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[发明专利]半导体器件的制造方法-CN201810677304.X有效
发明人：金柱然;张亨淳;尹钟密;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201810678662.2有效
发明人：金柱然;张亨淳;尹钟密;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。
半导体器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201811532040.5有效
发明人： 河泰元;金柱然;李相旻;洪文善;洪世基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：衬底，具有有源区；以及在衬底的有源区上的第一晶体管至第三晶体管，第一晶体管至第三晶体管中的每个包括在衬底上的电介质层、在电介质层上的金属层以及在电介质层和金属层之间的阻挡层。第一晶体管和第二晶体管中的每个还包括在电介质层和阻挡层之间的功函数层。其中第三晶体管的阻挡层与第三晶体管的电介质层接触，以及其中第二晶体管的阈值电压大于第一晶体管的阈值电压并且小于第三晶体管的阈值电压。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201610900212.4有效
发明人：金成洙;朴起宽;姜尚求;柳庚玟;李在训;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种能够通过将元素半导体材料注入或掺入到层间绝缘层中来调节栅电极和栅间隔物的外形的半导体器件可以被提供。所述半导体器件可以包括：衬底上的栅间隔物，栅间隔物限定沟槽；填充沟槽的栅电极；以及衬底上的层间绝缘层，层间绝缘层围绕栅间隔物，以及层间绝缘层的至少一部分包括锗。
半导体器件

[发明专利]用于驱动电机的逆变器控制装置和方法-CN201811482202.9在审
发明人：李镕在;河泰元;裴秀炫;申昊埈;金成奎;朴柱英 -专利权人：现代自动车株式会社;起亚自动车株式会社
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H02P27/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于驱动电机的逆变器控制装置，包括：电流控制器，其生成电压指令，该电压指令用于使测定由逆变器提供至电机的电流而得到的电流检测值跟踪用于驱动电机的电流指令；电压调制部，其生成脉冲宽度调制信号，该脉冲宽度调制信号基于上述电压指令以规定开关频率控制上述逆变器内开关元件的接通/关闭状态；和频率确定部，其基于上述电机的驱动信息来随机地变更上述开关频率。
电压指令脉冲宽度调制信号驱动电机逆变器电机逆变器控制装置开关频率控制电流控制器频率确定部电流检测电流指令电压调制开关频率开关元件驱动信息随机地接通变更跟踪

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201510313914.8有效
发明人：金柱然;安智焕;李光烈;河泰元;韩政男 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-06-09 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本公开提供了制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法包括：在衬底上形成具有彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽的金属层间电介质层；沿着第一沟槽的侧部和底部形成第一电介质层；沿着第二沟槽的侧部和底部形成第二电介质层；分别在第一电介质层和第二电介质层上形成第一下导电层和第二下导电层；分别在第一下导电层和第二下导电层上形成第一覆盖层和第二覆盖层；在形成第一和第二覆盖层之后，进行热处理；在进行热处理之后，去除第一和第二覆盖层以及第一和第二下导电层；以及分别在第一和第二电介质层上形成第一和第二金属栅极结构。
电介质层下导电层覆盖层半导体器件热处理制造金属栅极结构金属层衬底去除

