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[发明专利]原子层蚀刻方法和装置-CN201780087253.9有效
发明人：戴维·史密斯;索斯藤·利尔;安德烈亚斯·费希尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于对衬底的表面执行原子层蚀刻的方法，其包括：通过将所述衬底的所述表面暴露于表面转化反应物来执行表面转化操作；通过将所述衬底的所述表面暴露于含有配体的反应物来执行配体交换操作；执行解吸操作，从而从所述衬底的所述表面除去表面物质；执行清扫操作；重复所述表面转化操作、所述配体交换操作、所述解吸操作和所述清扫操作，进行预定数量的循环。
原子蚀刻方法装置

[发明专利]利用低温晶片温度的离子束蚀刻-CN201910836307.8有效
发明人： 索斯藤·利尔;伊凡·L·贝瑞三世;安东尼·里奇 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-02-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及利用低温晶片温度的离子束蚀刻。本文的实施方式涉及用于在半导体衬底中蚀刻特征的方法和装置。在许多情况下，可在形成自旋扭矩转移随机存取存储器(STT‑RAM)装置的同时蚀刻特征。在各种实施方式中，在特定的处理步骤期间衬底可经由冷却的衬底支撑件被冷却到低温。冷却的衬底支撑件可在减少所得器件中扩散相关的损伤程度方面具有有益的影响。此外，在某些其它处理步骤期间使用未冷却的衬底支撑件同样可在减少扩散相关的损伤方面具有有益的影响，具体取决于特定步骤。在一些实施方式中，冷却的衬底支撑件可用于在衬底的某些部分上优先沉积材料(在一些情况下为反应物)的工艺中。所公开的实施方式可用于实现高质量的各向异性蚀刻结果。
利用低温晶片温度离子束蚀刻

[发明专利]高密度、受控的集成电路工厂-CN202080029571.1在审
发明人： 索斯藤·利尔;马里施·格雷戈尔;坎迪·克里斯托弗森 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种高密度、受控的集成电路工厂，其具有占用工厂地面空间约三分之二的处理模块，而剩余的三分之一工厂地面空间用于服务所述处理模块，并用于向所述处理模块装载晶片和从所述处理模块卸载晶片。在所述工厂地面下方提供有底层地面，以允许服务升降机跨所述工厂行进。可以将服务升降机提升到工厂地面水平面以服务处理模块。也在所述处理模块上方提供有架空线，以跨所述工厂运输服务物品和晶片。
高密度受控集成电路工厂

[发明专利]用于高深宽比蚀刻的等离子体蚀刻工具-CN202080021021.5在审
发明人： 索斯藤·利尔;伊凡·L·贝里三世;西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：利用等离子体蚀刻设备以蚀刻高深宽比特征，该等离子体蚀刻设备可以在使低能量的反应性物质的负离子加速与使高能量的惰性气体物质的正离子加速之间交替进行。该等离子体蚀刻设备可被分成至少两个区域，其将等离子体产生空间与离子化空间分隔开。在等离子体产生空间中点燃等离子体时，可通过离子化空间中的电子附着离子化而产生反应性物质的负离子。在等离子体产生空间中等离子体熄灭时，可通过离子化空间中的潘宁离子化而产生惰性气体物质的正离子。
用于高深蚀刻等离子体工具

[发明专利]用于蚀刻反应器的涡轮分子泵和阴极组件-CN202080021549.2在审
发明人： 索斯藤·利尔;马里施·格雷戈尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-03-13 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：提供了一种蚀刻半导体衬底的处理室和方法。该处理室是对称的，其中用于保持半导体衬底的台架的卡盘和杆部的中心线与位于泵的芯部中的通道的中心线以及与气体端口的中心线对准，该泵用于将处理室抽气，而气体通过该气体端口而被引导至处理室。杆部延伸穿过通道，且螺旋沟槽被形成在通道中且仅形成在杆部或芯部的内表面中的一者中，以提供泵抽作用，以抵销气体在介于杆部与芯部之间的间隙内以中间且粘性流动的状态从泵的排气口进行的回流。
用于蚀刻反应器涡轮分子阴极组件

