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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]利用石墨烯硅量子点混合结构的隧穿二极管及其制造方法-CN201480081346.7有效
发明人： 崔石镐;申东熙;金成 -专利权人：庆熙大学校产学协力团
申请日： 2014-10-14 - 公布日： 2019-08-23 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：提供一种通过硅量子点的大小和控制石墨烯的掺杂浓度，提高二极管性能及电性特性的包括石墨烯硅量子点混合结构的隧穿二极管。本发明的理想隧穿二极管，可活用在二极管基础的光电子元件。
利用石墨量子混合结构二极管及其制造方法

[发明专利]利用石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管及其制造方法-CN201480081292.4有效
发明人： 崔石镐;申东熙;金成 -专利权人：庆熙大学校产学协力团
申请日： 2014-11-20 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：提供了一种通过控制硅量子点大小和石墨烯掺杂浓度，提高光学特性及电性特性的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管。本发明的包括石墨烯硅量子点混合结构的光电二极管制作方便，可大面积制作，且从紫外线领域到近紫外线领域的光检测带宽广，选择性地可调整吸收能量。
利用石墨量子混合结构光电二极管及其制造方法

[发明专利]光检测元件-CN201380068374.0有效
发明人： 崔石镐;金成;金昌伍 -专利权人：庆熙大学校产学协力团
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L31/10 文献下载
摘要：由于根据掺杂量来评价制造的石墨烯p-n垂直接合的光检测特性，因此提供包含石墨烯p-n均质接合二极管的光检测元件。所述光检测元件包括：基板；光检测层，其作为形成在所述基板上的光检测层，包括p-n垂直均质接合的石墨烯，具有在350nm至1100nm范围内超过10E11(Jones)的检测能；和形成在所述光检测层上的第一电极和第二电极。
检测元件

[发明专利]用于控制光盘设备的方法和装置-CN200710084017.X无效
发明人： 崔石镐;姜圭泰 -专利权人：日立－LG数据存储韩国公司
申请日： 2007-02-09 - 公布日： 2007-08-29 - 主分类号： G11B17/04 文献下载
摘要：一种用于控制光盘设备的装置和方法根据包括多个不同宽度的多个脉冲的至少一个驱动信号来执行盘加载和卸载操作。应用该脉冲控制电机以使盘相对于主轴松开。因为该信号由多个不同宽度的脉冲形成，所以松开操作在很小和没有震动力的情况下被执行，因此盘被弹出而不会受到损害和从设备中掉落。
用于控制光盘设备方法装置

[发明专利]具有电荷俘获层的非易失性存储器件-CN200610126357.X无效
发明人：朴祥珍;车映官;朴永洙;李正贤;崔石镐 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2006-08-30 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： H01L29/792 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电荷俘获层的非易失性存储器件，所述电荷俘获层包括其中压倒性发生空穴俘获的第一俘获层和其中压倒性发生电子俘获的第二俘获层。该非易失性存储器件可根据应用的偏压产生大的平带电压间隔，因为平带电压范围一致地分布在正和负电压上。因此，可以实现非常稳定的多电平单元。
具有电荷俘获非易失性存储器

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