[发明专利]用于制造半导体功率器件的工艺及相应器件

权利要求书

1.一种用于制造半导体功率器件的工艺，包括以下步骤：

-在具有第一导电类型的半导体主体(2)中形成沟槽(8)；

-以成形方式为所述沟槽退火(8a)；

-通过外延生长用半导体材料填充所述沟槽(8a)以便获得具有第二导电类型的第一柱(9)，所述外延生长包括在存在卤化物气体时供应含硅气体和含具有所述第二导电类型的掺杂物离子的气体，

其特征在于所述外延生长随所述掺杂物离子的均匀分布发生。

2.如权利要求1所述的工艺，其中，供应含掺杂物离子的气体的所述步骤包括改变含掺杂物离子的所述气体的流量。

3.如权利要求2所述的工艺，其中，所述含硅气体是二氯甲硅烷(SiH₂Cl₂)，并且所述卤化物气体从二氯甲硅烷与所述半导体主体的反应中形成。

4.如权利要求3所述的工艺，其中，以恒流量供应所述二氯甲硅烷。

5.如权利要求4所述的工艺，其中，二氯甲硅烷的所述流量是在范围0.2-0.5slm内，优选0.25-0.4slm，更优选0.30-0.35slm。

6.如权利要求1-5任一项所述的工艺，其中，填充所述沟槽的所述步骤包括执行选择性生长。

7.如权利要求1-6任一项所述的工艺，其中，改变所述流量的所述步骤包括减小含掺杂物离子的所述气体的所述流量。

8.如权利要求7所述的工艺，其中，含掺杂物离子的所述气体的所述流量根据线性斜坡减小。

9.如权利要求8所述的工艺，其中，含掺杂物离子的所述气体的所述流量在150-20sccm之间变化，优选在100-30sccm之间，、更优选在80-40sccm之间。

10.如权利要求7-9任一项所述的工艺，其中，所述外延生长在以下条件下发生：

-压力范围10-400托，优选30-200托，更优选60-100托；

-载气H₂流量范围10-501，优选15-301，更优选22-271；以及

-温度范围750-1150℃，优选800-1000℃，更优选850-950℃。

11.如权利要求7-10任一项所述的工艺，其中，形成沟槽(8)的所述步骤包括用硬掩膜(5)覆盖所述半导体主体(1)，并且填充所述沟槽(8)的所述步骤在存在所述硬掩膜(5)时进行。

12.如权利要求1-5任一项所述的工艺，其中，改变所述流量的所述步骤包括增大含掺杂物离子的所述气体的流量。

13.如权利要求12所述的工艺，其中，含掺杂物离子的所述气体的所述流量根据线性斜坡增大。

14.如权利要求13所述的工艺，其中，含掺杂物离子的所述气体的流量在0.2-0.5slm之间变化，优选0.25-0.4slm，更优选0.30-0.35

slm。

15.如权利要求12-14任一项所述的工艺，其中，所述外延生长在以下条件下发生：

-压力范围10-400托，优选30-200托，更优选60-100托；

-H₂载气流量范围10-501，优选15-301，更优选22-271；以及

-温度范围750-1150℃，优选800-1000℃，更优选850-950℃。

16.如权利要求12-15任一项所述的工艺，其中，所述半导体主体(1)具有表面(4)，并且外延生长的所述步骤之后是蚀刻所述表面(4)附近的所述半导体材料(9)的表面部分(9a)的步骤。