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[发明专利]用于增加图像的位深的系统和方法-CN201580035992.4有效
发明人：安德鲁·伊安·拉塞尔 -专利权人：谷歌有限责任公司
申请日： 2015-07-27 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： G06T5/00 文献下载
摘要：处理具有第一位深的图像包括：执行位深增强操作的两次或者更多次迭代，所述位深增强操作将所述图像的所述位深增加到高于所述第一位深的第二位深。所述位深增强操作包括：将所述图像划分为多个区域，执行边缘检测操作以识别所述多个区域中不包含边缘特征的一个或者多个区域，并且将模糊应用到所述多个区域中不包含边缘特征的所述一个或者多个区域。在所述位深增强操作的第一次迭代中，所述多个区域包括第一数量的区域，并且包括在所述多个区域中的区域的数量随所述位深增强操作的每次后续迭代而减少。
用于增加图像系统方法

[发明专利]高压侧驱动器的半导体结构及其制造方法-CN200610143387.1有效
发明人：蒋秋志;黄志丰 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：离子掺杂接面包括一基板、一第一深阱、一第二深阱、一第一重离子掺杂区域及一第二重离子掺杂区域。第一深阱及第二深阱彼此部分连接形成于基板内，且第一深阱及第二深阱具有相同离子掺杂型态。于第一深阱内形成用以连接第一高电压的第一重离子掺杂区域，且第一重离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。于第二深阱内形成用以连接第二高电压的第二重离子掺杂区域，且第二重离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。
高压驱动器半导体结构及其制造方法

[实用新型]高压侧驱动器的半导体结构-CN200620157129.4无效
发明人：蒋秋志;黄志丰 -专利权人：崇贸科技股份有限公司
申请日： 2006-11-02 - 公布日： 2007-11-28 - 主分类号： H01L27/04 文献下载
摘要：离子掺杂接面包括一基板、一第一深阱、一第二深阱、一第一重离子掺杂区域及一第二重离子掺杂区域。第一深阱及第二深阱彼此部分连接形成于基板内，且第一深阱及第二深阱具有相同离子掺杂型态。于第一深阱内形成用以连接第一高电压的第一重离子掺杂区域，且第一重离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。于第二深阱内形成用以连接第二高电压的第二重离子掺杂区域，且第二重离子掺杂区域具有与第一深阱相同的离子掺杂型态。
高压驱动器半导体结构

[发明专利]基于构造分区的复杂山区深埋特长隧道的深孔布置方法-CN202211619047.7有效
发明人：邵江;程强;袁泉;牟琦;魏安辉 -专利权人：四川省公路规划勘察设计研究院有限公司;四川省通川工程技术开发有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/13 文献下载
摘要：本申请提供一种基于构造分区的复杂山区深埋特长隧道的深孔布置方法，通过获取待勘察隧道所在隧址区的地质信息，建立隧址区的地质构造格架，并确定构造分区；然后基于所述构造分区，确定出n个深孔布置规划区域，从n个深孔布置规划区域中确定出兼顾各个构造分区的m个深孔布置目标区域，并在每个深孔布置目标区域内布置一个深孔。此种方式可以利用构造分区，作为布设深孔的区域（深孔布置规划区域）选择指标，能够很好地考虑到实际深埋特长隧道的情况，尽可能布设勘察效果更佳、勘察成本更低的深孔，且此种方式可以有效减少对勘察人员的经验依赖。
基于构造分区复杂山区特长隧道布置方法

[发明专利]印制电路板的背钻钻深的确定方法-CN202110138759.6有效
发明人：李凯;周振华;雷鹏;刘果;余海华;吴飞;钟根带 -专利权人：广州广合科技股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H05K3/00 文献下载
摘要：本申请是关于一种印制电路板的背钻钻深的确定方法。该方法包括：基于PCB的实际尺寸和背钻孔坐标得到背钻孔的区域信息；根据背钻孔的区域信息调用钻深补偿值与初始钻深相加，得到该背钻孔的目标钻深。本申请提供的方案，能够基于背钻孔的坐标识别出背钻孔在PCB上的区域信息，从而依据不同区域对应的钻深补偿值进行目标钻深的计算，从而满足PCB板边区域和板中间区域不同的背钻深度要求。
印制电路板背钻钻深确定方法

