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[发明专利]无曲率绝缘胶基板及其加工工艺-CN202310670088.7在审
发明人：张佰龙;刘广海;曲赫然;贾国;赵轶夫;何咏欣;叶千峰 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明公开一种无曲率绝缘胶基板及其加工工艺，该基板包括金属基板层、绝缘胶层和正面金属层，所述绝缘胶层涂覆于金属基板层上表面，所述正面金属层粘接于绝缘胶层上表面，于正面金属层上表面加工有多条线路，相邻线路之间具有蚀刻槽间隔，每条线路分别具有线面和线底，每条线路的线面线宽小于线底线宽，相邻的两条线路之线底呈弧形延伸于蚀刻槽底部，且绝缘胶层露出于蚀刻槽底部将相连两条线路之线底隔开。因此，通过将金属基板层、绝缘胶层和正面金属层层叠结合构成基板，该无曲率绝缘胶基板的曲率可调整为纯平，解决了大功率器件散热问题，提高了产品的运行稳定性，工艺简单，生产效率高，提高生产效率低，能够有效保证产品的一致性。
曲率绝缘胶基板及其加工工艺

[发明专利]抗单粒子烧毁高压快恢复二极管及其制造方法-CN202310198849.3在审
发明人：李环伟;田旭;宋吉昌;贾国;仇锐 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开一种抗单粒子烧毁高压快恢复二极管及其制造方法，快恢复二极管包括N型高阻层、N型缓冲层、氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层、氮化硅淀积层、正面电极金属层和背面电极金属层，所述N型高阻层位于N型缓冲层上方，所述氧化层、多晶场板层、TEOS淀积层和氮化硅淀积层依次层叠于N型高阻层上方；正面电极金属层下端位于引线孔中，上端凸出于引线孔外；所述背面电极金属层位于N型缓冲层下表面上。因此，通过在传统高压快恢复二极管的基础上，于材料片背面形成极宽的浓度渐变缓冲层，提升器件的雪崩击穿耐量；并通过终端场板场限环结构，搭配TEOS+氮化硅的复合钝化设计，有效的提升了芯片终端效率，并增加器件终端可靠性。
粒子烧毁高压恢复二极管及其制造方法

[发明专利]一种沟槽型双栅结构半导体器件制造方法-CN202310029917.3在审
发明人：张熠鑫;苏晓山;贾国;刘少博;卢昂 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本申请公开了一种沟槽型双栅结构半导体器件制造方法，采用沟槽结构和双栅结构相结合的方式，在纵向结构上，实现两个驱动栅极，使用多晶硅作为电极。在器件正向导通时，器件实际为PNP晶体管；在器件反向截止时，器件实际为NPN晶体管。本申请技术方案解决了现有的沟槽结构半导体无法实现低导通电阻、高压、高频的特性。
一种沟槽型双栅结构半导体器件制造方法

[发明专利]一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法-CN202310015042.1在审
发明人：张熠鑫;贾国;苏晓山;王大明;卢昂 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2023-01-04 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种改善SGT产品多晶形貌的制造方法，包括如下步骤：进行沟槽刻蚀，所述沟槽设置一拐点，所述拐点下部用于容纳多晶，所述拐点上部的沟槽宽度大于所述拐点下部的沟槽宽度；对沟槽依次进行氧化和多晶沉淀，然后进行退火处理；进行多晶刻蚀，形成多晶预期形貌；对整体结构进行氧化处理，使多晶异常部位完全氧化，并对产生的氧化层进行取出，得到多晶最终形貌。本申请技术方案解决了现有的SGT MOSFET多晶表面不平整导致产品失效的问题。
一种改善 sgt 产品多晶形貌制造方法

