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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]ONO介质层的制备方法-CN201410714893.6有效
发明人： 江润峰;孙天拓 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-11-28 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制备领域，具体涉及一种ONO介质层的制备方法。适用于非易失NOR flash存储器，包括如下步骤S1、提供一衬底依次有表面隧穿氧化层以及于预定位置形成的浮栅层的硅片，S2、采用原位水汽生成工艺，输入第一预定反应气体，于浮栅层上方形成底层氧化硅。S3、通过多孔石英管输入第二预定反应气体，于底层氧化硅上方沉积形成氮化硅；S4、采用原位水汽生成工艺，输入第一预定反应气体，对氮化硅表面进行氧化操作，形成顶层氧化硅。本发明的优点是有效改善在硅片表面沉积薄膜的厚度均匀度，同时明显降低硅片产生的壳体，且不易在氧化硅与硅片接触面形成N的掺杂，实现性较强，可广泛应用于各种沉积工艺中。
ono 介质制备方法

[发明专利]PMOS制造工艺中减少e‑SiGe晶格缺陷的方法-CN201410125554.4有效
发明人：曹威;江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-31 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种PMOS制造工艺中减少e‑SiGe晶格缺陷的方法，其包括对硅片的硅衬底形貌刻蚀并清洗；外延生长前的预清洗；将硅片放入外延生长机台的刻蚀腔室，对硅片进行干法刻蚀，以去除自然氧化层；将硅片放入外延工艺腔室，对硅片进行SiGe外延生长工艺。本发明通过对硅片在进入外延机台前生成的自然氧化层进行原位刻蚀，避免了自然氧化层对外延工艺及后续工艺造成的晶格缺陷，从而减少器件失效，提高硅片的良率，同时减少工艺生产中的返工，缩短产品的生产周期和生产成本。
pmos 制造工艺减少 sige 晶格缺陷方法

[发明专利]用于监控炉管无氧氛围的监控片、制造方法及其监控方法-CN201410162818.3有效
发明人： 江润峰;曹威;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-22 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种用于监控炉管无氧氛围的监控片，所述监控片包括硅基衬底，所述硅基衬底之本征氧化物薄膜的厚度小于15埃；二氧化硅薄膜层，所述二氧化硅薄膜层生长在所述硅基衬底上，且所述二氧化硅薄膜层的厚度为800～1200埃；氮化钛薄膜层，所述氮化钛薄膜层沉积在所述二氧化硅薄膜层之异于所述硅基衬底的一侧，且所述氮化钛薄膜层的厚度为200～1000埃。本发明用于监控炉管无氧氛围的监控片之制造方法简单，对所述无氧氛围的监控直观性强、即时性好，改善生产效率，提高产品良率。
用于监控炉管氛围制造方法及其

[发明专利]一种提高栅氧化层质量的方法-CN201410106618.6有效
发明人： 江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种提高栅氧化层质量的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一硅衬底；进行湿法清洗工艺以去除所述硅衬底表面形成的自然氧化层；继续将所述硅衬底放入一炉管进行高温氧化工艺，以于所述硅衬底的表面形成一栅氧化层；其中，所述炉管采用碳纤维发热管为热源进行所述高温氧化工艺，且将所述炉管在晶舟装载等待阶段的预定温度设置为T，所述T的取值范围为400℃到700℃。通过利用碳纤维发热管作为炉管加热源，可减少了晶舟升降温的等待时间，抑制了外来氧化层的生长，有效提高了栅氧化层的质量。
一种提高氧化质量方法

[发明专利]一种提高闪存低温数据存储特性的方法-CN201610511071.7在审
发明人：申广耀;孙勤;江润峰;胡荣;高杏 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高闪存低温数据存储特性的方法，包括：第一步骤：在硅衬底上，利用N₂O退火进行退火处理，生长一层掺氮氧化层；第二步骤：利用ISSG通入H₂和O₂，生长氧化层作为隧道氧化层，由此掺氮氧化层与隧道氧化层形成总氧化层；第三步骤：在总氧化层上生长多晶硅作为浮栅层；第四步骤：在浮栅层上生长ONO结构的多晶硅间电介质层，用于保证浮栅中电子的存储；第五步骤：在多晶硅间电介质层上形成控制栅多晶硅层。
一种提高闪存低温数据存储特性方法

