[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本申请要求于2007年2月1日提交的第2007-0010377号韩国专利申请和2008年1月18日提交的第12/016.677号美国专利申请的优先权，该申请的内容通过引用完全包含于此。

技术领域

本发明的实施例大体涉及一种半导体装置以及制造方法。更具体地讲，本发明的一些实施例涉及一种包括再分布线的半导体装置及其制造方法，其中，所述半导体装置适于减小相邻的再分布线之间的寄生电容。

背景技术

在现代的半导体装置制造过程中，经常要求被以不同封装类型装配的半导体芯片的键合焊盘被重新布置，以适应不同的封装类型。然而，当半导体芯片的功能性方面基本没有变化时，仅为了重新布置键合焊盘而更改半导体芯片的电组件的整体分布是不值得的。

因此，已经提出了再分布线作为重新布置键合焊盘的有效手段，以在不更改电组件的分布的情况下适应不同的封装类型。传统的再分布线的特征可在于在完成的半导体芯片的钝化层上方设置导电互连件。例如，形成在完成的半导体芯片的外围区域上的现有芯片焊盘可经再分布线(将在下面解释)电连接(再分布)到再分布的键合焊盘的阵列。

图1是包括再分布线的传统晶圆级封装的剖视图。

参照图1，半导体芯片包括半导体基底10、芯片焊盘12、位于芯片焊盘12上方的钝化层14和位于钝化层14上方的第一绝缘层16。穿过钝化层14和第一绝缘层16来限定开口，该开口暴露芯片焊盘12的部分。

再分布线或再分布层图案18形成在第一绝缘层16上，以接触芯片焊盘12的被形成在钝化层14和第一绝缘层16中的开口暴露的部分。

然后在再分布线18上方形成第二绝缘层20，在第二绝缘层20内形成开口，以暴露再分布线18的部分，从而限定再分布键合焊盘22。随后，形成焊球24以接触再分布键合焊盘22的部分。在半导体基底10上方的任何区域中，可在第二绝缘层20中形成开口。

因此，通过应用再分布技术，位于芯片外围区域中的芯片焊盘12可经再分布线电气地再定位到位于芯片的任何区域上方的再分布键合焊盘22。因此，可以将外围键合焊盘改为适用于装配技术(如倒装芯片键合)的区域阵列键合焊盘，反之亦然。

然而，随着半导体芯片内部的集成水平的提高，相邻的再分布线之间的距离大大降低。结果，相邻的再分布线之间产生的寄生电容不期望地增大，这将导致显著的信号延迟和更大的功耗。另外，本领域中已经公知的是，各种半导体装置(如闪速存储器)中的这种寄生电容导致信号干扰，从而降低所得电子产品的可靠性。

在此示例性地描述的本发明的实施例致力于解决传统技术的这些和其他观察到的缺点。

发明内容

在一个实施例中，半导体装置包括：下部结构，形成在半导体结构上，下部结构具有芯片焊盘；钝化层，位于芯片焊盘上方，钝化层包括限定在其中的第一开口，第一开口暴露芯片焊盘的至少部分；至少两条相邻的再分布线，相互分隔开并位于钝化层上方，所述至少两条相邻的再分布线通过对应的第一开口分别连接到芯片焊盘；第一绝缘层，位于钝化层上方。第一绝缘层包括在所述至少两条相邻的再分布线之间延伸的孔穴。

在另一实施例中，一种半导体装置，包括：至少两条相邻的导电线，相互分隔开并位于半导体基底上方；绝缘层，位于所述至少两条相邻的导电线之间，其中，所述绝缘层包括在所述至少两条相邻的导电线之间的孔穴，其中，凹进被限定在所述至少两条相邻的导电线的侧壁中，孔穴被设置在所述凹进的至少部分内。

在又一实施例中，一种形成半导体装置的方法，所述方法包括：形成下部结构，所述下部结构具有形成在半导体基底上的芯片焊盘；在芯片焊盘上方形成钝化层，钝化层包括限定在其中的开口以暴露对应的芯片焊盘的至少部分；在钝化层上方形成至少两条相邻的第一再分布线，其中，所述至少两条第一再分布线通过对应的开口分别连接到对应的芯片焊盘；形成绝缘层，绝缘层上覆所述至少两条相邻的第一再分布线并位于钝化层上方，其中，绝缘层包括在所述至少两条相邻的第一再分布线之间延伸的孔穴。

附图说明

以下，将参照附图来描述本发明的实施例，其中：

图1是包括再分布线的传统晶圆级成品封装(wafer level fabricatedpackage)的剖视图；

图2是根据一个实施例的半导体装置的平面图；

图3A是根据一个实施例的沿线IIA-IIA′截取的图2中示出的半导体装置的剖视图；

图3B和图3C是根据一些实施例的沿线IIB-IIB′截取的图2中示出的半导体装置的剖视图；