[发明专利]利用侧壁清洁的离子束蚀刻-CN202080017660.4在审
发明人： 索斯藤·利尔;伊凡·L·贝瑞三世 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-02-26 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：图案化的磁阻随机存取存储器(MRAM)堆叠件通过进行主蚀刻蚀穿设置在衬底上的多个MRAM层而形成，其中该主蚀刻包含使用离子束蚀刻(IBE)。在主蚀刻之后，将间隙填充介电材料沉积至图案化的MRAM堆叠件之间的空间中，并且选择性蚀刻间隙填充介电材料或以其他方式形成间隙填充介电材料至下层深度上方的蚀刻深度。在形成间隙填充介电材料之后，通过进行IBE修整蚀刻移除沉积在图案化的MRAM堆叠件的侧壁上的间隙填充介电材料和任何导电材料中的至少一些。
利用侧壁清洁离子束蚀刻

[发明专利]具有预成型纤丝的电阻式随机存取存储器-CN202080010893.1在审
发明人：尹衡石;索斯藤·利尔;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-01-13 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：一种用于制造多个电阻式随机存取存储器(RRAM)单元的方法包括：提供衬底，其包括布置在底层上的存储器介质；在所述存储器介质中建立通道孔，其具有1nm至20nm范围内的第一关键尺寸；在所述通道孔中沉积定义所述RRAM单元的纤丝的转换材料；在所述存储器介质和所述转换材料上沉积所述RRAM单元的顶电极；以及通过蚀刻所述通道孔中的相邻者之间的所述顶电极以及所述存储器介质，以分隔所述RRAM单元中的相邻者。
具有成型纤丝电阻随机存取存储器

[发明专利]一种用于在衬底上执行原子层蚀刻(ALE)的方法-CN202110082157.3在审
发明人：安德列亚斯·费希尔;索斯藤·利尔;理查德·雅内克;约翰·博尼法斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在衬底上执行原子层蚀刻(ALE)的方法，其包括以下操作：在所述衬底的表面上执行表面改性操作，所述表面改性操作配置为将所述衬底表面的至少一个单层转化为改性层；在所述衬底表面上执行去除操作，所述去除操作被配置为从所述衬底表面去除所述改性层，其中去除所述改性层包括将所述衬底表面暴露于金属络合物，使得所述配体交换反应发生在所述金属络合物与所述改性层的经转化的物质之间；在所述去除操作之后，在所述衬底表面上执行等离子体处理，所述等离子体处理被配置为去除从所述衬底表面暴露于所述金属络合物中形成的残留物，其中所述残留物通过所述等离子体处理而挥发；重复前述操作，直到已经从所述衬底表面蚀刻预定厚度。
一种用于衬底执行原子蚀刻 ale 方法

[发明专利]三端子存储器设备的自对准竖直集成-CN201980070832.1在审
发明人： 索斯藤·利尔;沈美华;约翰·霍昂;吴惠荣;格伦·古纳万;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储器结构包含存储器单元和多个氧化物层以及多个字线层。所述多个氧化物层和所述多个字线层在第一方向上交替堆叠。多个双沟道孔在所述第一方向上延伸贯穿所述多个氧化物层和所述多个字线层。所述多个双沟道孔在横向于所述第一方向的第二方向上具有花生状的截面。
端子存储器设备对准竖直集成

[发明专利]集成原子级工艺：ALD（原子层沉积）和ALE（原子层蚀刻）-CN202011156060.4在审
发明人：克伦·雅各布斯·卡纳里克;杰弗里·马克斯;哈梅特·辛格;萨曼莎·坦;亚历山大·卡班斯凯;杨文斌;特塞翁格·金姆;丹尼斯·M·豪斯曼;索斯藤·利尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2016-01-12 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及集成原子级工艺：ALD(原子层沉积)和ALE(原子层蚀刻)，具体提供了用于通过在同一室或反应器中进行两个工艺集成原子层蚀刻和原子层沉积的方法。所述方法涉及在蚀刻过程中依次交替原子层蚀刻和原子层沉积工艺以保护特征免受劣化，改善选择性以及对半导体衬底的敏感层进行封装。
集成原子工艺 ald 沉积 ale 蚀刻

[发明专利]差动泵送反应气体喷射器-CN201811027616.2有效
发明人：伊凡·L·贝瑞三世;索斯藤·利尔;肯尼思·里斯·雷诺兹 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2015-08-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本文提供了一种差动泵送反应气体喷射器，具体提供了一种可用于从表面去除材料的工艺，该工艺为离子蚀刻。在某些情况下，离子蚀刻涉及输送离子和反应气体两者到衬底。所公开的实施方式允许以局部高压强的方式输送反应气体到衬底，而将在衬底的局部高压强输送区之外的部分保持低得多的压强。低压强是通过下列方式来实现的：将高压强反应物输送限制在小区域，并当过量的反应物和副产物离开该小区域时以及在过量的反应物和副产物进入较大的衬底处理区之前抽吸走它们。所公开的技术可以用于提高产量，同时使存在于衬底处理区中的离子和其他物质之间的有害的碰撞降低到最小程度。
差动反应气体喷射器

