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[发明专利]基板处理方法和基板处理系统-CN202280017172.2在审
发明人：佐藤好友;宫原理 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：基板处理方法包括蚀刻工序和研磨工序。在蚀刻工序中，对在与主面相反一侧的背面形成有膜的基板中的膜进行蚀刻。在研磨工序中，在蚀刻工序之后，对基板的背面进行研磨。
处理方法系统

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201811098677.8有效
发明人： 宫原理 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-09-20 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种对基板的研磨对象面均匀地进行研磨的基板处理装置、基板处理方法以及存储介质。在基板处理方法中，一边将研磨刷(29)推压于以水平姿势绕铅垂轴线旋转的基板(5)的研磨对象面，一边使研磨刷沿水平方向移动，由此对研磨对象面进行研磨，在所述基板处理方法中，一边使基板的转速和研磨刷的移动速度以如下方式变化一边进行研磨，该方式是伴随沿基板的径向测量得到的、从基板的旋转中心(O)起至研磨刷的中心(B)为止的距离增大，基板的转速阶段性或连续地变小，并且研磨刷的在基板的径向上的移动速度阶段性或连续地变小。
处理装置方法以及存储介质

[发明专利]基板处理装置和基板处理方法-CN202011495296.0在审
发明人： 宫原理 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-17 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，能够遍及基板的径向整体地抑制基板的损伤并对基板进行研磨。基板处理装置具备：保持部，其保持基板；旋转部，其使所述保持部旋转，来使所述基板与所述保持部一同旋转；液供给部，其向所述基板的主表面供给清洗液；研磨头，其对所述基板的所述主表面进行研磨；移动部，其将所述研磨头按压于所述基板的所述主表面，并使所述研磨头沿所述基板的径向进行扫描；以及控制部，其控制所述旋转部、所述液供给部以及所述移动部，所述控制部设定将所述基板的所述主表面沿所述基板的径向分割为多个区域的分割线，针对每个所述区域实施所述清洗液的供给和后续在停止供给所述清洗液的状态下使所述研磨头进行的扫描。
处理装置方法

[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及存储介质-CN201810893181.3在审
发明人： 宫原理 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-08-07 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及存储介质，用于防止在使基板的下表面干燥时处于干燥区域的外侧的液膜碎裂而产生液滴，并且防止微粒附着于卡盘构件及其周边的基板的下表面。基板处理方法包括：液处理工序，一边使基板旋转一边对基板的下表面供给处理液来进行液处理；以及干燥工序，在该液处理工序之后，一边对基板的下表面供给非活性气体一边进行基板的干燥处理。在干燥工序中，在开始进行干燥处理后且在基板的下表面中央部存在液膜的状态下(时间点T2～T3)，以第一供给流量(FR2)供给非活性气体，在基板的下表面中央部不再存在液膜后(时间点T3～T4)，以比第一供给流量少的第二供给流量(FR3)供给非活性气体。
下表面基板非活性气体供给流量基板处理液处理液膜基板处理装置存储介质干燥处理干燥工序对基板时间点中央部干燥区域基板旋转卡盘构件微粒附着碎裂处理液液滴

[外观设计]用于半导体制造装置的带有研磨部的洗涤刷-CN201730248387.7有效
发明人：篠原英隆;宫原理;久留巢健人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-06-16 - 公布日： 2017-12-12 - 主分类号： 04-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称用于半导体制造装置的带有研磨部的洗涤刷。2．本外观设计产品的用途本产品是一种刷子，该刷子在半导体制造装置中用于去除在对基板曝光等产生不良影响的基板内面形成的凸部或基板内面的附着物，其底面外周具有研磨部，其内侧具有洗涤部。洗涤部由可弹性变形的合成树脂等形成。将本产品按压于基板内面，在研磨部和洗涤部与基板内面相接触的状态下旋转本产品，由此能够去除基板内面的研磨和由研磨产生的研磨屑等。3．本外观设计产品的设计要点在于形状的设计。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片立体图。
用于半导体制造装置带有研磨洗涤