[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200810009418.3 | 申请日： | 2008-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101236941A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 郑载植;沈成珉;崔熺国;张东铉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/522;H01L21/60;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。根据一些实施例，半导体装置包括形成在半导体结构上的下部结构。下部结构具有芯片焊盘。半导体装置还包括位于芯片焊盘上方的钝化层。钝化层包括限定在其中的第一开口以暴露芯片焊盘的至少部分。半导体装置还包括相互分隔开并位于钝化层上方的至少两条相邻的再分布线。所述至少两条相邻的再分布线通过对应的第一开口分别连接到芯片焊盘。半导体装置包括位于钝化层上方的第一绝缘层。第一绝缘层包括在所述至少两条相邻的再分布线之间延伸的孔穴。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体装置，包括：下部结构，形成在半导体结构上，下部结构具有芯片焊盘；钝化层，位于芯片焊盘上方，钝化层包括限定在其中的第一开口，第一开口暴露芯片焊盘的至少部分；至少两条相邻的再分布线，相互分隔开并位于钝化层上方，所述至少两条相邻的再分布线通过对应的第一开口分别连接到芯片焊盘；绝缘层，位于钝化层上方，其中，绝缘层包括在所述至少两条相邻的再分布线之间延伸的孔穴。
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