“N·卢贝”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]内燃发动机的控制方法-CN201980074943.X有效
发明人： Y·阿格努斯;H·慕斯;N·卢贝 -专利权人：纬湃科技有限责任公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： F02D41/38 文献下载
摘要：一种内燃发动机的控制方法，该内燃发动机设有燃料喷射器，燃料喷射器连接到由燃料泵供应燃料的燃料供应轨道，内燃发动机取决于运行点设定值而被控制，该方法包括以下步骤：‑确定是否接收到不同于当前运行点设定值的新运行点设定值，如果是这种情况，则根据内燃发动机转速、喷射的燃料量和公共喷射轨道中燃料压力的确定值来确定泵的最大容量，‑确定车辆的燃料消耗流量，‑从泵的最大容量中减去车辆的燃料消耗流量，以便获得燃料泵的剩余容量，‑确定在当前运行点和新运行点设定值的运行点之间的燃料流量差值，如果燃料泵的剩余容量小于燃料流量差值，则将减小的燃料流量梯度的设定值与新运行点设定值一起发出，或者限制喷射的燃料量。
内燃发动机控制方法

[发明专利]通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法-CN202310978953.4在审
发明人： P·莫林;N·卢贝 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法。描述了用于形成衬底的局域化的应变区域的方法和结构。沟槽可以在衬底的局域化区域的边界处形成。在局域化区域处的侧壁的上部部分可以由覆盖层覆盖，并且在局域化区域处的侧壁的下部部分可以不被覆盖。转变材料可以被形成为与局域化区域的下部部分和加热的衬底接触。加热可以将来自转变材料的化学种类引入到下部部分中，这在局域化区域中产生应力。所述方法可以用于形成应变沟道finFET。
通过使用凝聚形成局域衬底方法

[发明专利]自对准硅锗鳍式FET-CN201910456520.6在审
发明人： N·卢贝;P·莫林 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及自对准硅锗鳍式FET。一种自对准SiGe鳍式FET器件的特征在于经弛豫的具有高锗浓度的沟道区。初始地形成经弛豫的沟道以接受锗，而不是首先将锗引入该沟道然后尝试使所产生的应变膜弛豫。以此方式，可以在没有应变或损坏晶格的情况下确立锗的存在。在将锗引入到鳍晶格结构中之前，相对于多个本征硅鳍使栅极结构图案化，以确保栅极适当地对准。对准栅极结构之后，硅鳍被分段以使硅晶格弹性地弛豫。然后，将锗引入到经弛豫的硅晶格中，以产生基本上无应力并且也无缺陷的SiGe沟道。使用所描述的方法，在结构稳定的膜中得到的锗浓度可以增加到大于85％的水平。
弛豫自对准鳍式栅极结构硅晶格沟道硅锗引入对准结构稳定晶格结构本征硅沟道区图案化应变膜高锗硅鳍晶格分段

[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法-CN201910510155.2在审
发明人： N·卢贝;P·莫林;Y·米尼奥 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本公开的实施方式涉及拉伸性硅和压缩性硅锗的共整合。在此披露了其中的邻近的pFET和nFET的应变特性是独立可调的集成电路。这些pFET包括在硅衬底上的压缩性应变SiGe，而这些nFET包括在应变弛豫的SiGe衬底上的拉伸性应变硅。通过镶嵌工艺形成的多个电绝缘区将邻近的n型鳍式FET和p型鳍式FET分离。在这些绝缘区形成过程中，允许支撑这些n型器件的该SiGe衬底弹性地弛豫，由此限制在该SiGe衬底的晶格中形成缺陷。
衬底集成电路拉伸性压缩性鳍式邻近电绝缘区独立可调镶嵌工艺应变弛豫应变特性硅衬底绝缘区应变硅弛豫硅锗晶格整合支撑制造

[发明专利]通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法-CN201910005560.9在审
发明人： P·莫林;N·卢贝 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法。描述了用于形成衬底的局域化的应变区域的方法和结构。沟槽可以在衬底的局域化区域的边界处形成。在局域化区域处的侧壁的上部部分可以由覆盖层覆盖，并且在局域化区域处的侧壁的下部部分可以不被覆盖。转变材料可以被形成为与局域化区域的下部部分和加热的衬底接触。加热可以将来自转变材料的化学种类引入到下部部分中，这在局域化区域中产生应力。所述方法可以用于形成应变沟道finFET。
局域化区域衬底局域化转变材料侧壁弛豫加热衬底接触应变沟道应变区域边界处覆盖层覆盖凝聚引入

