[发明专利]高分子结构体及具有该结构体的功能元件、和晶体管及使用该晶体管的显示装置有效

申请号：	02816879.8	申请日：	2002-08-29
公开（公告）号：	CN1550049A	公开（公告）日：	2004-11-24
发明（设计）人：	山原基裕;水崎真伸	申请（专利权）人：	夏普株式会社
主分类号：	H01L51/10	分类号：	H01L51/10;H01L29/78
代理公司：	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳;邸万杰
地址：	日本国大***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	功能元件包括一对电极1和4及具有空穴传导层5和电子传导层2的高分子结构体。此高分子结构体具有第一超分支高分子和第二超分支高分子，第一超分支高分子和第二超分支高分子中的至少任一种具有空穴传导性或电子传导性，该空穴传导层和电子传导层中的任一层含有第一超分支高分子和第二超分支高分子中的任一种，在空穴传导层、电子传导层和空穴传导层与电子传导层之间的至少一层上，具有通过第一超分支高分子或第二超分支高分子由于非共价键的相互作用形成的自组织结构。
搜索关键词：	高分子结构具有功能元件晶体管使用显示装置
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【主权项】：

1.一种高分子结构体，包括空穴传导层和电子传导层，其中：具有第一超分支高分子和第二超分支高分子，所述第一超分支高分子和所述第二超分支高分子中的至少任一种具有空穴传导性或者电子传导性，所述空穴传导层和所述电子传导层中的任一层含有所述第一超分支高分子和所述第二超分支高分子中的任一种，在所述空穴传导层、所述电子传导层及所述空穴传导层与所述电子传导层之间的至少一层中，具有通过所述第一超分支高分子或所述第二超分支高分子由于非共价键的相互作用形成的自组织结构。

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摘要：本发明属于有机半导体器件领域，具体涉及一种源漏电极和有机场效应晶体管器件及其制备方法。本发明提供的有机场效应晶体管器件用源漏电极表面设置有分子或聚合物修饰层，源漏电极材料为ITO，修饰层材料包含叔胺和/或仲胺结构，叔胺、仲胺在表面富集大量正电荷，从而降低功函数。修饰层修饰后，本发明提供的有机场效应晶体管器件用ITO源漏电极功函数降低，浸润性提高，有机场效应晶体管的迁移率显著提高、阈值电压显著降低。

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摘要：本公开提供了一种基于纳米材料的N型晶体管，包括：衬底层；半导体材料层，半导体材料层设置在衬底层上，以用于形成半导体沟道区；第一金属电极，第一金属电极设置在半导体材料层上以形成源电极；以及第二金属电极，第二金属电极设置在半导体材料层上以形成漏电极；其中，半导体材料层由纳米材料形成，金属电极的底部与半导体材料层接触，衬底层与半导体材料层之间设置有疏水性材料层，以避免金属电极的底部被氧化。本公开还提供一种集成电路器件及一种晶体管的制备方法。

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摘要：本发明公开了一种基于聚乙烯醇的有机场效应晶体管存储器及其制备方法，该存储器的结构自上而下依次包括源漏电极、有机半导体层、电荷存储层、栅绝缘层以及作为衬底的栅电极；其中，所述电荷存储层与所述栅绝缘层之间还设置有疏水薄膜层；所述疏水薄膜层是将疏水薄膜溶液旋涂于栅绝缘层上制备的，所述疏水薄膜溶液为聚四氟乙烯分散于水形成；所述电荷存储层是将聚乙烯醇溶液旋涂于所述疏水薄膜层上制备的。本发明通过旋涂的方式，在硅片与聚乙烯醇薄膜中间引入聚四氟乙烯薄膜，隔绝了PVA与硅片间的氢键作用力，阻碍了表面偶极子的形成，且旋涂后的聚四氟乙烯作为一层疏水薄膜，极大的提高了上层PVA薄膜质量，改善了PVA薄膜形貌。

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摘要：本公开提供一种微细的电极，其能使有机半导体不易经时变化而用于有机半导体器件的实际使用的集成电路的制造。本公开涉及一种源极/漏极用电极，其是有机半导体器件的源极/漏极用电极，该源极/漏极用电极包含10组以上的电极，所述各组的电极之间的沟道长度为200μm以下，所述各组的电极具有表面粗糙度Rq为2nm以下的面。

