[发明专利]具有通孔硅的半导体封装及相关的制造方法无效
| 申请号： | 200810161102.6 | 申请日： | 2008-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN101355069A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 张衡善;姜芸炳;权云星;权容载;李忠善;李东镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60;H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 戎志敏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 在半导体封装中，电极具有延伸穿过半导体衬底的第一部分和从第一部分延伸穿过复合层以到达导电焊盘的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 通孔硅 半导体 封装 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路封装，包括：具有第一表面和第二表面的衬底；形成在所述第一表面之上的复合层；形成在所述复合层上或至少部分地形成在所述复合层中的导电焊盘；电极，包括从所述第二表面延伸穿过衬底的第一部分和从所述第一部分延伸穿过所述复合层以电接触所述导电焊盘的第二部分；以及将所述电极的第一部分与所述衬底分离的间隔绝缘层。
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