[发明专利]电子激励原子层蚀刻-CN201980046595.5在审
发明人：伊凡·L·贝瑞三世;索斯藤·利尔;安德烈亚斯·费希尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：公开了用于执行原子层蚀刻的设备及方法。一种方法可以包含：对所述衬底上的材料的一或更多个表面层进行改性；以及使所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层暴露于电子源，从而在没有使用等离子体的情况下移除所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层。一种设备可包含处理室、处理气体单元、电子源以及控制器，该控制器具有配置以导致下列步骤的指令：致使该处理气体单元使该第一处理气体流至该室内部中的衬底，该第一处理气体被配置成对该衬底上的材料的一或更多层进行改性；以及致使该电子源产生电子，并使该衬底上的经改性的该一或更多表面层暴露于所述电子，在没有使用等离子体的情况下将经改性的该一或更多表面层移除。
电子激励原子蚀刻

[发明专利]使用等离子体和蒸气处理的组合对AL2-CN201710117229.7有效
发明人：安德列亚斯·费希尔;索斯藤·利尔;理查德·雅内克;约翰·博尼法斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及使用等离子体和蒸气处理的组合对AL2O3进行原子层蚀刻。一种用于在衬底上执行原子层蚀刻(ALE)的方法，其包括以下方法操作：在衬底的表面上执行表面改性操作，所述表面改性操作配置为将所述衬底表面的至少一个单层转化为改性层；在衬底表面上执行去除操作，所述去除操作被配置为从所述衬底表面去除所述改性层，其中去除所述改性层通过被配置为使所述改性层挥发的配体交换反应来进行；在所述去除操作之后，在所述衬底表面上执行等离子体处理，所述等离子体处理被配置为从所述衬底表面去除通过所述去除操作产生的残留物，其中所述残留物通过所述等离子体处理而挥发；重复前述操作，直到已经从所述衬底表面蚀刻掉预定厚度。
使用等离子体蒸气处理组合 al base sub

[发明专利]原子层蚀刻3D结构：水平和竖直表面上Si和SiGe和Ge平滑度-CN201710064610.1有效
发明人：萨曼莎·坦;杨文兵;克伦·雅各布斯·卡纳里克;索斯藤·利尔;潘阳 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-02-04 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及原子层蚀刻3D结构：水平和竖直表面上Si和SiGe和Ge平滑度。本文描述了用于通过化学吸附、通过沉积或通过化学吸附和沉积机理两者与氧化物钝化结合来使用原子层蚀刻在衬底上蚀刻半导体材料的方法和装置。涉及使用化学吸附机理的原子层蚀刻的方法包括将半导体材料暴露于氯以将氯化学吸附到所述衬底表面上，以及将改性表面暴露于氩气以去除所述改性表面。涉及使用沉积机理的原子层蚀刻的方法包括将半导体材料暴露于含硫气体和氢气以沉积并由此改性衬底表面并去除改性表面。
原子蚀刻结构水平竖直表面上 si sige ge 平滑

[发明专利]预测在热蚀刻与原子层蚀刻中的蚀刻特性-CN201980030046.9在审
发明人： 索斯藤·利尔;安德烈亚斯·费希尔;伊凡·L·贝瑞三世;尼莉莎·苏·德雷格;理查德·A·戈奇奥 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：使用机器学习模型预测热蚀刻反应中的蚀刻。使用量子力学模拟来识别给定热蚀刻反应的一或多个反应路径中的蚀刻工艺的化学特性和相关能量。指示蚀刻特性的标签可与给定热蚀刻反应的化学特性和相关能量相关联。机器学习模型可使用化学特性和相关能量作为自变量以及使用标签作为不同类型的许多不同蚀刻反应的因变量来进行训练。当在机器学习模型中提供新的热蚀刻反应的化学特性和相关能量作为输入时，机器学习模型可准确地预测新的热蚀刻反应的蚀刻特性作为输出。
预测蚀刻原子中的特性

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