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[发明专利]通过控制表面组成来调控钨生长-CN201810259666.7有效
发明人：吴凯;朴基振;柳尚澔;李相协;大东和也;约书亚·柯林斯;王成贤 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2013-08-20 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在此揭示一种在催化体CVD沉积期间选择性控制催化材料的沉积速率的方法。所述方法可包括以下步骤：将基板定位在处理腔室中，所述基板包括表面区域和间隙区域二者；将包含钨的第一成核层保形地沉积于所述基板的暴露表面上；用活化氮处理所述第一成核层的至少一部分，其中所述活化氮优先沉积于所述表面区域上；使包含钨卤化物的第一沉积气体与含氢气体反应，以优先沉积钨填充层于所述基板的间隙区域中；使包含钨卤化物的成核气体反应，以形成第二成核层；以及使包含钨卤化物的第二沉积气体与含氢气体反应，以沉积钨场层。
通过控制表面组成调控生长

[发明专利]用于增进阻挡性能并降低过孔电阻的方法和材料-CN202180009152.6在审
发明人：陈璐;赛沙德利·甘古利;柳尚澔;陈枫 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开内容的多个实施方式涉及用于形成阻挡层的方法和材料，该阻挡层具有增进的阻挡性能和/或降低的过孔电阻。本公开内容的一些实施方式提供用于通过将金属表面暴露于金属络合物来钝化该金属表面的方法，该金属络合物包含有机配体，该有机配体具有至少三个碳原子和与中心金属原子η键结的双键或三键。一些实施方式提供过孔内的阻挡层，而实现了至少25％的电阻降低，这是由于具有等效阻挡性质的更薄的阻挡层所造成。
用于增进阻挡性能降低电阻方法材料

[发明专利]使用催化沉积的间隙填充方法-CN202180013702.1在审
发明人：尹炳勋;吴立其;李靖珠;吴凯;岑羲;雷伟;柳尚澔;赛沙德利·甘古利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-11 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：讨论了沉积金属膜的方法。金属膜形成在具有金属底部及电介质侧壁的特征的底部上。金属膜的形成包含：在将基板维持在沉积温度下的同时，暴露于金属前驱物及烷基卤化物催化剂。所述金属前驱物具有高于沉积温度的分解温度。所述烷基卤化物包含碳及卤素，且所述卤素包含溴或碘。
使用催化沉积间隙填充方法

[发明专利]金属膜的沉积-CN202180009200.1在审
发明人：尹炳勋;雷伟;柳尚澔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：披露一种用于在表面上选择性地沉积的方法。本公开内容的一些实施方式利用实质上不含卤素且实质上不含氧的有机金属前驱物。执行沉积以相对于金属表面在非金属表面上选择性地沉积金属膜。本公开内容的一些实施方式涉及间隙填充的方法。
金属膜沉积

[发明专利]非金属表面上的选择性沉积-CN202080033013.2在审
发明人： 柳尚澔;陈璐;赛沙德利·甘古利 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-05-05 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：揭示了用于在非金属表面上进行选择性沉积的方法。本揭示内容的一些实施方式利用不饱和烃在金属表面上形成阻止层。进行沉积以选择性地沉积于未受阻止的非金属表面上。本揭示内容的一些实施方式涉及形成具减小的电阻的金属过孔的方法。
非金属表面上选择性沉积

[发明专利]实现无缝钴间隙填充的方法-CN201910069988.X有效
发明人：布尚·N·左普;阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯;博·郑;雷雨;傅新宇;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;柳尚澔;马修·亚伯拉罕 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： C23C16/18 文献下载
摘要：本文提供用于在半导体装置的特征结构界定中沉积金属层的方法。在一个实施方式中，提供用于沉积金属层以形成半导体装置的方法。所述方法包括执行循环金属沉积工艺以在基板上沉积金属层和将设置在基板上的金属层退火。循环金属沉积工艺包括将基板暴露于沉积前驱物气体混合物以在基板上沉积金属层的一部分；将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺；和重复将基板暴露于沉积前驱物气体混合物的步骤和将金属层的所述部分暴露于等离子体处理工艺或氢退火工艺的步骤，直至达到金属层的预定厚度。
实现无缝间隙填充方法

[发明专利]使用金属基前驱物的原子层沉积(ALD)工艺的N型金属氧化物半导体(NMOS)金属栅极材料的方法与设备-CN201980066546.8在审
发明人：林永景;陈世忠;吉田尚美;董琳;吴立其;汪荣军;史蒂文·洪;卡拉·贝纳尔·拉莫斯;杨逸雄;唐薇;柳尚澔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-10-07 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：兹描述用于形成诸如NMOS栅电极之类的半导体结构的方法及设备。所述方法可包括以下步骤：于高k介电层的第一表面上方沉积第一覆盖层，该第一覆盖层具有第一表面；及于第一覆盖层的第一表面上方沉积至少一个金属层，该至少一个金属层具有第一表面，其中该至少一个金属层包括钛铝硅化物材料。一些方法包括以下步骤：通过使第一覆盖层接触金属氯化物，从第一覆盖层的第一表面去除氧化物层，所述金属氯化物的量足以去除氧化物层。一些用于沉积钛铝硅化物材料的方法由350至400摄氏度的温度下进行的原子层沉积工艺进行。
使用金属前驱原子沉积 ald 工艺氧化物半导体 nmos 栅极材料方法设备

