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[发明专利]一种硅基晶圆的背面硅腐蚀加工方法-CN202310605020.0在审
发明人：任晓塍;孙岩;承超;马敏洁;徐占勤;朱显 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种硅基晶圆的背面硅腐蚀加工方法，其包括如下步骤：将硅基晶圆安装在耐腐蚀载具上、并使硅基晶圆的背面暴露于耐腐蚀载具表面；将耐腐蚀载具浸泡在混合酸液中、以混合酸液对硅基晶圆的表面进行氧化，在硅基晶圆表面形成二氧化硅；从混合酸液中取出耐腐蚀载具、并清洗硅基晶圆；将耐腐蚀载具放入氧化反应液中浸泡，氧化反应液包括氟化铵和过氧化氢；将耐腐蚀载具从氧化反应液中取出、放入腐蚀液中浸泡以溶解所述二氧化硅，腐蚀液包括氟化铵和氢氟酸；在耐腐蚀载具上清洗并甩干硅基晶圆，将硅基晶圆取下。本发明能够在硅基晶圆的背面硅腐蚀工艺中去除硅基晶圆表面的氮氧化合物层，进而减少淀积背面金属的脱落，降低芯片的报废率。
一种硅基晶圆背面腐蚀加工方法

[发明专利]三极管产品晶圆黑边不打点的版图结构及其制造方法-CN202310629782.4在审
发明人：许柏松;陈烨;赵飞;陈磊;朱瑞 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了三极管产品晶圆黑边不打点的版图结构及其制造方法。三极管产品晶圆黑边不打点的版图结构，包括芯片有效管芯区，所述芯片有效管芯区为晶圆的中心区域，当晶圆为5寸晶圆时，所述芯片有效管芯区是一直径为120‑123mm的圆形区域；当晶圆为6寸晶圆时，所述芯片有效管芯区是一直径为140‑145mm圆形区域；在所述芯片有效管芯区根据三极管的芯片尺寸大小进行阵列排布，当三极管的任意一条边长在所述芯片有效管芯区外时，删除三极管，以位于所有保留的三极管的图形的外围区域为黑边区域。
三极管产品晶圆黑边不打点版图结构及其制造方法

[发明专利]带反向放大作用的吸收二极管器件结构及制造方法-CN202210697050.4有效
发明人：许柏松;徐占勤;任艳炯;陈烨;赵飞;任晓塍;李泽炎 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了带反向放大作用的吸收二极管器件结构及制造方法。带反向放大作用的吸收二极管器件结构，包括重型掺磷衬底，重型掺磷衬底上方设有高阻区，高阻区的中间靠近外部区域开环形槽，环形槽作为形成结终端延伸区的终端区窗口；高阻区还开设有窄环形窗口，终端区窗口的内侧与窄环形窗口相邻设置；窄环形窗口填充有P形填充层；高阻区的正中间开设有P形掺杂区窗口，P形掺杂区窗口形成P型掺杂区；窄环形窗口与P型掺杂区存有间隙；P型掺杂区的内部以及高阻区的边缘开设N形掺杂区窗口，形成有源区N+型掺杂区和终端保护区；还包括短接P型掺杂区与N+型掺杂区的上层金属层，上层金属层覆盖在高阻区的上方。提高了芯片适应能力。
反向放大作用吸收二极管器件结构制造方法

[发明专利]一种新型终端结构的肖特基二极管的制造方法-CN202210883122.4有效
发明人：陈烨;邱健繁;许柏松;朱瑞;殷铭标 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型终端结构的肖特基二极管的制造方法。一种新型终端结构的肖特基二极管的制造方法，生长一层相同掺杂类型的外延层；生长一层二氧化硅层；刻蚀出硅沟槽；去除全部二氧化硅层；生长一层第二二氧化硅层；生长TEOS介质层；腐蚀出后续在外延层形成肖特基结的窗口，窗口的边界位于TEOS介质层内；淀积一层肖特基势垒金属层；淀积一层正面电极金属层；使得正面金属层与外延层形成欧姆接触；淀积一层氮化硅钝化层，随后采用光刻工艺干法刻蚀出键合区窗口；机械研磨；淀积背面电极金属层，作为阴极金属层。避免了电场终端边缘集中效应，有效的提升了器件击穿电压。
一种新型终端结构肖特基二极管制造方法

