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[发明专利]一种用于在衬底上执行原子层蚀刻(ALE)的方法-CN202110082157.3在审
发明人：安德列亚斯·费希尔;索斯藤·利尔;理查德·雅内克;约翰·博尼法斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于在衬底上执行原子层蚀刻(ALE)的方法，其包括以下操作：在所述衬底的表面上执行表面改性操作，所述表面改性操作配置为将所述衬底表面的至少一个单层转化为改性层；在所述衬底表面上执行去除操作，所述去除操作被配置为从所述衬底表面去除所述改性层，其中去除所述改性层包括将所述衬底表面暴露于金属络合物，使得所述配体交换反应发生在所述金属络合物与所述改性层的经转化的物质之间；在所述去除操作之后，在所述衬底表面上执行等离子体处理，所述等离子体处理被配置为去除从所述衬底表面暴露于所述金属络合物中形成的残留物，其中所述残留物通过所述等离子体处理而挥发；重复前述操作，直到已经从所述衬底表面蚀刻预定厚度。
一种用于衬底执行原子蚀刻 ale 方法

[发明专利]使用等离子体和蒸气处理的组合对AL2-CN201710117229.7有效
发明人：安德列亚斯·费希尔;索斯藤·利尔;理查德·雅内克;约翰·博尼法斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-02-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及使用等离子体和蒸气处理的组合对AL2O3进行原子层蚀刻。一种用于在衬底上执行原子层蚀刻(ALE)的方法，其包括以下方法操作：在衬底的表面上执行表面改性操作，所述表面改性操作配置为将所述衬底表面的至少一个单层转化为改性层；在衬底表面上执行去除操作，所述去除操作被配置为从所述衬底表面去除所述改性层，其中去除所述改性层通过被配置为使所述改性层挥发的配体交换反应来进行；在所述去除操作之后，在所述衬底表面上执行等离子体处理，所述等离子体处理被配置为从所述衬底表面去除通过所述去除操作产生的残留物，其中所述残留物通过所述等离子体处理而挥发；重复前述操作，直到已经从所述衬底表面蚀刻掉预定厚度。
使用等离子体蒸气处理组合 al base sub

[发明专利]原子层蚀刻中方向性的控制-CN201880013855.4在审
发明人：安德烈亚斯·费希尔;索斯藤·利尔;理查德·雅内克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种在衬底上执行原子层蚀刻(ALE)的方法，其包括以下操作：在衬底表面上执行表面改性操作，所述表面改性操作被配置为将所述衬底表面的至少一个单层转化为改性层，其中在所述表面改性操作期间施加偏置电压，所述偏置电压被配置为控制通过所述表面改性操作转化的所述衬底表面的深度；在所述衬底表面上执行去除操作，所述去除操作被配置为从所述衬底表面至少去除所述改性层的部分，其中经由被配置为使所述改性层的所述部分挥发的配体交换反应来实现去除所述改性层的所述部分。在去除操作之后，可以执行等离子体处理以从衬底表面去除残留物。
衬底表面去除表面改性改性层蚀刻偏置电压配置原子层等离子体处理配体交换反应操作期间控制提供衬底单层挥发转化施加