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[发明专利]用于测量生物信号的传感器-CN201110257763.0有效
发明人： A·K·A·伊洛斯塔洛;M·J·卡尔;O·K·萨维宁 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-08-26 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： A61B5/00 文献下载
摘要：一种用于测量生物信号的传感器，包括至少一个电极，所述电极包括柔性非导电材料基底、用于传输电信号的导电层、用于传输电信号的凝胶层和用于保护所述导电层和传输电信号的阻挡层。所述阻挡层沉积在所述基底上。所述导电层沉积在与所述凝胶层接触的阻挡层区域之外的阻挡层区域上。所述凝胶层设置在所述阻挡层上，使得所述凝胶层只覆盖部分所述阻挡层。
用于测量生物信号传感器

[发明专利]用于高性能射频应用的传输线-CN201280053027.6有效
发明人： S.L.佩蒂-威克斯;G.张;H.B.莫迪 -专利权人：天工方案公司
申请日： 2012-05-07 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： H01L23/66 文献下载
摘要：一种这样的传输线可以包括配置用于接收RF信号的接合层、阻挡层、扩散阻挡层和紧邻扩散阻挡层的导电层。所述扩散阻挡层可以具有允许所接收的RF信号穿透扩散阻挡层到达导电层的厚度。在某些实施例中，扩散阻挡层可以是镍。在这些实施例的一些中，传输线可以包括金接合层、钯阻挡层和镍扩散阻挡层。
用于性能射频应用传输线

[发明专利]晶圆的检测方法和检测设备-CN202010148408.9有效
发明人：丁小叶;王思聪;周毅 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-03-05 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：该检测方法包括：在待检测晶圆的表面形成阻挡层；其中，所述阻挡层用于阻挡检测光信号；向所述阻挡层的表面照射所述检测光信号；接收所述阻挡层反射所述检测光信号得到的反射光信号；根据所述反射光信号，确定所述晶圆的表面形貌信息
检测方法设备

[发明专利]阻挡层-CN200880118993.5有效
发明人： C·P·克卢格;S·斯托尔兹 -专利权人：陶瓷技术股份公司
申请日： 2008-12-04 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01M8/02 文献下载
摘要：为防止这种影响，根据本发明提出，在电解质(1)与阳极(2)之间和/或电解质(1)与阴极(3)之间布置阻挡层(5)并且该阻挡层(5)由具有开孔和/或者闭孔(6)的区域组成，并且通过由此产生的支架形成功能上用于扩散的贯通路径
阻挡

[发明专利]阻挡层-CN201080036506.8无效
发明人：凯文·V·克劳斯特;斯蒂夫·墨菲 -专利权人：第一太阳能有限公司
申请日： 2010-08-17 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：一种制造光伏模块的方法可以包括：利用涂覆材料涂覆基底的一部分；在所述基底的边缘的至少一部分上沉积阻挡材料层；以及使所述阻挡材料层固化，其中，所述阻挡材料层有效地作为对所述涂覆材料的阻挡件。
阻挡

[发明专利]研磨垫及其形成方法、研磨监测方法-CN201610297881.7有效
发明人：曹均助;刘洪涛 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-05-06 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： B24B37/11 文献下载
摘要：一种研磨垫及其形成方法、研磨监测方法，其中研磨垫包括：研磨层，所述研磨层具有相对的第三表面和第四表面，所述第四表面用于研磨待研磨面；阻挡层，嵌在研磨层内，所述阻挡层与第四表面之间的距离大于零，所述阻挡层适于给出更换研磨垫的信号由于所述研磨垫具有阻挡层，所述阻挡层适于给出更换研磨垫的信号，使得对研磨垫的有效利用率最大化。
研磨及其形成方法监测