[发明专利]具有不同电压域的公共深N阱的半导体器件及其形成方法-CN202210241256.6在审
发明人：线怀鑫;严章英;孟庆超 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司;台积电（南京）有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本公开涉及具有不同电压域的公共深N阱的半导体器件及其形成方法。一种半导体器件包括：第一导电类型的衬底；和单元区域，该单元区域包括：第二导电类型的深阱；具有第二导电类型的第一非深阱和第二非深阱，第一非深阱和第二非深阱在衬底的对应第一部分和第二部分中，衬底的第一部分和第二部分在深阱中；和第一晶体管区域、第二晶体管区域、第三晶体管区域和第四晶体管区域。第一晶体管区域和第二晶体管区域对应地在第一非深阱和第二非深阱中并且包括第一导电类型的第一晶体管。第三晶体管区域和第四晶体管区域在衬底的处于深阱中的第三部分和第四部分中并且包括具有第二导电类型的第二晶体管。
具有不同电压公共半导体器件及其形成方法

[发明专利]一种点焊熔核质量评定方法-CN201810970967.0在审
发明人：叶结和;徐野;韩晓辉;刘勇;王素环 -专利权人：中车青岛四方机车车辆股份有限公司
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： G01C11/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种点焊熔核质量评定方法，包括以下步骤：步骤一，沿点焊试样的焊点中心剖开，并拍照获得熔核形貌照片；步骤二、根据获得的熔核形貌照片画出最小熔深区域连线、缺陷允许区域连线和最大熔深区域连线；步骤三，根据画出的最小熔深区域连线、缺陷允许区域连线和最大熔深区域连线判断熔核质量是否合格，若熔核的断面轮廓线位于最小熔深区域连线和最大熔深区域连线之间，且熔核的缺陷位于缺陷允许区域连线内，则熔核质量合格，否则
一种点焊核质评定方法

[发明专利]一种硅台面深槽结构的制备方法-CN202310784539.X在审
发明人：钟立志;刘学明;谢强;刘燕 -专利权人：北京时代民芯科技有限公司;北京微电子技术研究所
申请日： 2023-06-29 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅台面深槽结构的制备方法，包括：将清洗后的硅晶圆的表面依次形成氧化硅膜和氮化硅膜，其中，氧化硅薄膜和氮化硅薄膜组成深槽腐蚀掩蔽膜；对形成深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行光刻工艺定义深槽结构区域；通过刻蚀工艺去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜；将去除深槽结构区域的深槽腐蚀掩蔽膜的硅晶圆进行烘烤；将烘烤后的硅晶圆进行硅槽腐蚀；对硅槽腐蚀后的硅晶圆的深槽结构区域外的深槽腐蚀掩蔽膜进行腐蚀得到硅台面深槽结构
一种台面结构制备方法

[发明专利]包括电感器的射频集成电路及其制造方法-CN201510303450.2在审
发明人：崔祯训 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2015-06-04 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：一种射频集成电路(RFIC)包括：衬底；N型深阱区域，其设置在衬底的上部区域中，并且具有与衬底的顶表面共面的顶表面；电感器，其设置在N型深阱区域之上；以及绝缘层，其设置在电感器与N型深阱区域之间，其中电感器通过绝缘层与N型深阱区域电绝缘。
包括电感器射频集成电路及其制造方法

[发明专利]针对深孔衬底上进行光刻工艺的方法-CN201010027214.X有效
发明人：朱治国;何伟明;魏芳 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-05 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种针对深孔衬底上进行光刻工艺的方法，包括如下步骤：(1)在深孔衬底上涂布填充材料；(2)回刻去除深孔外填充材料；(3)涂布光刻胶，曝光显影去除离子注入区域的光刻胶及深孔中的填充材料；(4)在离子注入区域进行离子注入；(5)光刻胶剥离；(6)用显影液和去离子水清洗去除非离子注入区域深孔中的填充材料。该方法可以确保离子注入区域深孔被显影干净并同时在剥胶过程中非离子注入区域深孔中光刻胶被剥离干净。
针对衬底进行光刻工艺方法