[发明专利]浮栅制备方法-CN201610107395.4在审
发明人： 江润峰;孙天拓 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-07-06 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种浮栅制备方法，包括：第一步骤：在硅片的隧道氧化层上执行浮栅层生长；第二步骤：对浮栅层进行注入；第三步骤：采用O₂和N₂来对硅片执行快速热退火，在浮栅层表面形成热氧化层；第四步骤：去除对热氧化层；第五步骤：对浮栅层进行研磨。本发明通过改善热退火工艺，并增加氧化层清洗工艺，而且采用高选择比的化学机械研磨工艺，有效去除了退火过程中的颗粒问题，改善了浮栅多晶硅的平整度，同时降低了退火机台的维护频度。
制备方法

[发明专利]多晶硅制备之立式炉管及其制备方法-CN201610107390.1在审
发明人： 江润峰;孙天拓;陆叶涛 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： C30B28/14 文献下载
摘要：一种多晶硅制备之立式炉管，包括：壳体，内设立式炉管的各功能部件；外石英管和内石英管，外石英管和内石英管之间形成气体通路；具有硅片的晶舟，晶舟上设置硅片，晶舟并承载在位于壳体内之底部的基座上；间隔独立设置的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，第一进气管路、第二进气管路，第三进气管路之出气口分别位于晶舟的不同高度处；排气管路，设置在壳体一侧之底部。本发明通过设置独立且位于不同高度处的第一进气管路、第二进气管路、第三进气管路，并采用外石英管和内石英管的双管特定结构，不仅结构简单、工艺调整方便，而且极大的保证了工艺效率和提升了产品良率。
多晶制备立式炉管及其方法

[发明专利]一种多晶硅制备方法-CN201610109836.4在审
发明人： 江润峰;孙勤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2016-02-29 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅制备方法，通过在进行多晶硅沉积工艺时，向反应腔体中通入少量N₂O作为掺杂气体，使N₂O和作为工艺气体的SiH₄反应产生SiO₂，对多晶硅进行掺杂，而过量部分的SiH₄会继续分解生成多晶硅；SiO₂的存在抑制了沉积多晶硅过程中的晶粒异常生长，因此可降低多晶硅晶粒尺寸的大小、提高晶粒均匀度、改善表面平整度，从而消除了多晶硅颗粒产生的问题。
一种多晶制备方法

[发明专利]一种提高隧道氧化层可靠性的方法-CN201510277865.7在审
发明人： 江润峰;胡荣;孙勤 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-05-27 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种提高隧道氧化层可靠性的方法，首先提供一半导体衬底；接着在衬底表面形成隧道氧化层，隧道氧化层为二氧化硅薄膜层；然后采用SPA工艺在所述隧道氧化层的上表面形成一SiOxNy层；最后对隧道氧化层进行退火。本发明提供的提高隧道氧化层可靠性的方法，由于硅氮化学键的键能大于硅氧化学键的键能，因此后续氧化工艺中，避免了隧道氧化层出现鸟嘴效应，提高了隧道氧化层的均匀度，改善了隧道氧化层的品质，使半导体器件的失效率降低，进而提高了良品率。
一种提高隧道氧化可靠性方法

[发明专利]一种提高NOR闪存数据保存能力的方法-CN201510149022.9在审
发明人： 江润峰;胡荣 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2015-03-31 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： H01L21/8247 文献下载
摘要：本发明提供了一种提高NOR闪存数据保存能力的方法，包括：第一步骤，用于采用活性氧化工艺制备SiO₂层；第二步骤，用于在活性氧化工艺完成之后对SiO₂层执行N₂O工艺掺氮处理，从而形成NOR闪存的浮栅晶体管单元的隧穿层。活性氧化工艺的反应特气为H₂气体和O₂气体。在活性氧化工艺中，O₂气体和H₂气体在热的硅片表面发生化学反应从而生成氧的活性基团，氧的活性基团与硅片表面的硅反应从而生成SiO₂层。
一种提高 nor 闪存数据保存能力方法

