[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 200610006463.4 | 申请日： | 2006-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN1819168A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 田边昭人 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/544;H01L21/28;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁晓广;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是实现在给定区域内可靠地进行测试探针的接触和焊接方法。半导体装置100具有：探针标记111形成区域；焊盘110，具有焊接区域113；及与焊盘110分离的检查标记120。在该构造中，能够根据检查标记120的平面形状来识别探针标记111形成区域和焊接区域113。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其包括：焊盘，在一个焊盘内包括焊接区域和测试探针接触区域；和与所述焊盘分离的区域识别标记，从而其标示所述焊接区域和所述测试探针接触区域之间的边界。
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