[实用新型]一种金锡合金薄膜电路的金属膜系-CN202121638757.5有效
发明人：杜晶 -专利权人：四川科尔威光电科技有限公司
申请日： 2021-07-19 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H01L27/01 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种金锡合金薄膜电路的金属膜系，包括基片层，所述基片层上覆盖有第一金属层，所述第一金属层上覆盖有第二金属阻挡层，所述第二金属阻挡层上覆盖有第三金属信号传输层，所述第三金属信号传输层上覆盖有第四金属阻挡层，所述第四金属阻挡层上覆盖有第五金锡合金层，通过在第三信号传输层上覆盖有第四金属阻挡层，实现对第三信号传输层的扩散阻止，并延长金锡合金的质量比例保持时间，也即延长共晶时间，进而金锡合金可通过电沉积的方式制作，有效提高金锡合金层的稳定性。
一种合金薄膜电路金属膜

[发明专利]显示面板及其制作方法、显示装置-CN201980002256.7在审
发明人：程博;董向丹;颜俊;都蒙蒙;杨双宾 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
申请日： 2019-11-01 - 公布日： 2021-07-02 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：显示面板包括衬底基板(100)、第一阻挡部(200)、封装层(300)和触控信号线(400)。第一阻挡部(200)位于周边区(102)，第一阻挡部(200)包括第一阻挡层(210)和第二阻挡层(220)；封装层(300)覆盖第一阻挡部(200)；触控信号线(400)位于封装层(300)上，且覆盖第一阻挡部第一阻挡层(210)包括第一子阻挡部(211)和第二子阻挡部(212)，第二子阻挡部(212)位于第一子阻挡部(211)与第二阻挡层(220)之间，第二子阻挡部(212)的最大尺寸不大于第一子阻挡部(211在第一阻挡层中形成尺寸不同的第一子阻挡部和第二子阻挡部，可以降低触控信号线之间发生短路的几率。
显示面板及其制作方法显示装置

[发明专利]TFT器件及其制备方法、TFT阵列基板-CN201910669734.1在审
发明人：罗传宝 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2019-07-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种TFT器件及其制备方法、TFT阵列基板，本发明中遮光层设置阻挡层，阻挡金属层中铜离子扩散到缓冲层和有源层中，阻挡层中还增设刻蚀阻挡层，防止在缓冲层使用氟系氧化性气体干刻信号过孔时，造成金属层中铜离子被氟系氧化性气体氧化，提高TFT器件性能稳定性，源极通过信号过孔和遮光层电性连接，消除TFT阈值电压漂移。
信号过孔缓冲层铜离子遮光层阻挡层氟系制备阈值电压漂移刻蚀阻挡层性能稳定性氧化性气体阻挡金属层电性连接氧化性气金属层体干源层源极增设扩散

[发明专利]渗透阻挡层-CN201610152573.5在审
发明人： J·拉姆 -专利权人：欧瑞康贸易股份公司（特吕巴赫）
申请日： 2009-01-26 - 公布日： 2016-06-22 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：氢渗透阻挡物的制备方法，包括以下步骤a)在基体(SUB)上沉积包括至少一个层(L1；L2；L3)的层系统(LS)；其特征在于步骤a)包括以下步骤：b)沉积至少一个包括至少三元氧化物的氢阻挡层(HPBL)该装置包括可密封的容积和形成限定所述容积的边界的至少一部分的壁，其中所述壁包括氢渗透阻挡物，其包括包含至少一个层的层系统，其中所述层系统包括至少一个包括至少三元氧化物的氢阻挡层(HPBL)。优选地，所述至少三元氧化物基本上由Al、Cr和O组成，所述沉积所述至少一个氢阻挡层(HPBL)是使用物理气相沉积方法(特别是阴极电弧蒸发方法)进行的。优选地，步骤a)包括在所述基体(SUB)上沉积以下中的至少一个：粘合层(AdhL)、氢储存层(HStL)、保护层(ProtL)(特别是热阻挡层(ThBL)、扩散阻挡层(DBL)、氧化阻挡层(OxBL)、化学阻挡层(ChBL)、耐磨损层(WRL))。
渗透阻挡

