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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体封装件及其制作方法-CN202111531354.5在审
发明人： 齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体封装件包括衬底结构以及设置于衬底结构上的封装结构。衬底结构包括内埋芯片、模封基材及多个衬底导通孔。模封基材包覆内埋芯片。衬底导通孔贯穿模封基材。封装结构包括第一模封层、第一芯片、第二模封层、第二芯片及多个封装导通孔。第一芯片设置于第一模封层靠近衬底结构的第一侧，并耦接内埋芯片。第二模封层设置于第一模封层的第一侧并包覆第一芯片。第二芯片设置于第一模封层的第二侧上。封装导通孔贯穿第一模封层以耦接第一芯片及第二芯片。
半导体封装及其制作方法

[发明专利]芯片封装结构及其制造方法-CN202010170286.3在审
发明人： 齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2020-03-12 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片封装结构，包括芯片、封装胶体、第一介电层、第一重布线路层、第二重布线路层以及第二介电层。封装胶体包封芯片。封装胶体中具有多个导电连接件。第一介电层配置于芯片的主动面及部分封装胶体上。第一重布线路层配置于封装胶体相对于第一介电层的表面上。第二重布线路层配置于第一介电层上。第二介电层配置于第二重布线路层及部分第一介电层上。部分导电连接件位于芯片的背面上，背面通过部分导电连接件电性连接至第一重布线路层，且导电部电性连接至第二重布线路层、导电连接件及第一重布线路层。另提供一种芯片封装结构的制造方法。
芯片封装结构及其制造方法

[发明专利]微型存储器封装结构以及存储器封装结构-CN201911229606.1在审
发明人：卢东宝;徐子涵;齐中邦;张家豪 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2019-12-04 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明提供一种微型存储器封装结构，其包括线路基板、第一芯片、第二芯片以及封装胶体。线路基板具有第一表面、背向第一表面的第二表面以及位于第二表面上的导电图案。第一芯片配置于第一表面上。第一芯片具有远离第一表面的第一主动面以及位于第一主动面上的重布线路层，且重布线路层电性连接线路基板。第二芯片配置于第一主动面上，并电性连接重布线路层。第二芯片具有面向第一主动面的第二主动面。封装胶体配置于第一表面上，并覆盖第一芯片与所述第二芯片。另提供一种具有天线的存储器封装结构。
微型存储器封装结构以及

[发明专利]一种晶圆研磨工艺-CN201910247254.6在审
发明人： 齐中邦 -专利权人：合肥新汇成微电子有限公司
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2019-08-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆研磨工艺，所述晶圆研磨方法包括：提供一晶圆，所述晶圆具有第一面、第二面以及多个凹陷于所述第一面的开口部，所述晶圆具有一厚度；填入一可塑性胶材于所述开口部中，并固化所述可塑性胶材；以及进行研磨步骤，以使所述晶圆的所述厚度薄化。与现有技术相比，本发明在晶圆表面填入可塑性胶材，将晶圆凸块接点通过研磨方式将共平面控制在更精密的条件中，并在后续与液晶面板接合方式由传统的ACF压合可以改成NCF的压合，使其可达到较低的封装成本及更高的产品良率。
研磨晶圆可塑性胶材开口部填入压合种晶产品良率接合方式晶圆表面晶圆凸块液晶面板传统的第二面共平面薄化封装固化精密

[实用新型]一种微间距驱动芯片金凸块结构-CN201620159958.X有效
发明人： 齐中邦 -专利权人：江苏汇成光电有限公司
申请日： 2016-03-03 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本实用新型公开了芯片封装领域内的一种微间距驱动芯片金凸块结构，包括一列均匀间隔排列的铝垫，每个铝垫上均设有金凸块，所述金凸块和相应铝垫之间还设有金属溅镀层，所述金属溅镀层上对应金凸块设有贯穿孔，所述金凸块的下部嵌装在对应金属溅镀层的贯穿孔内，所述相邻金属溅镀层上的贯穿孔互相错开设置，所述金凸块沿铝垫的排列方向等间距上下交错排列设置。所述金凸块和对应金属溅镀层相接触的部分通过电镀方式粘接。本实用新型的相邻铝垫之间不会发生短路，加大了后续封装的制程空间，便于进行后续封装。
一种间距驱动芯片金凸块结构

