[发明专利]提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法有效
| 申请号： | 200410062489.1 | 申请日： | 2004-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN1588627A | 公开（公告）日： | 2005-03-02 |
| 发明（设计）人： | 唐果 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/3213;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张爱群 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，由对硬掩模层进行刻蚀、去胶、对多晶硅进行主刻蚀、对栅极进行过刻蚀、微沟槽形成阶段等五个步骤构成。本发明在线条底部形成微沟槽，一定程度上降低了沟道宽度，控制了线条形貌，从而提高了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 微米 多晶 刻蚀 均匀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高深亚微米多晶硅栅刻蚀均匀性的方法，其特征在于，依次采用步骤A、B、C、D和E构成：A.对硬掩模层进行刻蚀；B.通入O2离子体去胶或是在独立的去胶腔室内去胶；C.对多晶硅进行主刻蚀；D.对栅极进行过刻蚀；E.形成微沟槽。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