[发明专利]过孔阻挡层-CN201480083592.6有效
发明人： R·胡拉尼;M·克雷萨克;F·格瑟特莱恩;R·A·布雷恩;M·T·博尔 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-12-23 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：公开了用于使在给定互连层内的选定过孔绝缘或电隔离的技术，所以导电布线可在那些选定隔离过孔之上跳过以到达在该同一层中的其它过孔或互连。这样的过孔阻挡层可按需要选择性地实现在给定互连内的任何数量的位置中。还提供用于形成过孔阻挡层的技术，包括第一方法，其使用牺牲钝化层来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层；第二方法，其使用湿凹进聚合物制剂的旋涂来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层；以及第三方法，其使用纳米粒子制剂的旋涂来便于绝缘体材料的选择性沉积，该绝缘体材料形成过孔阻挡层。
阻挡

[发明专利]无机阻挡层-CN201380064334.9有效
发明人：潘君友;安德里亚斯·克吕什奇 -专利权人：默克专利有限公司
申请日： 2013-11-19 - 公布日： 2018-06-12 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及包含具有宽带隙的材料的电致发光器件及其用途。
电致发光器件无机阻挡层宽带隙

[发明专利]氧化阻挡层-CN201480072105.6有效
发明人：尤尔根·拉姆;弗洛里安·塞伯特;贝诺·维德里希;多丽丝·佛普斯婆丽 -专利权人：欧瑞康表面处理解决方案股份公司普费菲孔
申请日： 2014-10-31 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明涉及在工件基材上制造氧化阻挡层的方法，其中，该氧化阻挡层借助物理气相沉积(PVD)来制造并且是氧化物，所述氧化物与该工件的未涂覆表面是材料近似的。
氧化阻挡

[发明专利]渗透阻挡层-CN200980103083.4无效
发明人： J·拉姆 -专利权人：欧瑞康贸易股份公司(特吕巴赫)
申请日： 2009-01-26 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：氢渗透阻挡物的制备方法，包括以下步骤a)在基体(SUB)上沉积包括至少一个层(L1；L2；L3)的层系统(LS)；其特征在于步骤a)包括以下步骤：b)沉积至少一个包括至少三元氧化物的氢阻挡层(HPBL)该装置包括可密封的容积和形成限定所述容积的边界的至少一部分的壁，其中所述壁包括氢渗透阻挡物，其包括包含至少一个层的层系统，其中所述层系统包括至少一个包括至少三元氧化物的氢阻挡层(HPBL)。优选地，所述至少三元氧化物基本上由Al、Cr和O组成，所述沉积所述至少一个氢阻挡层(HPBL)是使用物理气相沉积方法(特别是阴极电弧蒸发方法)进行的。优选地，步骤a)包括在所述基体(SUB)上沉积以下中的至少一个：粘合层(AdhL)、氢储存层(HStL)、保护层(ProtL)(特别是热阻挡层(ThBL)、扩散阻挡层(DBL)、氧化阻挡层(OxBL)、化学阻挡层(ChBL)、耐磨损层(WRL))。
渗透阻挡

[发明专利]信号线的制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置-CN201310056045.6有效
发明人：阎长江;谢海征;陈磊;徐少颖;谢振宇 -专利权人：北京京东方光电科技有限公司
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2013-06-12 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种信号线的制作方法、薄膜晶体管、阵列基板及显示装置，用以解决现有技术中因栅极和源极、漏极存在一定重合而产生耦合电容的问题。所述方法包括在基板上依次沉积用于制作信号线的材料层、用于制作第一阻挡层的材料层和用于制作第二阻挡层的材料层；通过干法刻蚀构图工艺，制得所述第一阻挡层和所述第二阻挡层；同一干法刻蚀条件下，用于制作第一阻挡层的材料的横向刻蚀速度大于用于制作第二阻挡层的材料的横向刻蚀速度；通过湿法刻蚀构图工艺制得信号线，形成具有多层绝缘层结构的薄膜晶体管，细化了栅极的宽度，缩小了栅极和源极、漏极的重合区域，增大了栅极的电容，提高了薄膜晶体管的传输速度，改善了薄膜晶体管的沟道特性。
信号线制作方法薄膜晶体管阵列显示装置

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