[实用新型]一种涂胶轨道工作腔体的排风风速测量装置-CN202320399826.4有效
发明人：顾军魏;龚宇科;程庆志;沈龙华;杨辉 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G01P5/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种涂胶轨道工作腔体的排风风速测量装置，属于半导体设备技术领域。包括排风传导桶，所述排风传导桶罩设于涂胶工作腔体上，所述涂胶工作腔体顶部具有排风口，使得所述排风传导桶与涂胶工作腔体相贯通；所述排风传导桶上设有风速测试仪，对汇聚于排风传导桶内风的风速进行测量并显示数值。所述排风传导桶底部设置密封圈，下压所述排风传导桶，使得所述密封圈与胶盘口贴合。所述排风传导桶外周对称设置把手。一种涂胶轨道工作腔体的排风风速测量装置，操作简单、便于风速读取，保证了单次风速测试无误差，大大缩短了测试时间。
一种涂胶轨道工作风速测量装置

[实用新型]一种半导体离子注入机设备排风监测集成系统-CN202320541442.1有效
发明人：蒋亚东;周晓;徐林;龚宇科;陈建标;贾云波 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01J37/244 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体离子注入机设备排风监测集成系统，属于半导体离子注入设备技术领域。所述离子注入机设备包括若干机体，若干所述机体上分别连接排风管道，所述排风管道内分别设有风压测试表；所述机体上分别设有信号触发器，所述风压测试表与信号触发器信号连接，所述信号触发器与可视化显示终端信号连接。还设有远程报警器，所述远程报警器与信号触发器信号连接，所述远程报警器设于操作人员集中处。所述可视化显示终端包括LED电子屏和信号接收器，所述信号接收器与信号触发器信号连接，所述信号接收器通过RS485通讯连接LED电子屏。本申请结构简单，操作便捷，帮助操作人员第一时间知晓并准确处置险情，防止灾情扩大、事态蔓延。
一种半导体离子注入设备监测集成系统

[实用新型]提高卧式扩散炉非悬臂桨作业下进出舟稳定性的锁扣装置-CN202320809116.4有效
发明人：朱显;丁飞;马金磊;沈锋;刘庆霞 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提高卧式扩散炉非悬臂桨作业下进出舟稳定性的锁扣装置，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括固定底座，所述固定底座与机械手固定连接，所述固定底座上开设孔凹槽，推拉棒一端底部设于所述孔凹槽内，所述推拉棒一端顶部露出孔凹槽，所述固定底座上设置竖向布置的导杆，所述导杆和推拉棒一端顶部通过锁扣固定连接，使得所述推拉棒与固定底座连接。所述固定底座上开设螺纹孔，所述导杆穿设螺纹孔，两者通过螺母固定连接。本申请结构简单、巧妙，使用后能够避免进出舟过程中推拉棒与机械手脱钩，提高了进出舟的稳定性，提高了产品质量。
提高卧式扩散悬臂作业进出稳定性装置

[实用新型]一种适用于硅片无蜡抛光的夹具-CN202320399823.0有效
发明人：任晓塍;承超;马敏洁;沈镭;韦清 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种适用于硅片无蜡抛光的夹具，属于集成电路或分立器件制造技术领域。包括抛光头和陶瓷盘，所述陶瓷盘设于抛光头下方，所述抛光头上对称设有锁销，所述抛光头与陶瓷盘通过锁销固定连接；所述陶瓷盘外周设有抛光垫，所述抛光垫底部对称开设硅片坑，所述硅片坑内设有硅片。所述抛光头外周设有环向均布的多个限位块，所述限位块与抛光头之间分别设有第二垫块，所述第二垫块与抛光头相贴合。本申请通过锁销和限位块将陶瓷盘固定于抛光头底部，避免两者撞击产生颗粒，减少了颗粒与硅片表面摩擦造成表面不良的发生概率。
一种适用于硅片抛光夹具

