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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]相变材料开关装置及其制造方法-CN202310730374.8在审
发明人：张国彬;丁裕伟;王怡情;黄国钦;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-06-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：一种相变材料开关装置及其制造方法，相变材料开关装置包括：半导体基板上方的底部介电层；设置于底部介电层上的第一加热器元件，第一加热器元件包含以第一热膨胀系数(CTE)为特征的第一金属元件；设置于第一加热器元件上的第二加热器元件，第二加热器元件包含以大于第一热膨胀系数的第二热膨胀系数为特征的第二金属元件；第一金属衬垫及第二金属衬垫；及包含PCM的PCM区，PCM可操作以回应于由第一加热器元件及第二加热器元件产生的热量而在非晶态与晶态之间切换，其中PCM区设置于第二加热器元件的顶表面之上，且气隙自三个侧面围绕第一加热器元件及第二加热器元件。
相变材料开关装置及其制造方法

[实用新型]记忆体装置-CN202321244651.6有效
发明人：谢玮庭;陈坤意;陈逸轩;丁裕伟;王怡情;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-22 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B53/30 文献下载
摘要：一种记忆体装置，包括具有设置于两个电极之间的铁电薄膜的第一电容器，及具有设置于两个电极之间的另一介电薄膜的第二电容器。在第一电容器上施加第一电压，使得铁电薄膜极化，从而改变经由装置的有效电阻。在第一电容器上施加第二电压，使得泄漏电流通过铁电薄膜，并沿第二电容器的电极、及晶体管的栅极累积，从而影响对晶体管的漏极至源极电阻的改变，其可经量测以判定铁电薄膜的极化状态。
记忆体装置

[实用新型]三维集成电路叠层-CN202320998612.9有效
发明人：黄建达;蔡竣扬;王怡情;黄国钦;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-27 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供一种三维集成电路叠层包括：第一管芯包括第一衬底和第一内连线结构。第二管芯接合到第一管芯并包括第二衬底和第二内连线结构，使得第一内连线结构和第二内连线结构布置在第一衬底和第二衬底之间。重布线叠层布置在第一管芯的与第一内连线结构相对的外侧。热路径包括从第一内连线结构中的导电层延伸穿过第一衬底并进入重布线叠层的衬底穿孔。重布线层介电材料包括在重布线叠层中，并将热路径与周围环境隔开。重布线层介电材料的热导率是第一内连线结构或第二内连线结构的内连线介电材料的热导率的二十倍以上。
三维集成电路

[发明专利]存储器器件及其形成方法-CN202310602434.8在审
发明人：陈逸轩;陈坤意;王怡情;丁裕伟;涂国基;黄国钦;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：根据本发明的实施例形成存储器器件的方法包括：在第一晶圆的第一衬底中形成沟槽；在沟槽中沉积数据存储元件；对第一晶圆实施热处理以改进数据存储元件中的结晶；在第一衬底上方形成第一再分布层；在第二晶圆的第二衬底中形成晶体管；在第二衬底上方形成第二再分布层；以及在实施热处理之后将第一晶圆与第二晶圆接合。数据存储元件通过第一再分布层和第二再分布层电耦合至晶体管。本申请的实施例还涉及存储器器件。
存储器器件及其形成方法

[发明专利]形成存储器器件的方法-CN202310131134.6在审
发明人：陈逸轩;陈坤意;王怡情;黄国钦;庄学理;陈佑昇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本申请的实施例公开了一种形成存储器器件的方法。根据本公开的方法包括在第一晶圆中形成多个晶体管并在第二晶圆中形成存储器阵列。第一晶圆的第一表面包括电耦接到晶体管的第一多个接合焊盘。存储器阵列包括多个铁电隧道结(FTJ)堆叠件。第二晶圆的第二表面包括电耦接到FTJ堆叠件的第二多个接合焊盘。该方法还包括对第二晶圆中的FTJ堆叠件执行热处理，并且在执行热处理之后，将第一晶圆的第一表面与第二晶圆的第二表面接合。晶体管通过第一多个接合焊盘和第二多个接合焊盘耦接到存储器阵列。
形成存储器器件方法

[实用新型]半导体装置-CN202320285383.6有效
发明人：谢玮庭;陈坤意;陈逸轩;丁裕伟;王怡情;黄国钦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：半导体装置包括底部电极、绝缘体层、半导体层、介电层、铁电层以及顶部电极。底部电极设置于基板上。绝缘体层设置于底部电极上，且具有不同厚度的多个区段。半导体层设置于绝缘体层上。介电层设置于半导体层上。铁电层设置于介电层上。顶部电极设置于铁电层上。
半导体装置

[实用新型]集成电路装置-CN202222680479.0有效
发明人： 王怡情;黄国钦;庄学理 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型实施例涉及一种集成电路装置，其通过在金属互连件中的金属化层之间插入金属层‑热电层‑金属层MPM结构来形成。交替施加及解除电场以诱发热电层的温度以循环及驱动传热。所述散热装置可相邻于功率管理集成电路PMIC中的热点放置且在所述PMIC在3D封装中时特别有用。在一些实施例中，所述MPM结构围绕电路配线插入。所述散热装置的互连件可替换虚设金属配线。
集成电路装置

[实用新型]一种鼠标垫-CN201520075582.X有效
发明人：陆承旺;林嘉;任英博;张庚渭;杨琼;牛蒙蒙;范嘉骏;王怡情;李源;杜梦 -专利权人：网易（杭州）网络有限公司
申请日： 2015-02-03 - 公布日： 2015-06-24 - 主分类号： G06F3/039 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种鼠标垫，包括鼠标垫主体、震动装置和电源输入线；在所述鼠标垫主体的下端部具有凸起的腕托；所述腕托包括并排设置的半球形的第一腕托和半球形的第二腕托；所述震动装置包括第一震动器和第二震动器，所述第一震动器安装在所述第一腕托的内部，所述第二震动器安装在所述第二腕托的内部；且所述第一震动器、所述第二震动器均与所述电源输入线电连接。采用本实用新型技术方案，腕托采用分体式设计，腕托与手腕的接触面积大，在鼠标垫上长时间使用鼠标不易疲劳，按摩效果良好。
一种鼠标垫

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