[发明专利]具有通孔硅的半导体封装及相关的制造方法

权利要求书

1、一种半导体集成电路封装，包括：

具有第一表面和第二表面的衬底；

形成在所述第一表面之上的复合层；

形成在所述复合层上或至少部分地形成在所述复合层中的导电焊盘；

电极，包括从所述第二表面延伸穿过衬底的第一部分和从所述第一部分延伸穿过所述复合层以电接触所述导电焊盘的第二部分；以及

将所述电极的第一部分与所述衬底分离的间隔绝缘层。

2、权利要求1的封装，其中所述间隔绝缘层仅仅将所述衬底和所述电极的第一部分分离，并且所述电极的第二部分接触所述复合层。

3、权利要求1的封装，其中所述电极还包括形成在所述衬底的第二表面上的再布线层，并且所述封装还包括：

设置在衬底的第二表面上并且覆盖再布线层的绝缘层；以及

通过所述绝缘层中的开口与所述电极相连的端子。

4、权利要求1的封装，还包括：

设置在衬底上或至少部分设置在衬底中的半导体器件；和

形成在复合层上并且覆盖半导体器件的钝化层，其中在钝化层中的开口使至少部分导电焊盘暴露。

5、权利要求4的封装，还包括：

通过粘合剂粘附到所述钝化层的至少一部分的处理衬底。

6、权利要求5的器件，其中由透明材料形成所述处理衬底。

7、权利要求1的封装，其中所述导电焊盘嵌入到所述复合层之内。

8、权利要求1的封装，其中所述电极的第一部分至少部分地延伸到复合层中。

9、权利要求1中的封装，其中所述间隔绝缘层和所述电极的第一部分设置在完全穿过衬底延伸的第一通孔中；以及

其中所述间隔绝缘层保形地形成在第一通孔的内表面上，并且所述电极的第一部分保形地形成在所述间隔绝缘层上，使得没有完全填充所述第一通孔。

10、权利要求1的封装，其中所述电极的第一和第二部分的至少之一具有锥形横截面，所述锥形横截面当从所述衬底的第二表面延伸时减小。

11、权利要求1的封装，其中所述半导体器件与所述电极电连接。

12、权利要求11的封装，其中所述半导体器件包括有源像素传感器。

13、权利要求1的封装，其中所述电极的第二部分完全延伸穿过所述导电焊盘。

14、权利要求13的封装，还包括：

形成在所述复合层上的钝化层，其中所述钝化层中的开口暴露所述导电焊盘的至少一部分、以及延伸穿过所述导电焊盘的电极的第二部分的一部分；以及

在所述电极的第二部分延伸穿过所述导电焊盘的那部分上形成的凸块结构。

15、权利要求1的封装，还包括

形成在所述衬底上或至少部分地形成在衬底中并且未被所述复合层覆盖的半导体器件；

形成在所述复合层上的钝化层，其中所述钝化层中的开口至少部分地暴露导电焊盘，并且其中所述复合层和所述钝化层的组合厚度基本上等于所述半导体器件的厚度；以及

粘附到所述钝化层的至少一部分的处理衬底，使得在半导体器件和所述处理衬底之间形成密封的内部空间。

16、权利要求15的封装，其中所述半导体器件是有源像素传感器或滤光器。

17、权利要求1的封装，其中所述电极的第二部分穿透至少一部分导电焊盘并且所述封装还包括：在电极的第一部分和间隔绝缘层之间形成的阻挡层。

18、权利要求1的封装，其中所述电极的第二部分穿透所述导电焊盘的至少一部分和并且所述封装还包括：

在所述电极的第一部分和所述间隔绝缘层之间形成的第一阻挡层；以及

在第一阻挡层上并且在所述电极的第二部分和复合层之间的形成第二阻挡层。