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摘要：本发明公开了一种溶液法制备OFET中顶接触源漏电极的方法。所述方法包括如下步骤：在OFET的半导体层表面制备亲疏水图案；然后利用银镜反应即在所述亲疏水图案上构筑源漏电极；构筑所述源漏电极的步骤如下：将葡萄糖溶液与银氨溶液的混合液滴加至所述亲疏水图案上，在所述亲疏水图案的亲水区得到银，即为所述源漏电极。本发明方法制备的银电极(源漏电极)可用于制备有机电子器件，如所述有机电子器件为OFET、反相器或振荡器等。

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摘要：本发明提出一种有机半导体基板。有机半导体基板包括基底、第一导电图案、第二导电图案、第一金属氧化物图案、第二金属氧化物图案、有机平坦图案层、源极、漏极、有机半导体图案、有机栅绝缘层及栅极。第一导电图案及第二导电图案设置于基底上且彼此分离。第一金属氧化物图案及第二金属氧化物图案分别覆盖且分别电性连接至第一导电图案及第二导电图案。有机平坦图案层的第一部设置于第一金属氧化物图案与第二金属氧化物图案之间。第一金属氧化物图案的表面与基底具有第一距离。有机平坦图案层的第一部的表面与基底具有第二距离。第二距离小于或等于第一距离。

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摘要：本发明公开了基于多巴胺的自聚电存储材料及其制备方法与在电存储器件中的应用，针对目前有机电存储材料的制备过程复杂，环境及高温稳定性差等问题，利用多巴胺的自聚合生成聚合物制备成三明治结构的有机电存储器件，成功实现了有机电存储行为，其制备过程中，将分子合成与器件制备同时完成，器件环境及高温稳定性好，对于有机电存储技术的研究走向以及实用价值具有重要意义。

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摘要：本发明提供了一种选通器，包括底电极、阻变层和顶电极。所述选通器的阻变层固定于底电极上，顶电极固定于阻变层上，底电极的组成材料为ITO导电玻璃，阻变层为钙钛矿薄膜，顶电极的组成材料为银，选通器结构简单，生产效率高，选通器开启速度快，具有较高开关比，通过简单的电场扫描刺激，可以促使银元素进入阻变层，进而提高选通器的阈值开关速度，具有稳定的双向阈值开关性能。本发明还提供了所述选通器的制备方法，包括清洗ITO导电玻璃；配制有机无机杂化钙钛矿溶液；通过旋涂工艺将有机无机杂化钙钛矿溶液旋涂于ITO导电玻璃上，形成钙钛矿薄膜；通过真空蒸发工艺在所述钙钛矿薄膜上沉积银电极。所述选通器的制备方法简单，成本低。

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摘要：本发明涉及一种制造有机晶体管的方法，所述方法包括以下步骤：在基底(1)上提供第一电极(2)，产生至少部分分配给所述基底(1)和/或至少部分分配给所述第一电极(2)的源极‑漏极绝缘体(3)，产生分配给所述源极‑漏极绝缘体(3)的第二电极(4)，在所述第一电极(2)、所述第二电极(4)和所述源极‑漏极绝缘体(3)上沉积有机半导体层(5)，产生分配给所述有机半导体层(5)的栅极绝缘体(6)，以及提供分配给所述栅极绝缘体(6)的栅极(7)。此外，本发明涉及一种有机晶体管。

一种硅烯三端异质结的谷电子过滤器件-201921024476.3
发明人：任重丹;吴娅 -专利权人：遵义师范学院
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2020-03-06 - 主分类号： H01L51/10
摘要：本实用新型涉及谷电子过滤技术领域，且公开了一种硅烯三端异质结的谷电子过滤器件，包括过滤器主体，所述过滤器主体的底部左右两侧均固定安装有数量为两个的支撑块，所述支撑块内开设有空腔，所述支撑块底部活动连接有贯穿支撑块并延伸至空腔内的活动杆，所述活动杆底部固定安装有位于支撑块底部的车轮，所述活动杆外套接有位于支撑块与车轮之间的第一弹簧，所述活动杆位于空腔内的一端固定安装有活动板。该硅烯三端异质结的谷电子过滤器件，解决了目前市场上的硅烯三端异质结的谷电子过滤器件不便于移动，而且在移动时没有有效的减震装置，容易在移动过程中造成谷电子过滤器件内部零件故障，给使用者带来极大的不便的问题。