[发明专利]ONO介质层的制备方法-CN201410374742.0在审
发明人： 江润峰;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-31 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种ONO介质层的制备方法，具体制备ONO介质层的中间氮化物的步骤包括：步骤S1、通过前驱气体管路通入含硅气体至反应炉内，并在通入含硅气体的同时，关闭其他管路；步骤S2、关闭前驱气体管路，打开净化气体管路通入净化气体至反应炉内；步骤S3、关闭净化气体管路，打开特气管路通入含氮气体至反应炉内，通入的含氮气体与含硅气体反应生成氮化硅附着在硅片表面；步骤S4、关闭特气管路并再次打开净化气体管路输送净化气体至反应炉。本发明可有效的改善硅片表面各位置处的薄膜厚度的均匀度，为提升器件性能提供保证。
ono 介质制备方法

[发明专利]多晶硅薄膜的制备方法-CN201410491543.8在审
发明人： 江润峰;孙天拓 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-09-24 - 公布日： 2014-12-17 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅薄膜的制备方法，通过乙硅烷分解出的SiH₃具有较好的硅表面吸附性，吸附系数比硅烷高两个数量级左右，可以在硅衬底表面迅速吸附，在反应初期就有薄膜生成，不需要如硅烷的前期孕育时间，使生成的多晶硅薄膜下表面即与硅衬底的界面具有高质量，且生成的多晶硅薄膜具有较好的表面均匀度，表面粗糙度得到很大改善，也具有更好的晶粒均匀度，在填充凹槽的情形也能有效改善凹槽内的裂缝或空洞。
多晶薄膜制备方法

[发明专利]晶舟及利用该晶舟生长氧化层的方法-CN201410412350.9无效
发明人： 江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-08-20 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶舟及利用该晶舟生长氧化层的方法，通过改变硅片承载件的延伸方向，使其承载的硅片与相邻上方硅片或硅片承载件的距离，调整为中间位置距离大而边缘位置距离小，从而使特气，尤其是流动性差的特气，在炉管内流动的时候，能够更容易地到达空间更大的硅片中间位置，而对边缘位置的特气量进行控制，对硅片表面进行均匀氧化，使得生成的氧化薄膜边缘与中心厚度均匀，提高整片硅片的厚度均匀性。
利用生长氧化方法

[发明专利]自对准STI的形成方法-CN201410357232.2在审
发明人： 江润峰;戴树刚 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-07-25 - 公布日： 2014-10-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准STI的形成方法，在传统工艺生长浅沟槽侧壁氧化层之后，再生长一层浅沟槽侧壁氮化硅层，随后对浅沟槽填充，并退火。本发明通过在浅沟槽侧壁增加生成一层结构更加致密、稳定的氮化硅层，可以有效阻止水汽或氧气分子的扩散，使得后续工艺退火时，水汽被致密的氮化硅层所阻止，避免水汽与硅衬底以及多晶硅浮栅反应生成二氧化硅，从而确保隧穿氧化硅层边缘厚度不再变厚，保证了产品的质量和可靠性。
对准 sti 形成方法

[发明专利]一种外延工艺腔体温度校准的方法-CN201410174739.4在审
发明人：曹威;江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2014-04-28 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种外延工艺腔体温度校准的方法，属于半导体集成电路中衬底的外延工艺领域，首先建立硅本征外延层厚度-机台腔体温度的映射关系，在生产工艺监控过程中，检查硅本征外延层是否存在局部厚度超过预设阈值，进而通过温度调节装置校准机台腔体温度。本发明提供的方法简单高效，适用于工业生产中硅片温度的日常监控，可提高温度控制精度，此外还可有效探测机台内是否出现腔体污染或石英组件破裂等问题；另外，本发明提供的外延膜层结构，通过设置固定的锗浓度，在进行光学测量膜层厚度时，可以更清晰的分清各外延层之间的界面，使测量外延层厚度更加容易同时精准。
一种外延工艺体温校准方法

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