[发明专利]导电结构及其形成方法-CN201210456939.X有效
发明人： 齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明关于一种用于一半导体芯片的导电结构及其形成方法，半导体芯片包含多个第一衬垫及多个第二衬垫，各第一衬垫与各第二衬垫间隔形成于半导体基材的一衬垫区上，衬垫区的第一区域位于一第二区域与一第三区域之间，第一衬垫与第二衬垫于第一区域相互交错。导电结构包含多个导电凸块，分别形成于各第一衬垫及各第二衬垫上，以使各导电凸块与第一衬垫及第二衬垫电性连接；其中，导电凸块具有一第一凸块宽度位于第一区域及一第二凸块宽度位于第二区域及第三区域的其中之一，且第一凸块宽度小于第二凸块宽度。
导电结构及其形成方法

[发明专利]导电结构及其形成方法-CN201210052495.3有效
发明人：沈更新;齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2012-02-13 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明关于一种用于一半导体芯片的导电结构及其形成方法，半导体芯片包含一半导体基材、一衬垫、一保护层及一图案化绝缘层，图案化绝缘层设置于保护层上并局部且直接覆盖于衬垫的一第一开口上以使衬垫暴露出一第二开口，其中第一开口大于第二开口。导电结构包含一凸块下金属层及一导电凸块，凸块下金属层设置于图案化绝缘层所形成的第二开口内并与衬垫电性连接，导电凸块设置于凸块下金属层上并与凸块下金属层电性连接。其中，导电凸块的一上表面高于图案化绝缘层的一上表面，并且导电凸块位于第二开口内的区域是被凸块下金属层所包覆。
导电结构及其形成方法

[发明专利]凸块结构及其制作方法-CN201110043248.2有效
发明人： 齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2011-02-15 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提出一种凸块结构及其制作方法，可改善底切效应且具有较佳的接合可靠度。该制作方法包括：提供一基板。基板具有至少一焊垫与一保护层。保护层具有至少一第一开口以将焊垫暴露。在保护层上形成一绝缘层。绝缘层具有至少一第二开口，且第二开口位于第一开口上方。于绝缘层上形成一金属层。金属层透过第一开口以及第二开口与焊垫电性连接。于第一开口以及第二开口内形成一第一凸块。于第一凸块与部分金属层上形成一第二凸块。以第二凸块为掩模，移除部分未被第二凸块所覆盖的金属层以形成至少一球底金属层。第一凸块被球底金属层以及第二凸块完全包覆。
结构及其制作方法

[发明专利]晶片结构及晶片处理方法-CN200910159461.2有效
发明人： 齐中邦;沈更新;陈文阳 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2009-07-02 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明是关于一种晶片结构及其晶片处理方法，晶片结构包含多个芯片、多个金属垫、一保护层以及一绝缘层。这些芯片呈阵列排列，且各该芯片间的相邻区域定义一切割道；这些金属垫形成于该切割道上；该保护层形成于这些芯片与该切割道上，并覆盖这些金属垫；该绝缘层形成于该切割道的该保护层上，且该绝缘层至少局部覆盖这些金属垫或形成于这些金属垫与这些芯片之间。晶片处理方法包含将前述的晶片结构沿该切割道切割以形成多个单独的芯片，并至少局部移除这些金属垫。
晶片结构处理方法

[发明专利]用于半导体集成电路的导电结构及其形成方法-CN200910266817.2有效
发明人： 齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：本发明是一种用于一半导体集成电路的导电结构及其形成方法。该半导体集成电路包含一衬垫以及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出具有一第一横向尺寸的一第一开口区域，使得该导电结构适可通过该第一开口区域，与该衬垫呈电性连接。该导电结构覆盖该第一开口区域与部分该保护层，以提供该衬垫与一凸块间较低阻抗的导电性能，同时该导电结构在其他位置的保护层上，并无断点的形成，此还具有使导电更加稳定的特性。
用于半导体集成电路导电结构及其形成方法