[发明专利]集成电路和制造集成电路的方法-CN201510834395.X有效
发明人： N·卢贝;P·莫林;Y·米尼奥 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开的实施方式涉及拉伸性硅和压缩性硅锗的共整合。在此披露了其中的邻近的pFET和nFET的应变特性是独立可调的集成电路。这些pFET包括在硅衬底上的压缩性应变SiGe，而这些nFET包括在应变弛豫的SiGe衬底上的拉伸性应变硅。通过镶嵌工艺形成的多个电绝缘区将邻近的n型鳍式FET和p型鳍式FET分离。在这些绝缘区形成过程中，允许支撑这些n型器件的该SiGe衬底弹性地弛豫，由此限制在该SiGe衬底的晶格中形成缺陷。
拉伸压缩性整合

[发明专利]自对准硅锗鳍式FET-CN201511001598.7有效
发明人： N·卢贝;P·莫林 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-12-28 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本披露涉及自对准硅锗鳍式FET。一种自对准SiGe鳍式FET器件的特征在于经弛豫的具有高锗浓度的沟道区。初始地形成经弛豫的沟道以接受锗，而不是首先将锗引入该沟道然后尝试使所产生的应变膜弛豫。以此方式，可以在没有应变或损坏晶格的情况下确立锗的存在。在将锗引入到鳍晶格结构中之前，相对于多个本征硅鳍使栅极结构图案化，以确保栅极适当地对准。对准栅极结构之后，硅鳍被分段以使硅晶格弹性地弛豫。然后，将锗引入到经弛豫的硅晶格中，以产生基本上无应力并且也无缺陷的SiGe沟道。使用所描述的方法，在结构稳定的膜中得到的锗浓度可以增加到大于85％的水平。
对准硅锗鳍式 fet

[发明专利]通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法-CN201510028204.0有效
发明人： P·莫林;N·卢贝 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-01-20 - 公布日： 2019-02-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及通过使用凝聚形成局域化的弛豫衬底的方法。描述了用于形成衬底的局域化的应变区域的方法和结构。沟槽可以在衬底的局域化区域的边界处形成。在局域化区域处的侧壁的上部部分可以由覆盖层覆盖，并且在局域化区域处的侧壁的下部部分可以不被覆盖。转变材料可以被形成为与局域化区域的下部部分和加热的衬底接触。加热可以将来自转变材料的化学种类引入到下部部分中，这在局域化区域中产生应力。所述方法可以用于形成应变沟道finFET。
通过使用凝聚形成局域衬底方法

[实用新型]集成电路和n型器件-CN201520954089.5有效
发明人： N·卢贝;P·莫林;Y·米尼奥 -专利权人：意法半导体公司
申请日： 2015-11-25 - 公布日： 2016-08-31 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开的实施方式涉及集成电路和n型器件。在此披露了其中的邻近的pFET和nFET的应变特性是独立可调的集成电路。这些pFET包括在硅衬底上的压缩性应变SiGe，而这些nFET包括在应变弛豫的SiGe衬底上的拉伸性应变硅。通过镶嵌工艺形成的多个电绝缘区将邻近的n型鳍式FET和p型鳍式FET分离。在这些绝缘区形成过程中，允许支撑这些n型器件的该SiGe衬底弹性地弛豫，由此限制在该SiGe衬底的晶格中形成缺陷。
集成电路器件

[发明专利]用于形成外延层的工艺-CN201210101667.1无效
发明人： D·迪塔特;Y·康皮德利;D·佩利谢尔-塔农;N·卢贝 -专利权人：意法半导体(克洛尔2)公司;意法半导体有限公司
申请日： 2012-04-01 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本公开涉及一种用于形成外延层的工艺。具体地，其涉及一种工艺，包括：(a)在单晶半导体结构(S，D)和在多晶半导体结构(G)上外延生长半导体材料层；(b)刻蚀所述外延层以便在所述单晶结构(S，D)上保留非零厚度的所述材料而在所述多晶结构(G)上保留零厚度；以及(c)利用相同的材料或利用不同的材料、分别从之前的步骤(b)获得的所述单晶结构(S，D)和所述多晶结构(G)，将步骤(a)重复至少一次，以及将步骤(b)重复至少一次，直至在所述单晶结构(S，D)上的外延层的层叠已达到期望厚度(EE)。
用于形成外延工艺

1
共 10 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top