超薄柔性有机电子器件制备与封装一体式结构设计和制备流程工艺-201911086973.0
发明人：林群 -专利权人：福仕保（江苏）新材料有限公司
申请日： 2019-11-08 - 公布日： 2020-02-25 - 主分类号： H01L51/10
摘要：本发明公开了一种超薄超高封装柔性有机电子器件制备工艺，与现有的有机电子器件制备与封装分开的设计与工艺相比，本专利新采用的整合式的设计和工艺拥有明显的先进性。本发明的整合式设计，主要利用相同光固化树脂和纳米涂层的多层封装工艺作为有机电子器件上下两层的封装固化结构，前后封装层的制备与有机电子器件制备工艺相结合。由于该设计采用可重复的统一流程极大减少多重封装过程和性能造成封装效果下降，还极大的降低了器件制备与封装过程相分离造成的低良品率的问题。同时，统一和规范化的封装结构必然降低设备成本，材料成本以及工艺成本，同时提高产品产量和寿命。尤其适合未来自动化，大批量，大面积的柔性有机电子器件生产。

一种光电子器件的封装结构-201920831600.0
发明人：孟豪 -专利权人：陕西理工大学
申请日： 2019-06-04 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L51/10
摘要：本实用新型公开了一种光电子器件的封装结构，包括器件主体、绝缘层和陶瓷基层，所述器件主体的输出端固定设置有连接引脚，所述绝缘层包覆器件主体的外壁设置，且绝缘层的外壁涂覆有陶瓷材料涂层，且陶瓷材料涂层的外部涂覆有UV胶固化涂层，所述连接引脚对应UV胶固化涂层套装有稳定块，所述UV胶固化涂层的外壁涂覆有陶瓷材料涂层二，且陶瓷材料涂层二的外部涂覆有紫外光化树脂层。该光电子器件的封装结构，具备有效对光电子器件封装，提高对光电子器件封装效果，延长光电子器件使用寿命的优点，解决了现有未封装的器件在大气环境中放置后会使得器件的性能逐渐降低，甚至完全失去性能，降低器件的使用寿命的问题。

包封薄膜-201680001681.0
发明人：金贤硕;柳贤智;文晶玉;梁世雨 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2016-02-17 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01L51/10
摘要：本申请提供了一种包封薄膜、包含该包封薄膜的有机电子装置以及使用该包封薄膜制造该有机电子装置的方法。具体地，本申请提供所述包封薄膜和包含该包封薄膜的有机电子装置，所述包封薄膜有效地阻隔了湿气或氧气从外部进入有机电子装置，并且具有优异的机械性能，如可操作性和加工性。

氧化石墨烯/石墨烯叠层透明导电薄膜及其制备和应用-201610080444.X
发明人：杜金红;贾帅;张志坤;张鼎冬;任文才;成会明 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2016-02-04 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： H01L51/10
摘要：本发明涉及高性能石墨烯基透明导电薄膜的设计、制备与应用领域，具体为一种氧化石墨烯/石墨烯叠层透明导电薄膜及其制备和应用。透明导电薄膜由透明基体和导电层组成，导电层由石墨烯和氧化石墨烯相互堆叠而成。首先通过转移在透明基体表面制作石墨烯薄膜，然后通过选择性氧化顶层、转移或者喷涂氧化石墨烯的方法获得氧化石墨烯/石墨烯叠层异质结构透明导电薄膜，最后通过重复以上过程和控制堆叠的次序获得具有不同堆叠结构的氧化石墨烯/石墨烯叠层异质结构透明导电薄膜。本发明的薄膜结构和制备方法简单，所得薄膜具有较高透明性、导电性、功函数和表面浸润性，广泛应用于有机发光二极管、有机太阳能电池和钙钛矿太阳能电池等光电器件领域。

专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择

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[发明专利]高分子结构体及具有该结构体的功能元件、和晶体管及使用该晶体管的显示装置有效

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