[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200810092336.X | 申请日： | 2008-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN101295686A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 冈田和央;篠木裕之;关嘉则;山田紘士 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，通过提高支承体和粘接层间的耐湿性，从而提高半导体装置的可靠性。本发明的半导体装置具有：在半导体元件上形成的第一绝缘膜(2)、在所述第一绝缘膜(2)上形成的第一配线(3)、在所述半导体元件上经由粘接层(7)粘接的支承体(8)、覆盖从所述半导体元件的背面到侧面的部分及所述粘接层(7)侧面的第三绝缘膜(11)、与所述第一配线(3)连接且经由所述第三绝缘膜(11)在所述半导体元件的背面延伸的第二配线(12)、在所述第二配线(12)上形成的保护膜(13)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具有：在半导体元件上形成的第一配线、在所述半导体元件上经由粘接层粘接的支承体、覆盖所述半导体元件的从背面到侧面的部分及所述粘接层侧面的绝缘膜、与所述第一配线连接且经由所述绝缘膜在所述半导体元件的背面延伸的第二配线、在包含所述第二配线的半导体元件上形成的保护膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社，未经三洋电机株式会社;三洋半导体株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200810092336.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于防止跨站攻击的方法和系统
- 下一篇：电光显示装置
