[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体装置及其制造方法，特别涉及具有与半导体元件的外形尺寸大致相同尺寸的封装及其制造方法。

背景技术

近年来，作为封装技术，受到关注的是CSP(Chip Size Package：芯片尺寸封装)。CSP是指具有与半导体元件的外形尺寸大致相同尺寸的小型封装。现在，作为CSP的一种，公开了BGA(Ball Grid Array：球栅阵列)型半导体装置。该BGA型半导体装置将多个由焊锡等金属部件构成的球状导电端子网格状地排列在封装的一主面上，并与形成在封装的另一面上的半导体元件电连接。

在将该BGA型半导体装置组装入电子器件时，通过将各导电端子与印刷基板上的配线图案压接，从而将半导体芯片和搭载在印刷基板上的外部电路电连接。

这样的BGA型半导体装置与具有在侧部突出的引脚的SOP(SmallOutline Package：小轮廓封装)和QFP(Quad Flat Package：四方平面封装)等相比，具有可设置多个导电端子且可小型化的优点。该BGA型半导体装置具有例如作为搭载在手机上的数码相机的图像传感器芯片的用途。

图13～图15表示现有的半导体装置的制造方法，如图13所示，准备如下半导体基板，即，在半导体元件51上经由绝缘膜52形成有第一配线53，经由粘接层55粘接有玻璃基板54以覆盖所述第一配线53，形成与所述第一配线53连接且经由绝缘膜56在所述半导体元件51背面上延伸的第二配线57。另外，作为沿各半导体元件51的分界S(切割线)分割所述半导体基板的前阶段，具有在使用切割刀片在半导体基板上形成切入槽G的工序。

另外，如图14所示，在包含所述切入槽G的半导体基板背面形成由抗焊剂膜构成的保护膜58，此后，如图15所示，经由规定的工序形成导电端子59。最后，通过沿分界(称为切割线或划线)S分割玻璃基板54，从而完成半导体装置的制造。

上述技术记载在以下专利文献1中。

专利文献1：(日本)特开2005-72554号公报

如图15所示，在现有的半导体装置中，在由具有吸湿性的树脂构成的保护膜58和粘接层55的接触部A处的耐湿性差，水分等侵入到粘接层和玻璃基板等之间，从而有可能导致玻璃基板54等从半导体元件51剥离。另外，在使用切割刀片机械形成的切入槽G的形成面上具有较细的凹凸，从而成为玻璃基板54和保护膜58的紧密结合性降低的原因。

发明内容

因此，本发明的半导体装置，其特征在于，具有：在半导体元件上形成的第一配线、在所述半导体元件上经由粘接层覆盖所述第一配线而粘接的支承体、覆盖所述半导体元件的从与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面到侧面的部分及所述粘接层侧面的绝缘膜、与所述第一配线连接且沿着所述绝缘膜在所述半导体元件的与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面延伸的第二配线、在包含所述第二配线的半导体元件上覆盖所述第二配线而形成的保护膜。

另外，本发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：准备在表面上形成有第一配线的半导体基板，在所述半导体基板上经由粘接层粘接支承体的工序；对所述半导体基板的与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面进行蚀刻，将所述半导体基板分割为半导体元件，并且使所述粘接层侧面露出的工序；以覆盖所述半导体元件的从与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面到侧面的部分及所述粘接层侧面的方式形成绝缘膜的工序；形成与所述第一配线连接且沿着所述绝缘膜在所述半导体元件的与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面延伸的第二配线的工序；在包含所述第二配线的半导体元件上覆盖所述第二配线而形成保护膜的工序；沿所述多个半导体元件的分界进行切割的工序。

本发明中，通过以覆盖半导体元件的从背面到侧面的部分及所述粘接层侧面的方式形成的绝缘膜，可提高支承体和粘接层间的耐湿性，故可提高半导体装置的可靠性。

附图说明

图1是表示本发明第一实施例的半导体装置的制造方法的剖面图；

图2是表示本发明第一实施例的半导体装置的制造方法的剖面图；

图3是表示本发明第一实施例的半导体装置的制造方法的剖面图；

图4是表示本发明第一实施例的半导体装置的制造方法的剖面图；

图5是表示本发明第一实施例的半导体装置的制造方法的剖面图；

图6是表示本发明第一实施例的半导体装置的制造方法的剖面图；

图7是表示本发明第一实施例的半导体装置的制造方法的剖面图；

图8是表示本发明第一实施例的半导体装置的制造方法的剖面图；