专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路和包括其的控制装置-CN201980031490.2在审
  • 金俊烨 - 株式会社LG化学
  • 2019-10-28 - 2020-12-22 - H03K17/16
  • 一种用于控制P沟道MOSFET的驱动器电路,包括:第一分压器,该第一分压器连接至P沟道MOSFET的源极端子;第一子晶体管,该第一子晶体管包括第一集电极端子、第一发射极端子和第一基极端子,该第一发射极端子被连接至第一分压器;第二子晶体管,该第二子晶体管包括第二集电极端子、第二发射极端子和第二基极端子,该第二发射极端子被连接至P沟道MOSFET的栅极端子,并且该第二基极端子被连接至第一连接节点;第三子晶体管,该第三子晶体管包括第三集电极端子、第三发射极端子和第三基极端子,该第三发射极端子被连接至第二发射极端子,并且该第三集电极端子被连接至接地;以及第三电阻器,该第三电阻器连接在第二集电极端子与第二发射极端子之间。
  • 用于控制沟道mosfet驱动器电路包括装置

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