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[发明专利]一种盾构关键部件快速建模分析方法-CN202111434909.4在审
发明人：王凯;孙振川;周建军;李凤远;陈桥;陈瑞祥;秦银平;李浩南;张合沛;杨延栋;高会中;任颖莹;范文超 -专利权人：中铁隧道局集团有限公司;盾构及掘进技术国家重点实验室
申请日： 2021-11-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明的一种盾构关键部件快速建模分析方法，包括以下步骤：S1：通过参数化建模建立刀盘模型库、盾体模型库或者直接建模，S2：对盾构关键部件进行有限单元网格离散，S3：开发软构件库并赋予盾构关键部件材料属性，S4：设置盾构关键部件仿真分析的类型、仿真输出要求；S5：选择合适载荷并施加边界约束条件；S6：使用仿真软件对部件分析算例求解计算并提取结果；S7：对盾构关键部件计算结果进行分析，自动输出分析报告文件；能够解决盾构关键部件设计过程中建模效率低、载荷数据取值难的问题，提高了盾构关键部件分析的准确性和设计的合理性。
一种盾构关键部件快速建模分析方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111325824.2在审
发明人：张永杰;李浩南;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括第一外延层；掺杂柱，分立的位于所述第一外延层中；第一JFET区，位于部分所述掺杂柱上；第二JFET区，位于相邻所述掺杂柱之间的部分所述第一外延层上；阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；掺杂区，位于相邻所述源区之间且延伸至所述掺杂柱的表面；栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述掺杂柱邻接。本申请技术方案可以降低栅极结构底部的电场，减少栅漏电荷以及降低衬底电阻。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种多功能粉尘检测装置-CN202111394348.X在审
发明人：沙永东;孙洋;石佳旺;李浩南 -专利权人：辽宁工程技术大学
申请日： 2021-11-23 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01N15/02 文献下载
摘要：一种多功能粉尘检测装置，包括壳体、第一激光发射器、光电传感器、第二激光发射器、光电探测器、空间滤波器、透镜及调姿机构；壳体设在调姿机构上；壳体内分别设有风道、粉尘浓度检测通道及粉尘粒径检测通道；风道水平布设且进出风口设有风扇；粉尘浓度检测通道竖直布设且与风道交汇连通；第一激光发射器位于粉尘浓度检测通道顶部，光电传感器位于粉尘浓度检测通道底部；粉尘粒径检测通道水平布设并垂直粉尘浓度检测通道且与风道交汇连通；第二激光发射器和光电探测器分别位于粉尘粒径检测通道的两端；空间滤波器位于第二激光发射器与风道之间；透镜位于光电探测器与风道之间；调姿机构外部设有报警器；壳体顶部设有风量传感器。
一种多功能粉尘检测装置

[实用新型]一种带有PCV阀的气门室罩壳-CN202121889002.2有效
发明人：赵夺;郑琪琦;刘侠;庞玉超;邢冕;池春平;汪洪雷;王金玉;孙妍;朱立哲;王赢;王坤;王连仲;刘阳;孔鹏程;张大龙;明添;王军;李浩南;甄志强;马骏骁 -专利权人：哈尔滨东安汽车动力股份有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： F02F7/00 文献下载
摘要：一种带有PCV阀的气门室罩壳，属于发动机技术领域。气门室罩壳本体上设置隔板总成，两者形成的通道即为油气分离迷宫，所述气门室罩壳本体设有内部通道和安装孔，所述PCV阀上端直接安装在安装孔上，通过O形圈与安装孔压紧，气门室罩壳本体装配到气缸盖后，PCV阀下端在气缸盖内，经气门室罩壳本体的油气分离迷宫分离后的气体通过P内部通道进入PCV阀，从PCV阀另一端排出后经过气缸盖内部通道件和进气管法兰，均匀分到进气歧管各缸，参与后续燃烧。PCV阀单独装配到上罩壳和缸盖之间，通过胶圈密封，可省去外部管路成本，同时机舱空间布置更为紧凑；方便售后维修拆卸，同时PCV阀单独设计，易进行流量特性检测及质量把控。
一种带有 pcv 气门罩壳

[实用新型]一种真空泵试验台架-CN202121907793.7有效
发明人：庞玉超;邢冕;滕红;刘侠;王金玉;张大龙;朱立哲;孔鹏程;王坤;王连仲;王军;甄志强;刘阳;马骏骁;明添;李浩南 -专利权人：哈尔滨东安汽车动力股份有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： F04B51/00 文献下载
摘要：一种真空泵试验台架，属于发动机试验技术领域。它用于进行模拟整车进行真空泵试验。所述发动机试验台架，用于保证发动机运行，所述储气罐与发动机带有的真空泵用管路连接，用于存储真空；所述真空助力器与储气罐用管路连接，用于模拟整车刹车过程中释放真空；所述气动装置与真空助力器用连接轴连接，用于驱动真空助力器，所述PLC控制器用于控制压缩空气泵驱动气动装置。本实用新型实现了真空泵工作状态下发动机台架性能验证，为开发带有真空泵发动机提供数据支持，降低了试验周期和使用成本。
一种真空泵试验台架

