[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体装置，包括：

下部结构，形成在半导体结构上，下部结构具有芯片焊盘；

钝化层，位于芯片焊盘上方，钝化层包括限定在其中的第一开口，第一开口暴露芯片焊盘的至少部分；

至少两条相邻的再分布线，相互分隔开并位于钝化层上方，所述至少两条相邻的再分布线通过对应的第一开口分别连接到芯片焊盘；

绝缘层，位于钝化层上方，其中，绝缘层包括在所述至少两条相邻的再分布线之间延伸的孔穴。

2、根据权利要求1所述的半导体装置，其中，孔穴上覆钝化层。

3、根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少两条相邻的再分布线的上部比其下部宽。

4、根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述至少两条相邻的再分布线的侧壁和钝化层的上表面之间限定锐角。

5、根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述锐角被限定在大约30度至大约75度的范围内。

6、根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述至少两条相邻的再分布线具有限定在其侧壁中的凹进，所述孔穴位于所述凹进的至少部分内。

7、根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述孔穴接触所述至少两条相邻的再分布线的侧壁，从而所述至少两条相邻的再分布线的侧壁的至少部分被暴露于所述孔穴内部。

8、根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述孔穴的顶部高于所述至少两条相邻的再分布线的顶表面。

9、根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述孔穴在剖视图中具有三角形、椭圆形、弓形形状。

10、根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述孔穴沿所述至少两条相邻的再分布线的长度延伸。

11、根据权利要求1所述的半导体装置，其中，绝缘层包含在所述至少两条相邻的再分布线之间的一个或多个孔穴。

12、根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述孔穴接触所述至少两条相邻的再分布线的相对的侧壁。

13、根据权利要求1所述的半导体装置，还包括设置在绝缘层上方的另一再分布线，另一再分布线直接上覆所述孔穴。

14、一种半导体装置，包括：

至少两条相邻的导电线，相互分隔开并位于半导体基底上方；

绝缘层，位于所述至少两条相邻的导电线之间，其中，所述绝缘层包括在所述至少两条相邻的导电线之间的孔穴，

其中，凹进被限定在所述至少两条相邻的导电线的侧壁中，孔穴被设置在所述凹进的至少部分内。

15、根据权利要求14所述的半导体装置，还包括位于半导体基底上方的钝化层，其中，所述孔穴被设置在所述至少两条相邻的导电线之间的钝化层上方。

16、根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述至少两条相邻的导电线的上部比其下部宽。

17、一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：

形成下部结构，所述下部结构具有形成在半导体基底上的芯片焊盘；

在芯片焊盘上方形成钝化层，钝化层包括限定在其中的开口以暴露对应的芯片焊盘的至少部分；

在钝化层上方形成至少两条相邻的第一再分布线，其中，所述至少两条第一再分布线通过对应的开口分别连接到对应的芯片焊盘；

形成绝缘层，绝缘层上覆所述至少两条相邻的第一再分布线并位于钝化层上方，

其中，绝缘层包括在所述至少两条相邻的第一再分布线之间延伸的孔穴。

18、根据权利要求17所述的方法，其中，在所述至少两条相邻的第一再分布线的侧壁中形成凹进。

19、根据权利要求18所述的方法，其中，形成绝缘层的步骤包括：

在钝化层上方以及邻近于所述至少两条相邻的第一再分布线的侧壁涂覆绝缘材料；

在所述凹进被绝缘材料基本完全填充之前，对绝缘材料进行热处理，从而由所述至少两条相邻的第一再分布线的侧壁和所述绝缘层的外表面限定所述孔穴。

20、根据权利要求19所述的方法，其中，涂覆绝缘材料的步骤包括旋转涂覆、应用包括有机材料的带或利用挤压机。