[实用新型]一种提升晶圆曝光质量的装置-CN202320297707.8有效
发明人：陈礼梅;马成鸿;陈林;顾军魏 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种提升晶圆曝光质量的装置，属于集成电路制造技术领域。包括承片台，所述承片台设有mask板，所述mask板与承片台之间形成间隙，为工作腔体；晶圆设于承片台上，所述晶圆上盖设掩模版，所述掩模版搭设于mask板上；所述工作腔体与氮气管路和真空管路连通；所述氮气管路上设有三通电磁阀，所述真空管路上设有二通电磁阀；所述三通电磁阀和二通电磁阀分别与选择开关电连接，所述选择开关拨至接触式曝光时，氮气经氮气管路流入工作腔体，且工作腔体内的空气经真空管路抽离；所述选择开关拨至接近式曝光时，氮气经真空管路流入工作腔体底部。本申请一键切换，操作便捷，保证作业腔体保留了氮气，防止设备受损；提高了晶圆的曝光质量。
一种提升曝光质量装置

[实用新型]一种简易、高效、稳定的光刻匀胶胶泵系统-CN202320297793.2有效
发明人：龚宇科;顾军魏;戴杨;陈林 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B05C11/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种简易、高效、稳定的光刻匀胶胶泵系统，属于集成电路制造技术领域。包括液罐，所述液罐连接气管，所述气管上设有数显调压阀，所述数显调压阀通过PLC系统与胶泵home信号连锁，所述数显调压阀控制液罐内的压力，并对其压力进行监控后反馈于PLC系统，进而控制胶泵home信号导通或断开，使得胶泵系统在出胶准备状态和未准备状态下切换；所述液罐与出胶管连通，所述出胶管上设有回吸截止阀，所述回吸截止阀通过出胶控制系统控制打开或关闭，进而控制出胶管是否出胶。本申请成本低廉、结构简单易维护，保证了出胶状态的稳定，有效降低匀胶异常。
一种简易高效稳定光刻匀胶胶泵系统

[实用新型]一种半导体扩散炉湿氧氧化工艺用高效率气路连接系统-CN202320364865.0有效
发明人：王莹莹;吕伟;李泽炎;王旭;杨芳 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C30B31/16 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种半导体扩散炉湿氧氧化工艺用高效率气路连接系统，属于半导体技术领域。包括氢氧合成氧化单元和湿氧氧化单元，所述氢氧合成氧化单元和湿氧氧化单元出口分别与炉管连通，关闭所述氢氧合成氧化单元，打开所述湿氧氧化单元，实现湿氧氧化工艺；关闭所述湿氧氧化单元，打开所述氢氧合成氧化单元，实现氢氧合成氧化工艺。所述湿氧氧化单元包括多组烧水单元，多组所述烧水单元并联布置，所述烧水单元进口分别与氧气管连接，所述烧水单元出口分别与炉管连通。本申请能够在湿氧氧化工艺和氢氧合成氧化工艺之间无缝切换，无需人工对气路进行拆卸并短接；操作便捷，无需人工更换加热瓶，提高了操作人员的安全。
一种半导体扩散炉湿氧氧化工艺高效率连接系统

