[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

栅电极层、

所述栅电极层上的栅极绝缘层、

所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层、

所述氧化物半导体层上的包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层、以及

所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层上的源电极层及漏电极层，

其中，所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层具有非晶结构，

且所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层与所述源电极层及所述漏 电极层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述绝缘性氧化物为氧 化硅。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述包含绝缘性氧化物 的氧化物半导体层通过使用包含0.1重量%～30重量%的SiO₂的靶材的溅射 法形成。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层及所 述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层分别包含铟、锡和锌中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，包含绝缘性氧化物的所述 氧化物半导体层在所述源电极层和所述漏电极层之间具有厚度比与所述源 电极层或所述漏电极层重叠的区域小的区域。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述源电极层和所述漏 电极层之间的所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层的一部分受到蚀 刻，从而露出所述氧化物半导体层。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，包含绝缘性氧化物的所 述氧化物半导体层上设置有使用无机材料形成的沟道保护层。

8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述栅电极层的沟道方 向的宽度大于所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层或所述氧化物半导 体层的沟道方向的宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述包含绝缘性氧化 物的氧化物半导体层的端部下形成有空洞。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层的 端部被所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层覆盖。

11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层包 括在所述源电极层和所述漏电极层之间的第一区域以及与所述源电极层和 所述漏电极层重叠的第二区域；

其中，第一区域的厚度小于第二区域的厚度。

12.一种半导体装置，包括：

栅电极层、

所述栅电极层上的栅极绝缘层、

所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层、

所述氧化物半导体层上的包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层、

所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层上的具有n型导电性的缓冲 层、以及

所述缓冲层上的源电极层及漏电极层，

其中，所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层具有非晶结构，

所述缓冲层的电导率高于所述氧化物半导体层的电导率，

且所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层隔着所述缓冲层与所述源 电极层及所述漏电极层中的一方电连接。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述缓冲层使用由氧 化物半导体形成的非单晶膜形成。

14.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述绝缘性氧化物为 氧化硅。

15.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述包含绝缘性氧化 物的氧化物半导体层通过使用包含0.1重量%～30重量%的SiO₂的靶材的溅 射法形成。

16.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述氧化物半导体层及 所述包含绝缘性氧化物的氧化物半导体层分别包含铟、锡和锌中的至少一 种。