[发明专利]抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构-CN202110814800.7有效
发明人：贾云鹏;周新田;贾国;胡东青;吴郁;苏晓山 -专利权人：北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-03-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体领域，尤其涉及一种抗单粒子烧毁的超结MOS器件结构，包括源极金属、漏极金属、衬底、缓冲层、N柱、P柱、连接区组、栅极组、隔离氧化层及栅氧化层，所述衬底一端与漏极金属接触，另一端与缓冲层接触，所述P柱设置有两个，所述N柱设置在两P柱之间并分别与两P柱接触，两所述P柱与N柱的一端分别与缓冲层接触，所述连接区组设置有两个且对称设置，其中一所述连接区分别与源极金属、隔离氧化层及一P柱的另一端接触，另一所述连接区分别与源极金属、隔离氧化层及另一P柱的另一端接触，所述N柱的另一端分别与两连接区组及隔离氧化层接触，所述栅极组及栅氧化层设置在源极金属及隔离氧化层之间。
粒子烧毁 mos 器件结构

[发明专利]具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构-CN202110469803.1在审
发明人：李新宇;贾云鹏;周新田;贾国;赵元富;王大明;方星宇;王立昊;胡冬青;吴郁;邓中翰 -专利权人：北京工业大学;深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-04-28 - 公布日： 2021-07-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及MOS管结构技术领域，尤其涉及一种具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构，包括沟道二极管多晶硅、MOSFET栅极多晶硅及对称设置的第一栅氧化层与第二栅氧化层，所述沟道二极管多晶硅设置在第一栅氧化层内，所述MOSFET栅极多晶硅设置在第二栅氧化层内，所述沟道二极管多晶硅朝向MOSFET栅极多晶硅所对应的第一栅氧化层的厚度D1小于MOSFET栅极多晶硅朝向沟道二极管多晶硅所对应的第二栅氧化层的厚度D2。本发明的具有内嵌沟道二极管的分离栅MOS结构具有较小的反向开启电压，优化了反向电流震荡的问题，有利于解决目前SGTMOS技术的反向恢复能力较弱的技术问题，同时提升了产品的效率性，相较于并联体外二极管的方式，也降低了电路的复杂程度及生产成本。
具有沟道二极管分离 mos 结构

[实用新型]一种半导体器件防潮结构-CN202023161487.1有效
发明人：李明宇;苏晓山;王大明;贾国 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-07-13 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种半导体器件防潮结构，包括：衬底和形成于所述衬底表面的阱，所述阱内形成所需的器件，所述器件的上表面低于所述阱的上表面，所述器件周边的衬底形成一圈隔离区。本实用新型的半导体器件防潮结构，将器件形成于阱内，而阱周围的衬底形成所述器件的隔离区，该设计有效防止了外部环境对于器件的干扰，利用其自身结构实现器件的防潮效果。与现有的芯片级防潮结构相比，不需要通过挖槽工艺做复杂的防潮环，降低了工艺复杂度和生产成本。而且由于本半导体器件防潮结构在芯片级即满足可靠性的要求，故在封装时无需做复杂的封装，一般采用WLP晶圆级封装方式，即将器件直接贴装到基板或印刷电路板上，其在减小成品管芯尺寸的同时，也大大降低了封装成本。
一种半导体器件防潮结构

[实用新型]一种具有电流检测能力的功率MOSFET-CN202023165105.2有效
发明人：卢昂;王修中;贾国 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2020-12-23 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有电流检测能力的功率MOSFET，包括：基层，设置在所述基层上的栅极、源区、漏极；所述源区包括：大源区，与所述大源区间隔设置的电流检测区；所述电流检测区上设置有金属引出端，所述大源区的有效面积为S1，所述电流检测区的有效面积为S2，所述S2小于所述S1。本实用新型无需单独设置电流检测电路，从而避免额外的功耗，从而提高整体电路的效率；测出的IS1不受温度影响，精度较高，误差小，使得MOSFET具有较强的电流检测能力，实用性强。
一种具有电流检测能力功率 mosfet