[发明专利]修正凸块尺寸的方法及其凸块结构-CN200810213645.8无效
发明人： 齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2008-08-19 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明是一种修正凸块尺寸的方法，包括：提供一晶片且具有一主动面；形成一光致抗蚀剂层在晶片的主动面上；提供具有一图案的光掩模层，其中该图案为一几何形状；执行一第一曝光工序，使得光掩模层的图案转移到光致抗蚀剂层上；执行一显影及蚀刻步骤，以移除部份光致抗蚀剂层且在光致抗蚀剂层内形成具有几何形状的多个开口；填满金属层在具有几何形状的多个开口内；及移除光致抗蚀剂层，以形成具有几何形状的多个凸块在晶片的主动面上。
修正尺寸方法及其结构

[发明专利]晶粒重新配置的封装结构中使用预先配置的扇出结构-CN200710193466.8有效
发明人： 齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2007-11-27 - 公布日： 2009-06-03 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种晶粒重新配置的封装结构，包括：一晶粒，其具有一主动面及一下表面，主动面上配置有多数个焊垫；多数个金属线段，每一金属线段的一端的背面形成在晶粒的主动面上并与多数个焊垫电性连接；一封装体，是环覆住晶粒的四个面且曝露出晶粒的主动面及背面；一保护层，是覆盖金属线段的正面并曝露出多数个金属线段的延长部分的另一端的一部分表面；多数个导电元件，是将多数个导电元件与多数个金属线段的延长部分的另一端的部分表面电性连接；以及一散热装置，形成在晶粒的下表面。
晶粒重新配置封装结构使用预先

[发明专利]芯片重新配置的封装结构中使用金属凸块的制造方法-CN200710169496.5有效
发明人：黄成棠;齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种芯片重新配置的封装结构，包括：一芯片，其一主动面上配置有多个焊垫；多个图案化的金属线段，其多个图案化的金属线段的一端与芯片的主动面的多个焊垫电性连接；多个导电柱，形成在多个图案化的金属线段上；一封装体，包覆芯片的五个面且暴露出多个图案化的金属线段；多个导电柱，形成在多个图案化的金属线段的另一端上；一图案化的保护层，包覆多个图案化的金属线段且暴露出多个导电柱的一表面以作为导电端点；及多个导电组件，以数组排列方式电性连接于已暴露的多个导电柱的表面上。
芯片重新配置封装结构使用金属制造方法

[发明专利]晶粒重新配置的封装结构中使用网状结构的制造方法-CN200710169495.0有效
发明人： 齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2007-11-16 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种晶粒重新配置的封装结构，包括：一晶粒，具有一主动面及一下表面，于主动面上配置有多数个焊垫；一封胶体，用以包覆晶粒的五个面，且暴露出晶粒的主动面上的多数个焊垫；多数条扇出的金属线段，其每一金属线段的一端与多数个焊垫电性连接；一保护层，是覆盖晶粒的主动面及多数条金属线段，并暴露出多数条金属线段的另一端的一上表面；及多数个导电组件与多数条金属线段的另一端电性连接。
晶粒重新配置封装结构使用网状结构制造方法

[发明专利]用于一半导体集成电路的导电结构及其成形方法-CN200710162042.5无效
发明人： 齐中邦 -专利权人：南茂科技股份有限公司
申请日： 2007-10-10 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种用于一半导体集成电路的导电结构及其成形方法，该半导体集成电路包含一衬垫以及一保护层，局部覆盖该衬垫，以界定出一开口区域。该导电结构可通过该开口区域，与该衬垫呈电性连接。该导电结构包含一第一导体层、一第二导体层以及一底层，该底层形成于该第一导体层以及该衬垫之间。该第一导体层的横向尺寸大于该第二导体层的横向尺寸，以使该导电结构可符合缩减的脚距规格，同时又可保护该衬垫，以避免被蚀刻。
用于一半导体集成电路导电结构及其成形方法

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