[实用新型]一种多功能深松机-CN202122967630.4有效
发明人：戴跃辉;马春晓;孟繁锃;李义 -专利权人：龙江县三丰机械制造有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： A01B35/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种多功能深松机，涉及深松机的技术领域，解决了车体无法对地势不平缓的区域进行深松作业，深松作业的深度不一致，难以达到作业标准，对驾驶人员产生一定的危险性，深松机功能单一，仅能用于深松作业的问题，本实用新型需要在山区丘陵地带进行深松作业时，车体行驶在地势较为平缓的区域，通过调偏油缸调节深松钩子和车体之间的相对位置，可以对地势不平缓的区域进行深松作业，分别调节多个深松钩子插入与其连接的钩子库内的长度，可以保证多个深松钩子的深松作业的深度一致，同时进行耕地作业，保证了驾驶人员的安全，解决了车体无法对地势不平缓的区域进行深松作业，深松作业的深度不一致，深松机功能单一的问题。
一种多功能深松机

[发明专利]一种指定层控深铣产品制作方法-CN202211577150.X在审
发明人：李波林 -专利权人：欣强电子（清远）有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明属于电子通讯技术领域，尤其为一种指定层控深铣产品制作方法，在板材上控深铣指定层控深铣区域边缘丝印一层油墨，显影后不做后固化，随后贴上无胶PI膜并快压，UV切割去除非控深铣区域PI膜，接着沿压合后的两层板材控深铣区域边缘做控深铣，控深铣残厚预留4±2mil的介层厚度最后用激光把已做控深槽底部残留的介层打掉，拍落PI膜完成加工。本发明，该工序不需刚好铣到目标层次，只需沿控深铣区域边缘做控深铣即可，中间部位无需控深铣，缩短大面积控深铣时生产时间，这样可以保证目标层不会被铣伤，并且对设备精度要求不高，利于生产，同时，可以用于替代目前手机设计中的三明治工艺
一种指定层控深铣产品制作方法

[实用新型]一种单梁深松机-CN202123015637.2有效
发明人：孟繁锃;戴跃辉;马春晓;李义 -专利权人：龙江县三丰机械制造有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-22 - 主分类号： A01B35/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种单梁深松机，涉及深松机的技术领域，解决了车体无法对地势不平缓的区域进行深松作业，深松作业的深度不一致，难以达到作业标准，对驾驶人员产生一定的危险性的问题，本实用新型需要在山区丘陵地带进行深松作业时，车体行驶在地势较为平缓的区域，通过调偏油缸调节深松钩子和车体之间的相对位置，可以对地势不平缓的区域进行深松作业，分别调节多个深松钩子插入与其连接的钩子库内的长度，可以保证多个深松钩子的深松作业的深度一致，保证了驾驶人员的安全及车辆的安全，解决了车体无法对地势不平缓的区域进行深松作业，深松作业的深度不一致，难以达到作业标准的问题。
一种单梁深松机

[发明专利]在基板处理腔室中使用的准直器-CN201811129929.9有效
发明人：马丁·李·瑞克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：在一些实施方式中，准直器包含：本体，所述本体具有中央区域、周边区域以及设置在中央区域和周边区域之间的过渡区域；在中央区域中的多个具有第一深宽比的第一孔；在周边区域中的多个具有第二深宽比的第二孔，第二深宽比小于第一深宽比；和在过渡区域中的多个第三孔，其中所述多个第三孔被切割，使过渡区域形成环绕中央区域的圆锥形状。
处理腔室中使用准直器

[发明专利]在基板处理腔室中使用的准直器-CN201580061359.2有效
发明人：马丁·李·瑞克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-11-20 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：在一些实施方式中，准直器包含：本体，所述本体具有中央区域、周边区域以及设置在中央区域和周边区域之间的过渡区域；在中央区域中的多个具有第一深宽比的第一孔；在周边区域中的多个具有第二深宽比的第二孔，第二深宽比小于第一深宽比；和在过渡区域中的多个第三孔，其中所述多个第三孔被切割，使过渡区域形成环绕中央区域的圆锥形状。
处理腔室中使用准直器

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