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[发明专利]原子层蚀刻方法和装置-CN201780087253.9有效
发明人：戴维·史密斯;索斯藤·利尔;安德烈亚斯·费希尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种用于对衬底的表面执行原子层蚀刻的方法，其包括：通过将所述衬底的所述表面暴露于表面转化反应物来执行表面转化操作；通过将所述衬底的所述表面暴露于含有配体的反应物来执行配体交换操作；执行解吸操作，从而从所述衬底的所述表面除去表面物质；执行清扫操作；重复所述表面转化操作、所述配体交换操作、所述解吸操作和所述清扫操作，进行预定数量的循环。
原子蚀刻方法装置

[发明专利]钼的原子层蚀刻-CN202180019410.9在审
发明人： 安德烈亚斯·费希尔;亚伦·林恩·鲁查恩;索斯藤·贝恩德·莱尔;塞沙萨耶·瓦拉达拉简 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2021-03-02 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：通过执行一或多个蚀刻循环而以高度可控方式来蚀刻钼，其中每一循环涉及将具有钼层的半导体衬底暴露于含氧反应物，以形成氧化钼，接着以三氯化硼进行处理，以将氧化钼转化成挥发性的氧氯化钼，接着以含氟反应物来处理衬底，以将在前一个反应中形成的氧化硼从衬底表面去除。在一些实施方案中，本方法是在无等离子体情况下执行且导致基本各向同性蚀刻。本方法可用在半导体处理的各种应用中，例如用于3D NAND制造中的字线隔离。
原子蚀刻

[发明专利]电子激励原子层蚀刻-CN201980046595.5在审
发明人：伊凡·L·贝瑞三世;索斯藤·利尔;安德烈亚斯·费希尔 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-07-03 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：公开了用于执行原子层蚀刻的设备及方法。一种方法可以包含：对所述衬底上的材料的一或更多个表面层进行改性；以及使所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层暴露于电子源，从而在没有使用等离子体的情况下移除所述衬底上的经改性的所述一或更多个表面层。一种设备可包含处理室、处理气体单元、电子源以及控制器，该控制器具有配置以导致下列步骤的指令：致使该处理气体单元使该第一处理气体流至该室内部中的衬底，该第一处理气体被配置成对该衬底上的材料的一或更多层进行改性；以及致使该电子源产生电子，并使该衬底上的经改性的该一或更多表面层暴露于所述电子，在没有使用等离子体的情况下将经改性的该一或更多表面层移除。
电子激励原子蚀刻

[发明专利]预测在热蚀刻与原子层蚀刻中的蚀刻特性-CN201980030046.9在审
发明人：索斯藤·利尔;安德烈亚斯·费希尔;伊凡·L·贝瑞三世;尼莉莎·苏·德雷格;理查德·A·戈奇奥 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2019-04-23 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：使用机器学习模型预测热蚀刻反应中的蚀刻。使用量子力学模拟来识别给定热蚀刻反应的一或多个反应路径中的蚀刻工艺的化学特性和相关能量。指示蚀刻特性的标签可与给定热蚀刻反应的化学特性和相关能量相关联。机器学习模型可使用化学特性和相关能量作为自变量以及使用标签作为不同类型的许多不同蚀刻反应的因变量来进行训练。当在机器学习模型中提供新的热蚀刻反应的化学特性和相关能量作为输入时，机器学习模型可准确地预测新的热蚀刻反应的蚀刻特性作为输出。
预测蚀刻原子中的特性

[发明专利]金属氧化物原子层刻蚀-CN201880062640.1在审
发明人： 安德烈亚斯·费希尔;尼莉莎·德雷格 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-07-30 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供了一种用于在半导体衬底上蚀刻金属氧化物层的方法，该方法包括提供多个循环。每个循环包括将金属氧化物层暴露于反应性含氢气体或等离子体中，以将金属氧化物层的一部分转化成金属氢化物层，停止将金属氧化物层暴露于反应性含氢气体或等离子体中，将金属氢化物层加热到至少升华温度以升华金属氢化物层，并且将金属氧化物层冷却到低于升华温度的温度。
金属氧化物原子刻蚀

[发明专利]原子层蚀刻中方向性的控制-CN201880013855.4在审
发明人： 安德烈亚斯·费希尔;索斯藤·利尔;理查德·雅内克 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2018-02-26 - 公布日： 2019-10-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种在衬底上执行原子层蚀刻(ALE)的方法，其包括以下操作：在衬底表面上执行表面改性操作，所述表面改性操作被配置为将所述衬底表面的至少一个单层转化为改性层，其中在所述表面改性操作期间施加偏置电压，所述偏置电压被配置为控制通过所述表面改性操作转化的所述衬底表面的深度；在所述衬底表面上执行去除操作，所述去除操作被配置为从所述衬底表面至少去除所述改性层的部分，其中经由被配置为使所述改性层的所述部分挥发的配体交换反应来实现去除所述改性层的所述部分。在去除操作之后，可以执行等离子体处理以从衬底表面去除残留物。
衬底表面去除表面改性改性层蚀刻偏置电压配置原子层等离子体处理配体交换反应操作期间控制提供衬底单层挥发转化施加

[发明专利]减少晶片倒角上的硅化物的形成-CN201280022095.6有效
发明人： 安德烈亚斯·费希尔;威廉·斯科特·贝斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2012-05-01 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：提供了一种用于防止在晶片倒角上形成金属硅化物材料的方法，其中，所述晶片倒角包围所述晶片的中央区域。将所述晶片放置在倒角等离子体处理室中。在所述晶片倒角上沉积保护层。将所述晶片从所述倒角等离子体处理室中移除。在所述晶片的所述中央区域的至少一部分上沉积金属层，其中，所述金属层的一部分被沉积在所述保护层上。形成半导体器件，同时防止在所述晶片倒角上形成金属硅化物。
减少晶片倒角硅化物形成

[发明专利]电动架空式沙团输送装置-CN94190156.4无效
发明人：尤多·泰奇;安德烈亚斯·费希尔 -专利权人：巴马格股份公司
申请日： 1994-03-24 - 公布日： 1995-08-09 - 主分类号： B65H67/06 文献下载
摘要：将纺纱机之纱团经由控制站运送抵达终点站之电动架空式输送装置；该纺纱机包括多个加工位置，且多个纱团可分别在该加工位置形成两两相邻之直线排列，并以此方式完成包捆卷绕之作业；在该纺纱机及控制站之间的输送路线被切断而以其部分长度由一中断站所连通，而前述纱团即以前述排列配置方式沿在该包捆加工位置与中继站间之线路进行输送转移，并在抵达该中继站后，纱团改以一平面式之配置方式重新排列并被装载於一控制输送器中；另一部分之输送线路则由该中继站起延伸经过一控制站直至一终点站为止。
电动架空式沙团输送装置

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