[发明专利]用于制造半导体功率器件的工艺及相应器件无效
| 申请号： | 200680054879.1 | 申请日： | 2006-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN101461066A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | S·洛伦蒂;C·M·卡马莱里;M·G·萨吉奥;F·弗利西纳 | 申请（专利权）人： | 意法半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/324;H01L21/3065;H01L21/306;H01L29/10;H01L29/739;H01L29/732 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 柯广华;王丹昕 |
| 地址： | 意大利*** | 国省代码： | 意大利;IT |
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| 摘要： | 用于制造半导体功率器件的工艺，其中，沟槽(8)形成在具有第一导电类型的半导体主体(2)中；为成形目的(8a)，对沟槽进行退火；并且经外延生长为沟槽(8a)填充半导体材料以便获得具有第二导电类型的第一柱(9)。外延生长是通过在存在卤化物气体时供应含硅的气体和含第二导电类型的掺杂物离子的气体而执行，并且随掺杂物离子的均匀分布发生。含掺杂物离子的气体的流量根据外延生长期间的线性斜坡变化；具体而言，在存在硬掩模的半导体材料的选择性生长的情况下，流量减小；在不存在硬掩模的非选择性生长的情况下，流量增大。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 半导体 功率 器件 工艺 相应 | ||
【主权项】：
1. 一种用于制造半导体功率器件的工艺，包括以下步骤：-在具有第一导电类型的半导体主体(2)中形成沟槽(8)；-以成形方式为所述沟槽退火(8a)；-通过外延生长用半导体材料填充所述沟槽(8a)以便获得具有第二导电类型的第一柱(9)，所述外延生长包括在存在卤化物气体时供应含硅气体和含具有所述第二导电类型的掺杂物离子的气体，其特征在于所述外延生长随所述掺杂物离子的均匀分布发生。
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