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[发明专利]基因敲入方法、基因敲入细胞制作方法、基因敲入细胞、癌变风险评价方法、癌细胞制造方法和用于在它们中使用的试剂盒-CN202080004117.0在审
发明人：片山翔太 -专利权人： IMRA日本公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： C12N15/113 文献下载
摘要：一种基因敲入方法，是向基因组DNA的靶部位敲入外源性DNA的方法，包括向细胞导入包含所述外源性DNA的供体DNA以及以Cas9蛋白质和其向导RNA作为构成要素的CRISPR－Cas9系统的工序，所述供体DNA从5’侧依次包含由可通过微同源介导的连接与所述基因组DNA的所述靶部位的5’侧的第1核苷酸序列连接的第1’核苷酸序列构成的5’－微同源区域、所述外源性DNA、由可通过微同源介导的连接与所述基因组DNA的所述靶部位的3’侧的第2核苷酸序列连接的第2’核苷酸序列构成的3’－微同源区域，所述CRISPR－Cas9系统是如下系统：将所述基因组DNA中的所述靶部位与第1核苷酸序列之间的第1被切断区域以及所述靶部位与第2核苷酸序列之间的第2被切断区域切断，并且将所述供体DNA中的所述5’－微同源区域的5’侧的第3被切断区域、所述外源性DNA与所述5’－微同源区域之间的第4被切断区域、所述外源性DNA与所述3’－微同源区域之间的第5被切断区域以及所述3’－微同源区域的3’侧的第6被切断区域切断；在所述基因组DNA的第1核苷酸序列与第2核苷酸序列之间插入所述外源性DNA。
基因方法细胞制作方法癌变风险评价癌细胞制造用于它们使用试剂盒

[发明专利]电测定型表面等离子体激元共振传感器、电测定型表面等离子体激元共振传感器芯片和表面等离子体激元共振变化的检测方法-CN202080003854.9在审
发明人：阿姆里塔·萨纳;贾尔斯·阿莉森;铃木博纪;加藤英美;安藤正夫;维耶·强·莱 -专利权人： IMRA日本公司
申请日： 2020-10-16 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： G01N21/552 文献下载
摘要：本发明提供一种电测定型表面等离子体激元共振传感器，具备等离子体激元共振增强传感器芯片和电测定装置，所述等离子体激元共振增强传感器芯片是将依次配置有电极、硅半导体膜和等离子体激元共振膜电极的传感器芯片与棱镜按照所述棱镜、所述电极、所述硅半导体膜和所述等离子体激元共振膜电极的顺序配置而成的，所述电测定装置由所述电极和所述等离子体激元共振膜电极直接测定电流或电压。
测定表面等离子体共振传感器芯片变化检测方法

[发明专利]光电转换元件以及波长传感器-CN201680002418.3在审
发明人：黄武钟;林弘毅;伊藤泰雄 -专利权人： IMRA日本公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2017-08-01 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：本发明涉及光电转换元件以及波长传感器。本发明实现元件内的电子的移动方向根据转换对象光的波长而变化的光电转换元件。光电转换部(20)具备供转换对象光入射的活性层(40)、相对于活性层(40)而被配置于与转换对象光的入射侧相反的一侧的中间层(50)、以及以隔着中间层(50)而与活性层(40)对置的方式被配置的反射层(60)。活性层(40)包含通过与转换对象光的相互作用而产生等离子共振的材料亦即等离子谐振材料。中间层(50)具有半导体特性以及相对于转换对象光的透明性这两者。反射层(60)具有相对于转换对象光的反射性。
光电转换元件以及波长传感器

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