[发明专利]热形成选择性钴层的方法-CN201580058667.X有效
发明人：艾华;吕疆;阿夫耶里诺斯·V·杰拉托斯;马伯方;柳尚澔;刘风全;付新宇;叶伟锋 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-05 - 公布日： 2021-03-30 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：在此提供用以选择性地沉积钴层的方法。在一些实施方式中，一种用以选择性地沉积钴层的方法包括以下步骤：暴露基板于第一工艺气体以钝化暴露的电介质表面，其中该基板包含电介质层与金属层，该电介质层具有暴露的电介质表面，该金属层具有暴露的金属表面；以及使用热沉积工艺来选择性地沉积钴层于该暴露的金属表面上。
形成选择性方法

[发明专利]金属膜的催化沉积-CN201980042226.9在审
发明人： 柳尚澔;赛沙德利·甘古利;尹炳勋;陈伟民 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：论述了沉积具有高纯度的金属膜的方法。一些实施方式利用包含烷基卤化物及金属前驱物的热ALD工艺。一些实施方式优先于介电表面而在金属表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式优先于金属表面而在介电表面上选择性沉积具有高纯度的金属膜。一些实施方式沉积具有在原子基础上大于99％的金属原子的金属膜。
金属膜催化沉积

[发明专利]减少DRAM字线中的栅极诱发的漏极泄漏-CN201911122441.8在审
发明人：康宋坤;李智勇;柳尚澔;陈世忠;杰弗里·W·安西斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-11-15 - 公布日： 2020-06-05 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：描述了存储器装置和形成存储器装置的方法。所述存储器装置包括两个功函数金属层，其中一个功函数层具有比另一个功函数层低的功函数。低功函数层可以减少栅极诱发的漏极泄漏电流损耗。还描述了形成存储器装置的方法。
减少 dram 中的栅极诱发泄漏

[发明专利]用于沉积钨成核层的方法及设备-CN201880051546.6在审
发明人：吴凯;柳尚澔;维卡什·班西埃 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：描述了使用烷基硼烷还原剂沉积低电阻率钨成核层的方法。所用的烷基硼烷还原剂包括具有通式BR3的化合物，其中R是C1‑C6烷基基团。还描述了使用烷基硼烷还原剂进行钨成核层的原子层沉积的设备。
用于沉积成核方法设备

[发明专利]用于线路中段(MOL)应用的金属有机钨的形成方法-CN201580018220.X有效
发明人：吴立其;柳尚澔;大东和也;朴基振;吴凯;戴维·汤普森 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-03-13 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供用于线路中段(MOL)应用的形成金属有机钨的方法。一些实施方式中，一种处理基板的方法包括下述步骤：提供基板至处理腔室，其中所述基板包括一特征，所述特征形成于所述基板的介电层的第一表面中；将所述基板暴露于等离子体，以在所述介电层顶上与所述特征内形成钨阻挡层，所述等离子体由包括金属有机钨前驱物的第一气体形成，其中形成所述钨阻挡层期间的所述处理腔室的温度低于约225摄氏度；以及于所述钨阻挡层上沉积钨填充层，以填充所述特征至所述第一表面。
用于线路中段 mol 应用金属有机形成方法

[发明专利]用于金属栅极的低厚度相关功函数nMOS整合-CN201880028696.5在审
发明人：马伯方;赛沙德利·甘古利;陈世忠;拉杰什·沙西亚那拉亚南;阿达西·巴苏;董琳;吉田尚美;柳尚澔;吴立其 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2018-07-12 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：膜堆叠及形成膜堆叠的方法，膜堆叠包含在基板上的高k介电层、在高k介电层上的高k覆盖层、在高k覆盖层上的n金属层及在n金属层上的n金属覆盖层。n金属层具有与高k覆盖层相邻的富铝界面。
覆盖层金属层膜堆叠高k介电层金属覆盖层铝界面基板

[发明专利]用于选择性沉积的选择性改良的原位预清洁-CN201780058629.3在审
发明人：吴凯;维卡什·班西埃;柳尚澔;张镁;马飞跃 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-09-08 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： C23C16/04 文献下载
摘要：藉由将表面暴露于包括氩气或氢气之一或更多者的预清洁等离子体继之以沉积，相对于第二表面(例如，介电表面)于第一表面(例如，金属表面)上选择性地沉积膜的方法。第一表面和第二表面可为实质上共面的。所沉积膜的选择性相对于在暴露于预清洁等离子体之前的基板可增加一个数量级。
预清洁等离子体第二表面第一表面沉积膜选择性沉积氩气表面暴露介电表面金属表面氢气基板沉积改良暴露

[发明专利]用六氟化钨(WF6)回蚀进行钨沉积-CN201480043646.6有效
发明人：吴凯;柳尚澔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-07-22 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本文所述的实施方式大体涉及用于使用气相沉积工艺在基板上形成钨材料的方法。该方法包括以下步骤：将具有形成于基板中的特征的基板定位在基板处理腔室中；通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在特征之上沉积第一钨膜来沉积整体钨层的第一膜；通过将此第一膜暴露于卤化钨化合物及经活化的处理气体的连续流使用等离子体处理来蚀刻整体钨层的第一膜，以移除第一膜的部分；及通过将含氢气体及卤化钨化合物的连续流引入至处理腔室以在第一钨膜之上沉积第二钨膜来沉积整体钨层的第二膜。
氟化 wf6 进行沉积

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