[发明专利]平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法-CN202110137004.4在审
发明人：苏晓山;贾国;卢昂;李明宇;王大明 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种平面与沟槽相结合场效应半导体器件制造方法，包括如下步骤：步骤S 1：在N型硅片表面沉积氧化硅并进行光刻刻蚀；步骤S2：去除部分氧化硅以形成沟槽刻蚀窗口，并进行沟槽刻蚀；步骤S3：去除N型硅片表面的氧化硅并对N型硅片的表面进行氧化形成氧化硅，并在氧化硅上再沉积一层氧化硅，并在上一层的氧化硅上沉积多晶硅；步骤S4：刻蚀步骤S3中的多晶硅及多晶硅下的两层氧化硅，进行栅氧化，沉积多晶硅，在多晶硅上沉积氧化硅；步骤S5：进行多晶硅的光刻刻蚀，再进行氧化硅的刻蚀，刻蚀出P‑注入窗口；步骤S6：进行P‑注入及推结；步骤S7：刻蚀出N+注入窗口并进行N+注入及退火。
平面沟槽相结合场效应半导体器件制造方法

[发明专利]一种抗辐射VDMOS器件及其制备方法-CN201810407331.5有效
发明人：黄学龙;贾云鹏;刘广海;贾国 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2018-05-02 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例涉及电子器件领域，公开了一种抗辐射VDMOS器件的制备方法，包括以下步骤：提供高掺杂衬底；在所述高掺杂衬底上外延第一低掺杂外延层；在所述第一低掺杂外延层远离所述高掺杂衬底的一侧注入N次氢离子，并在每次注入氢离子后退火激活，在所述第一低掺杂外延层内形成自靠近所述高掺杂衬底一侧向远离所述高掺杂衬底一侧递减的掺杂浓度分布，其中，N≧3；在所述第一低掺杂外延层上外延第二低掺杂外延层；在所述第二低掺杂外延层远离所述第一掺杂外延层一侧形成源极、漏极和栅极。本发明还提供了一种抗辐射VDMOS器件。本发明提供的抗辐射VDMOS器件及其制备方法，能够同时增大负阻转折临界电流和二次击穿电压，从而提高抗SEB能力。
低掺杂外延层高掺杂衬底抗辐射制备氢离子电子器件领域二次击穿电压掺杂外延层临界电流浓度分布后退火次氢负阻漏极源极递减离子掺杂激活转折

[实用新型]抗辐射功率场效应晶体管-CN201820445531.5有效
发明人：贾国;刘广海;苏晓山;张熠鑫 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2018-03-31 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型涉及半导体制造领域，公开了一种抗辐射功率场效应晶体管。本实用新型中，该抗辐射功率场效应晶体管包括：具有沟道的基底以及设置在沟道上的栅极结构，栅极结构包括依次叠设在沟道上的氧化层、介质层、多晶硅栅极层、隔离层和电极层，隔离层包覆多晶硅栅极层、并将多晶硅栅极层与电极层隔离开，氧化层包括正对并覆盖沟道的中央区域以及自中央区域延伸至基底上的非沟道区域的边缘区域，中央区域的厚度大于边缘区域的厚度。本实用新型实施方式提供的抗辐射功率场效应晶体管，其抗辐射能力得以提高。
抗辐射功率场效应晶体管沟道多晶硅栅极层本实用新型中央区域边缘区域栅极结构电极层隔离层氧化层基底半导体制造领域沟道区域介质层包覆正对隔离延伸覆盖

[发明专利]抗总剂量辐射的功率场效应晶体管及其制造方法-CN201810414142.0在审
发明人：黄学龙;贾云鹏;贾国;刘广海 -专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
申请日： 2018-05-03 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明实施例涉及半导体制造领域，公开了一种抗总剂量辐射的功率场效应晶体管及其制造方法。该抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法，包括：提供具有硅基有源区的晶片、并氧化硅基有源区的表面形成遮蔽层；经由遮蔽层向硅基有源区内注入氮离子形成掺氮硅区，注入的氮离子的离子束能量范围为50KeV至110KeV，注入的氮离子的剂量范围为1*1011cm‑3至1*1013cm‑3；除去遮蔽层；氧化掺氮硅区形成凸出于硅基有源区表面的掺氮氧化硅介质层；在掺氮氧化硅介质层上依次形成多晶硅栅极层、隔离层和电极层。本发明提供的抗总剂量辐射的功率场效应晶体管制造方法制造的功率场效应晶体管的抗总剂量辐射能力强，可靠性高。
功率场效应晶体管抗总剂量辐射遮蔽层硅基源区制造掺氮氧化硅掺氮硅氮离子介质层半导体制造领域多晶硅栅极层离子束能量注入氮离子表面形成氧化硅基电极层隔离层能力强晶片