[发明专利]利用背面曝光技术的保护微细图案及沉积金属层的方法-CN201580063124.7有效
发明人：金泳百;河泰元;郑砚宅;许起锡 -专利权人：韩国生产技术研究院
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用背面曝光技术的保护微细图案及沉积金属层的方法，其在透明基板和金属层上形成有预定图案的状态下，为了附加工艺，不使用光元件掩模(mask)，并在保护已形成的图案的同时，无对准误差地沉积光致抗蚀剂金属层，并且，对加工在透明基板上的图案执行附加刻蚀(etch)时，可进行后加工，以与现有图案孔一致，由此可实现精密的后加工。如上所述，本发明的特征在于，包括：刻蚀步骤，对于在透明基板上形成的金属层，利用包括预定图案的光致抗蚀剂刻蚀金属层和透明基板，从而在金属层和透明基板上形成图案孔，或者通过刻蚀金属层而在金属层上形成图案孔；背面曝光准备步骤，在通过刻蚀形成预定图案的图案孔和金属层上部涂布感光材料；以及背面曝光步骤，在透明基板侧进行背面曝光，去除部分感光材料，其中，所述感光材料由正性光致抗蚀剂组成，且通过所述背面曝光步骤去除预定图案孔的感光材料，所述背面曝光之后，还包括附加刻蚀步骤，对去除感光材料的预定图案孔部分的透明基板进行刻蚀。
利用背面曝光技术保护微细图案沉积金属方法

[发明专利]半导体器件-CN201811260335.1在审
发明人：洪世基;金柱然;金辰昱;尹泰应;河泰元;徐正埙;尹涩琪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2019-05-07 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：基板，所述基板具有其间具有场绝缘层的第一有源区和第二有源区，所述场绝缘层接触所述第一有源区和所述第二有源区；以及栅电极，所述栅电极在所述基板上并且横贯所述第一有源区、所述第二有源区和所述场绝缘层。所述栅电极包括在所述第一有源区上方的第一部分、在所述第二有源区上方的第二部分和与第一部分和第二部分接触的第三部分。栅电极包括分别在第一部分、第二部分和第三部分中具有第一厚度、第二厚度和第三厚度的上栅电极，其中，第三厚度大于第一厚度并且小于第二厚度。
源区栅电极场绝缘层基板半导体器件上栅电极横贯

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201410151913.3有效
发明人：金柱然;张亨淳;尹钟密;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件，其包括：衬底，其包括第一有源区、第二有源区和第一和第二有源区之间的场区；以及栅极结构，其形成在衬底上，以跨越第一有源区、第二有源区和场区。栅极结构包括彼此直接接触的p型金属栅电极和n型金属栅电极，p型金属栅电极从第一有源区朝着第二有源区延伸不到第一有源区与第二有源区之间的距离的一半。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件、晶体管和集成电路器件-CN201310261481.7有效
发明人：金柱然;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本公开提供了半导体器件、晶体管和集成电路器件。提供具有包括扩散阻挡层的金属栅的集成电路器件及其制造方法。该器件可以包括栅极绝缘膜、在栅极绝缘膜上的第一导电类型功函数调节膜和在第一导电类型功函数调节膜上的金属栅图案。该器件可以包括在栅极绝缘膜与金属栅图案之间的钴膜以减少从金属栅图案到栅极绝缘膜中的扩散。
半导体器件晶体管集成电路器件

[发明专利]半导体器件-CN201610916290.3在审
发明人：闵宣基;朴起宽;姜尚求;金成洙;金柱然;柳庚玟;李在训;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-10-20 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件。一种半导体器件可以包括形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第一比值的第一栅电极；形成在衬底上并且具有上表面的宽度与下表面的宽度的第二比值的第二栅电极，其中第二比值小于第一比值；形成在第一栅电极的侧壁上的第一栅间隔物；形成在第二栅电极的侧壁上的第二栅间隔物；以及覆盖第一栅间隔物和第二栅间隔物的层间绝缘膜。
半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201410095174.0在审
发明人：金柱然;李哲雄;金泰善;朴商德;尹范濬;河泰元 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/441 文献下载
摘要：本发明提供了制造半导体器件的方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成层间绝缘层，该层间绝缘层包括第一沟槽和第二沟槽；沿第一沟槽的侧壁表面和底表面形成第一导电层以及沿第二沟槽的侧壁表面和底表面形成第二导电层；在第二导电层上形成掩模图案，该掩模图案填充第二沟槽并且是底部抗反射涂层（BARC）；以及利用掩模图案除去第一导电层。
制造半导体器件方法

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