行切换动作。一种非易失性半导体存储装置，将在第一电极(12a)与第2电极(14)之间夹持电阻变化层(13)而成的可变电阻元件(2)用于信息存储中，可变电阻元件(2)在形成切换界面的第一电极(12a)与电阻变化层(13)之间被插入缓冲层(12b)而成。以如下方式选择缓冲层(12b)和电阻变化层(13)的材料，即:缓冲层(12b)与电阻变化层(13)均包含n型金属氧化物而构成，构成缓冲层(12b)的n型金属氧化物的导带底的能量比构成电阻变化层(13)的n型金属氧化物的导带底的能量低。
非易失性半导体存储装置

1
2
下一页»
尾页
共 24 条