[实用新型]一种淀积设备高效率保养装置-CN202320364870.1有效
发明人：朱云彬;常俊;徐林;徐虎;王俊 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-02 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种淀积设备高效率保养装置，属于集成电路制造技术领域。包括底板，所述底板上设有腐蚀盖板，所述腐蚀盖板底部开设凹槽，所述腐蚀盖板边缘支撑于底板上，所述凹槽与底板之间的间隙作为腐蚀腔；所述腐蚀盖板上压设压紧块；所述腐蚀盖板上开设酸瓶孔，所述酸瓶孔内设有加酸瓶，所述加酸瓶出口与腐蚀腔连通，所述加酸瓶内的酸液流入腐蚀腔内并均匀覆盖于底板表面；所述底板上开设氮气孔单元，所述底板下方设有氮气吹扫装置；所述腐蚀盖板上设有排风单元，所述排风单元与腐蚀腔连通，所述排风单元将酸气外排。本申请结构简单，操作便捷，减少了底板腐蚀时间，减少了保养时间，提高了保养效率。
一种设备高效率保养装置

[实用新型]一种非悬臂桨作业下实现串级控温的卧式扩散石英炉管-CN202320458770.5有效
发明人：丁飞;沈烽;马金磊;周红伟;刘庆霞 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种非悬臂桨作业下实现串级控温的卧式扩散石英炉管，属于集成电路或分立器件芯片制造技术领域。包括炉管，所述炉管内穿设水平布置的套管，所述套管一端为密封端，所述套管另一端为开口端，所述套管开口端设有profile热电偶，所述profile热电偶设于炉管外；所述炉管内设置石英舟，所述石英舟上设有晶圆。所述炉管尾端上端开设套管孔，所述套管穿设套管孔，使得套管设于炉管内腔顶部。所述套管孔与套管相匹配。所述石英舟设于炉管内腔底部。本申请结构简单，实现了非悬臂桨作业方式下的串级控温，保证了扩散温度的精确性，又满足产品快速出炉要求。
一种悬臂作业实现串级控温卧式扩散石英炉管

[发明专利]一种MOSFET器件终端结构和制作方法-CN202310654448.4在审
发明人：鞠柯;孟军;陈烨;徐励远;许柏松 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-05 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOSFET器件终端结构和制作方法，终端结构包括元胞区，以及围绕元胞区的终端区，终端区包括沟槽分压环和掺杂截止环，沟槽分压环和掺杂截止环都位于衬底之上；沟槽分压环，位于终端区靠近元胞区的一端且向远离元胞区的另一端延伸，包括第二掺杂区，所述第二掺杂区上覆盖金属场板；掺杂截止环，位于终端区远离元胞区的一端，包括第四掺杂区，掺杂截止环上面覆盖金属场板；第二掺杂区和第四掺杂区都是通过注入扩散的方式形成；沟槽分压环与掺杂截止环之间为衬底。采用本终端结构可以避免耗尽区耗尽到划片道而形成漏电通道的同时，还能减小终端区的宽度。
一种 mosfet 器件终端结构制作方法

[发明专利]一种多重调制型终端结构的快恢复二极管及其制造方法-CN202310781724.3在审
发明人：邱健繁;朱瑞;许柏松;曹益;殷铭标;陈烨 -专利权人： 江苏新顺微电子股份有限公司
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明公开了一种多重调制型终端结构的快恢复二极管及其制造方法。一种多重调制型终端结构的二极管，包括从下至上依次设置衬底以及外延层，外延层的顶部中央设置有源区，有源区的外围设置有三个分压环，位于最外侧的分压环的外围连接有P‑环；外延层边缘区域设置有N+隔断环；终端结构区域的上方设置有半绝缘多晶硅层以及SiO2层；SiO2层上方设有间隔设置且从内至外依次覆盖有源区边缘、分压环以及N+隔断环边缘的多晶场板；N+隔断环上方的多晶场板、最外侧的分压环上方的多晶场板、有源区边缘上方的多晶场板以及有源区其余区域上方均覆盖有正面金属层。通过引入多重调制型终端结构，避免出现大曲率边缘电场集中带来提前击穿现象。
一种多重调制终端结构恢复二极管及其制造方法

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