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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]相变材料开关装置及其制造方法-CN202310730374.8在审
发明人：张国彬;丁裕伟;王怡情;黄国钦;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种相变材料开关装置及其制造方法，相变材料开关装置包括：半导体基板上方的底部介电层；设置于底部介电层上的第一加热器元件，第一加热器元件包含以第一热膨胀系数(CTE)为特征的第一金属元件；设置于第一加热器元件上的第二加热器元件，第二加热器元件包含以大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数为特征的第二金属元件；第一金属衬垫及第二金属衬垫；及包含PCM的PCM区，PCM可操作以回应于由第一加热器元件及第二加热器元件产生的热量而在非晶态与晶态之间切换，其中PCM区设置于第二加热器元件的顶表面之上，且气隙自三个侧面围绕第一加热器元件及第二加热器元件。
相变材料开关装置及其制造方法

[发明专利]选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列-CN202310463168.5在审
发明人：李泓儒;张国彬;丁裕伟;陈佑昇;陈庆恩;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种选择器结构、记忆体单元及记忆体阵列，选择器结构包含底部电极、第一切换膜和第一顶部电极。底部电极包含底部低热导率金属和第一底部高热导率金属。第一切换膜位于底部电极上且具有可通过电场切换的电阻率。第一顶部电极在第一切换膜上且包含第一顶部低热导率金属和第一顶部高热导率金属。
选择器结构记忆体单元阵列

[实用新型]记忆体装置-CN202321244651.6有效
发明人：谢玮庭;陈坤意;陈逸轩;丁裕伟;王怡情;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：一种记忆体装置，包括具有设置于两个电极之间的铁电薄膜的第一电容器，及具有设置于两个电极之间的另一介电薄膜的第二电容器。在第一电容器上施加第一电压，使得铁电薄膜极化，从而改变经由装置的有效电阻。在第一电容器上施加第二电压，使得泄漏电流通过铁电薄膜，并沿第二电容器的电极、及晶体管的栅极累积，从而影响对晶体管的漏极至源极电阻的改变，其可经量测以判定铁电薄膜的极化状态。
记忆体装置

[发明专利]相变材料开关元件、其制造方法及操作方法-CN202310704826.5在审
发明人：张国彬;李泓儒;丁裕伟;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供一种相变材料开关元件、其制造方法及操作方法。相变材料开关元件包含：底部介电层，位于半导体基材；加热元件，嵌设于底部介电层上，其中加热元件包含第一金属元素且是配置以对应电流产生热能，电流流经加热元件；自对准介电层，设置于加热元件上，其中自对准介电层包含第一金属元素的氧化物及第一金属元素的氮化物的一者，且自对准介电层与加热元件水平对准；相变材料区，设置于自对准介电层上，其中相变材料区包含相变材料。相变材料是可操作，以对应由加热元件所产生的热能在非结晶状态及结晶状态之间切换；以及两个金属垫，电性连接至相变材料区。
相变材料开关元件制造方法操作方法

[实用新型]半导体元件-CN202321242883.8有效
发明人： 丁裕伟;张国彬;李泓儒;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：揭示一种半导体元件。该半导体元件包括一半导体基板，及在该半导体基板上的一加热器元件，该加热器元件用以回应于流经该加热器元件的一电流产生热。该半导体元件亦包括具有一可程序化导电率的一导体材料，及在该加热器元件与该导体材料之间的一绝缘体层，其中该导体材料用以通过将一或多个电压差施加至该加热器元件及该导体材料中的一或多者来程序化，且其中该导体材料与该加热器元件之间的一电容用以由该些电压差控制，使得该电容在该导体材料在程序化中时比在该导体材料不在程序化中时低。
半导体元件

[实用新型]记忆体阵列及记忆体装置-CN202321205448.8有效
发明人：李泓儒;张国彬;丁裕伟;陈庆恩;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G11C5/02 文献下载
摘要：在各种实施例中提供一种记忆体阵列及记忆体装置。在那些实施例中，记忆体装置具有包括多层椭圆临限值切换(OTS)材料的OTS选择器，以实现用于OTS选择器的低漏电流及相对低的临限值电压。多层可以具有至少一层低带隙OTS材料及至少一层高带隙OTS材料。
记忆体阵列装置

[发明专利]存储器器件及其形成方法-CN202310602434.8在审
发明人：陈逸轩;陈坤意;王怡情;丁裕伟;涂国基;黄国钦;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：根据本发明的实施例形成存储器器件的方法包括：在第一晶圆的第一衬底中形成沟槽；在沟槽中沉积数据存储元件；对第一晶圆实施热处理以改进数据存储元件中的结晶；在第一衬底上方形成第一再分布层；在第二晶圆的第二衬底中形成晶体管；在第二衬底上方形成第二再分布层；以及在实施热处理之后将第一晶圆与第二晶圆接合。数据存储元件通过第一再分布层和第二再分布层电耦合至晶体管。本申请的实施例还涉及存储器器件。
存储器器件及其形成方法

