[发明专利]多区域处理系统及处理头有效
| 申请号： | 200880114346.7 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN101842874A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 里克·恩多;库尔特·魏纳;因德拉尼尔·德;詹姆士·宗;赵茂生 | 申请（专利权）人： | 分子间公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 李冬梅;郑霞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的各个实施方式提供了基板与处理头的相对移动，以在最小空间内接近整个晶圆而在基板的各区域上执行组合式处理。处理头能够在所述的处理室中进行位置隔离处理，且还描述了一种使用所述处理头的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 区域 处理 系统 | ||
【主权项】：
一种处理方法，其用以处理基板上的一位置隔离区域，包含：修正介于一沉积头与所述基板的所述位置隔离区域之间的一处理区域的容积；在所述基板的位置隔离区域上执行一干式处理；以及在进行处理的同时，经由围绕一沉积头组件周围的区域而抽空所述处理区域。
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- 申承祐;金海元;郑愚德;赵星吉;吴完锡;崔豪珉;李郡禹 - 株式会社EUGENE科技
- 2014-09-15 - 2019-05-03 - H01L21/205
- 根据本发明的一实施例的非晶硅膜的蒸镀方法，在腔内部装载基板的状态下，在上述基板上供给源气体和气氛气体，在工序压力下的工序温度，在上述基板上蒸镀非晶硅膜，其中，上述源气体是硅烷(SiH2)、乙硅烷(Si2H6)、二氯甲硅烷(SiCl2H2)中的一种以上，其中，上述工序温度被调节为540℃～570℃的范围，且上述工序压力被调节为1～300Torr的范围，从而上述源气体热分解而在上述基板上蒸镀上述非晶硅膜，其中，上述气氛气体是氢和氦中的一种以上，上述源气体的流量是0.5～300sccm，上述气氛气体的流量是100～25000sccm，上述非晶硅膜被蒸镀的厚度为
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
