[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：在半导体元件上形成的第一配线、在所述半导体元件上经由粘接层覆盖所述第一配线而粘接的支承体、覆盖所述半导体元件的从与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面到侧面的部分及所述粘接层侧面的绝缘膜、与所述第一配线连接且沿着所述绝缘膜在所述半导体元件的与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面延伸的第二配线、在包含所述第二配线的半导体元件上覆盖所述第二配线而形成的保护膜。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有与所述第二配线电连接的导电端子。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述第二配线与所述第一配线的被所述支承体覆盖的一侧的相反侧的面连接。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，沿着所述绝缘膜以覆盖所述粘接层侧面的方式形成有金属膜，该金属膜由与所述第二配线相同的膜构成。

5.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

准备在表面上形成有第一配线的半导体基板，在所述半导体基板上经由粘接层粘接支承体的工序；

对所述半导体基板的与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面进行蚀刻，将所述半导体基板分割为半导体元件，并且使所述粘接层侧面露出的工序；

以覆盖所述半导体元件的从与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面到侧面的部分及所述粘接层侧面的方式形成绝缘膜的工序；

形成与所述第一配线连接且沿着所述绝缘膜在所述半导体元件的与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面延伸的第二配线的工序；

在包含所述第二配线的半导体元件上覆盖所述第二配线而形成保护膜的工序；

沿所述多个半导体元件的分界进行切割的工序。

6.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

准备在相邻半导体元件的分界部分隔着第一绝缘膜形成有一对第一配线的半导体基板，在所述半导体基板上，以分别覆盖所述一对第一配线的方式形成第二绝缘膜的工序；

以覆盖所述第一配线的方式经由粘接层粘接支承体的工序；

蚀刻所述半导体基板的与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面，将所述半导体基板分割为半导体元件，并且，使位于所述第一配线下部的第一绝缘膜及粘接层的一部分露出的工序；

除去所述露出的粘接层而使所述支承体露出的工序；

在所述半导体元件的与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面、第一绝缘膜及支承体上形成第三绝缘膜的工序；

蚀刻所述第一绝缘膜及所述第三绝缘膜，使所述第一配线的一部分露出，并且，以覆盖半导体元件的侧面及粘接层侧面的方式对所述第三绝缘膜进行构图的工序；

形成与所述露出的第一配线连接且在所述半导体元件的与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面延伸的第二配线的工序；

将各所述半导体元件分割的切割工序。

7.如权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有形成与所述第二配线电连接的导电端子的工序。

8.如权利要求5或6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，所述第二配线以与所述第一配线的被所述支承体覆盖的一侧的相反侧的面连接的方式形成。

9.如权利要求6所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有如下工序，即，在所述第三绝缘膜上以覆盖所述半导体元件从与形成有所述第一配线的一侧相反的一侧的面到侧面的部分及所述粘接层侧面的方式、形成由与所述第二配线相同的膜构成的金属膜。