[实用新型]套管防磨套-CN201820079360.9有效
发明人：王东;贾国;李世博 -专利权人：绵阳市威源石油技术有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： E21B17/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了套管防磨套，防磨套的模具分型面设置在防磨套的中部，防磨套的支撑棱外壁由第一斜部和第二斜部构成。本实用新型的套管防磨套，通过将支撑棱外壁分隔为第一斜部和第二斜部，进一步的，将支撑棱外壁分隔为第一斜部和第二斜部以及其中间的第一直部，使得可以从中间向两边脱模，减小了脱模脱模阻力，结果就是将原本为了脱模而设置的脱模斜度融入产品设计之中，创造性的得到了新的产品结构，保证在使用过程中的受力均衡；防磨套的支撑棱外壁由对称的斜面构成，使用中，先接触的区域为支撑棱外壁上的斜面顶点或斜面之间的第一直部，产品径向受力均衡，同时由原来的面、线接触变成点接触，大大减少在套管中的摩擦阻力。
防磨套斜部支撑棱外壁套管脱模本实用新型分隔模具分型面产品设计径向受力摩擦阻力受力均衡脱模斜度斜面顶点点接触线接触减小产品结构对称两边均衡融入保证

[实用新型]一种石油钻杆套管防磨套-CN201820079453.1有效
发明人：王东;贾国;李世博 -专利权人：绵阳市威源石油技术有限公司
申请日： 2018-01-18 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： E21B17/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种石油钻杆套管防磨套，防磨套的模具分型面设置在防磨套的中部，防磨套的支撑棱外壁上固定有凸包，凸包呈圆周设置。本实用新型的一种石油钻杆套管防磨套，通过将防磨套的模具分型面设置在防磨套的中部，使得可以从中间向两边脱模，减小了脱模阻力，结果就是无需设置脱模斜度，保证在使用过程中的受力均衡；防磨套的支撑棱外壁上固定有凸包，凸包呈圆周设置，产品在使用中，先接触的区域为支撑棱外壁上的凸包，产品径向受力均衡，同时由原来的面、线接触变成多点接触，大大减少在套管中的摩擦阻力，并增加产品的可靠性和寿命，有效改善防磨效果。
防磨套凸包套管石油钻杆支撑棱外壁本实用新型模具分型面圆周设置脱模多点接触径向受力摩擦阻力受力均衡脱模斜度线接触防磨减小两边均衡保证

[实用新型]一种油气井深钻用简易式套管保护器拆卸系统-CN201720315399.1有效
发明人：王东;贾国;李世博 -专利权人：绵阳市威源石油技术有限公司
申请日： 2017-03-29 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： B25B27/02 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种油气井深钻用简易式套管保护器拆卸系统，结构包括撑开钳、上定位平板、下定位基座和右端部支撑立柱；下定位基座左侧端设置有轨道式基台，轨道式基台上设置小车式组装平台，小车式组装平台可在轨道式基台上左右滑移；撑开钳的手持端部设置有上端部连杆和下端部连杆，上端部连杆固定至上定位平板上，下端部连杆通过电动气缸连接至下定位基座上；小车式组装平台正上方设置有手动拔销机构。本实用新型实现了套管保护器快速拆卸，提高了拆卸效率，减少了将套管保护器从钻杆上拆卸下来的所需的时间，降低了作业人员的工作强度，保证了套管保护器的完好性，提高了套管保护器的使用寿命。
一种油气井深钻用简易套管保护拆卸系统

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