[实用新型]半导体记忆体装置-CN202320575285.6有效
发明人：张国彬;丁裕伟;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B63/00 文献下载
摘要：本实用新型的一些实施例是关于一种半导体记忆体装置，特别是具有垂直堆叠的源极、漏极及栅极连接的嵌入式记忆体装置。半导体记忆体装置包括基板及在第一方向上延伸的通道材料支柱。位元线设置在通道材料支柱上方且耦接到通道材料支柱，并且在垂直于第一方向的第二方向上延伸。字线在通道材料支柱的相对侧上并且在第三方向上延伸。第三方向垂直于第二方向。介电层分离字线与通道材料支柱。源极线在基板上方且直接在字线之下在第三方向上延伸。可变电阻记忆体层在源极线与介电层的外侧壁之间，横向围绕通道材料支柱的侧壁。
半导体记忆体装置

[实用新型]半导体装置-CN202320285383.6有效
发明人：谢玮庭;陈坤意;陈逸轩;丁裕伟;王怡情;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：半导体装置包括底部电极、绝缘体层、半导体层、介电层、铁电层以及顶部电极。底部电极设置于基板上。绝缘体层设置于底部电极上，且具有不同厚度的多个区段。半导体层设置于绝缘体层上。介电层设置于半导体层上。铁电层设置于介电层上。顶部电极设置于铁电层上。
半导体装置

[发明专利]嵌入式晶体管-CN201410803553.0有效
发明人： 丁裕伟;蔡竣扬;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-12-22 - 公布日： 2019-07-19 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于电器件(诸如，DRAM存储单元)的嵌入式晶体管及其制造方法。沟槽形成在衬底中并且栅介质和栅电极形成在衬底的沟槽内。源极/漏极区形成在位于沟槽的相对两侧的衬底中。在实施例中，源极/漏极区的一个连接至存储节点而源极/漏极区的另一个连接至位线。在本实施例中，栅电极可连接至字线以形成DRAM存储单元。可将电介质生长改性剂注入到沟槽的侧壁内以调整栅介质的厚度。
嵌入式晶体管

[发明专利]用于改进的RRAM可靠性的金属线连接件、包括它的半导体布置及其制造方法-CN201410338629.7有效
发明人：蔡竣扬;丁裕伟;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2014-07-16 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种集成电路器件包括RRAM单元的阵列、用于RRAM单元的阵列的位线的阵列以及用于RRAM单元的阵列的源极线的阵列。源极线和位线都位于RRAM单元之上的金属互连层中。从而提供了具有比传统的引线尺寸更高的源极线，这使复位速度增大了约一个数量级。结果，RRAM晶体管的寿命和RRAM器件的耐久性提高了类似的程度。本发明提供用于改进的RRAM可靠性的金属线连接件、包括它的半导体布置及其制造方法。
用于改进 rram 可靠性金属线连接包括半导体布置及其制造方法

[发明专利]具有去耦的读/写路径的存储元件-CN201310253100.0有效
发明人： 丁裕伟;黄国钦;蔡竣扬 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-06-24 - 公布日： 2017-08-08 - 主分类号： G11C11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有去耦的读/写路径的存储元件，包括开关、连接在所述开关的栅极和第三线之间的电阻开关装置以及位于所述开关的栅极和第二线之间的传导路径，其中所述开关具有与第一线连接的第一端子和与第二线连接的第二端子。
具有路径存储元件

[发明专利]混合存储器-CN201310161151.0有效
发明人： 丁裕伟;蔡竣扬;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-03 - 公布日： 2017-07-21 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：双开关混合存储单元器件包括连接于第一开关的一个端子和第二开关的栅极之间的存储节点。该器件还包括连接至存储节点的电阻切换器件。当存储单元处于动态模式时，电阻切换器件通过被设置为高阻态用作电容。本发明还提供了混合存储器。
混合存储器

[发明专利]具有多等级单元的无形成电阻式随机存储器的结构和方法-CN201310234138.3有效
发明人：蔡竣扬;丁裕伟;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本发明提供用于操作多等级电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法的一个实施例，该存储器单元具有连接在一起的电流控制器件和RRAM器件。该方法没有“形成”步骤，并且包括通过电流控制器件控制电流等级中的一个将RRAM器件设定为电阻等级中的一个。设定RRAM器件包括对RRAM器件的顶部电极施加第一电压以及对RRAM器件的底部电极施加第二电压。第二电压高于第一电压。本发明还提供了具有多等级单元的无形成电阻式随机存储器的结构和方法。
具有等级单元形成电阻随机存储器结构方法

[发明专利]形成嵌入式存储器件的方法-CN201210518071.1有效
发明人： 丁裕伟;黄国钦;白志阳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-12-05 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明描述了一种形成存储器件的方法。该方法包括接收晶圆衬底，在该晶圆衬底上形成多晶硅堆叠图案，执行离子注入工艺，以在晶圆衬底中形成源极和漏极，在限定出的多晶硅堆叠图案中形成存储器栅极和控制栅极，以及在控制多晶硅堆叠图案中形成控制栅极。形成存储器栅极进一步包括实现存储器栅极凹部，以将存储器栅极埋置在氧化物层中。本发明还提供了一种形成嵌入式存储器件的方法。
形成嵌入式存储器件方法

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