[发明专利]用于半导体集成电路的导电结构及其形成方法有效
| 申请号： | 200710085241.0 | 申请日： | 2007-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN101246866A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 齐中邦;黄成棠 | 申请（专利权）人： | 南茂科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L23/50;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 任永武 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是一种用于一半导体集成电路的导电结构及其形成方法，该半导体集成电路包含一衬垫以及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一第一开口区域，使得该导电结构适可通过该第一开口区域，与该衬垫呈电性连接。该导电结构包含一支撑层，具有一第二开口区域，以在其中形成一平整顶面的导体，作为一凸块。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 集成电路 导电 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于一半导体集成电路的导电结构，其中该半导体集成电路包含一衬垫及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一第一开口区域，该导电结构适可通过该第一开口区域，与该衬垫呈电性连接；该导电结构包含：一支撑层，覆盖该第一开口区域的一边缘，并定义出具有一第二横向尺寸的一第二开口区域；一导体，形成于该第二开口区域内；以及一导电层，其具有一中央区域及一周缘区域；其中该中央区域形成于该导体与该衬垫之间；该周缘区域，形成于该中央区域的一外缘，且至少局部形成于该支撑层与该保护层之间；该周缘区域具有一第一部份及一第二部份，该中央区域及该周缘区域的第一部份，均具有一第一纵向尺寸，而该周缘区域的第二部份，具有一第二纵向尺寸；其中该第二横向尺寸不大于该第一横向尺寸，该第二纵向尺寸大于该第一纵向尺寸。
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