[外观设计]油气脱附管总成-CN202130476289.5有效
发明人：王军;邢冕;王金玉;赵夺;张大龙;孔鹏程;朱立哲;王坤;王连仲;甄志强;刘阳;明添;马骏骁;李浩南 -专利权人：哈尔滨东安汽车动力股份有限公司
申请日： 2021-07-26 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：油气脱附管总成。2.本外观设计产品的用途：用于吸附油气进入进气歧管参与燃烧。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。
油气脱附管总成

[实用新型]半导体器件及温度传感系统-CN202023003443.6有效
发明人：陈伟钿;孙倩;李浩南 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2020-12-14 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： H01L29/04 文献下载
摘要：一种半导体器件包括：器件单元，该器件单元包括配置成接收栅极控制信号的栅极组件；以及与器件单元相邻的温度传感组件。温度传感组件和栅极组件中的每个组件均包括多晶硅。
半导体器件温度传感系统

[实用新型]一种宠物陪伴玩具-CN202120828121.0有效
发明人： 李浩南 -专利权人： 李浩南
申请日： 2021-04-22 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： A01K15/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种宠物陪伴玩具，包括玩具本体及心跳模拟装置，所述心跳模拟装置设置在玩具本体内，所述心跳模拟装置包括壳体，所述壳体内安装有电机，所述电机连接有转动偏心锤，所述电机用于驱动转动偏心锤转动。本实用新型的宠物陪伴玩具，内置心跳模拟装置，开启电机，电机转动时，带动转动偏心锤转动，转动偏心锤转动时可发出嗡嗡声和震动，模拟动物生命体的心跳效果，提高了玩具对宠物的共情能力，加强了对宠物的陪伴和抚慰效果，增加了产品的附加值。
一种宠物陪伴玩具

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202111138868.4在审
发明人：张永杰;李浩南;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构及其形成方法，其中所述半导体结构包括：衬底，所述衬底包括外延层；第一掺杂区，分立的位于所述外延层中；第一JFET区，位于所述第一掺杂区的部分表面；第二JFET区，位于相邻所述第一掺杂区之间的部分外延层表面；阱区，位于所述第一JFET区和所述第二JFET区上；源区，自所述阱区表面延伸至所述阱区中；第二掺杂区，位于相邻所述源区之间的第一掺杂区表面，且所述第二掺杂区与所述源区的表面共面；栅极结构，位于所述源区和所述阱区中并延伸至所述第一JFET区和所述第二JFET区之间，且所述栅极结构的整个或部分底部与所述第一掺杂区邻接。本申请技术方案可以降低栅极结构底部的电场，减少栅漏电荷。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]一体化三工作箱式3D打印机-CN202121234860.3有效
发明人：杨伟东;李浩南;刘志越;刘睿颖;方妍娇;于建军;贾照强 -专利权人：河北工业大学;唐山昊中科技有限公司
申请日： 2021-06-03 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： B22C9/02 文献下载
摘要：本实用新型为一体化三工作箱式3D打印机，包括成型箱和供砂箱、铺砂装置和喷头、储砂箱和混砂箱，混砂箱紧挨成型箱的一侧，储砂箱紧挨供砂箱的一侧，且混砂箱和储砂箱紧挨在一起；所述混砂箱和储砂箱内均安装有可伸缩活塞，分别能将混砂箱内的砂子整体推入储砂箱、将储砂箱内的砂子整体推入供砂箱；所述混砂箱内安装有搅拌装置；储砂箱和混砂箱底部高度始终不动，成型箱和供砂箱分别由一个升降台单独控制，实现升降。该打印机省去3D打印机工作前人工向供砂箱倒入砂子的过程，实现混砂和打印一体化，改善3D打印机的打印效率和提高3D打印机的打印速度，实现零部件大批量、成规模地生产。
一体化工作箱式打印机

[发明专利]一种增程器专用发动机台架可靠性试验方法-CN202110859385.7在审
发明人：王金玉;滕红;刘侠;庞玉超;邢冕;张大龙;甄志强;李浩南;马骏骁;王军;赵夺;夏特;明添;赵爽;武琳 -专利权人：哈尔滨东安汽车动力股份有限公司
申请日： 2021-07-28 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： G01M15/00 文献下载
摘要：一种增程器专用发动机台架可靠性试验方法，属于发动机试验技术领域。发动机接收台架控制器的指令，进入1100rpm@3kw的工况，并等速运行175s；而后发动机接收台架控制器的指令，进行多次加速‑减速交替工况；而后发动机接收台架控制器的指令，在5s内减速至1100rpm@3kw的工况；重复S1‑S3共600次至完成试验。本发明通过选取增程器搭载整车项目选择工况点，实现了对增程器专用发动机的可靠性试验，可靠性试验方法中按照总循环时间600h对增程器专用发动机进行的等速、加速以及减速的工况考核，所选工况更接近用户真实使用工况，更真实的反馈增程器专用发动机可靠性情况。
一种增程器专用发动机台架可靠性试验方法

[实用新型]一种汽车消声器的多孔管自动装配设备-CN202022332119.2有效
发明人： 李浩南;李庆;王科翔;马凯;周成功 -专利权人：安徽机电职业技术学院
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： B23P21/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及汽车零部件制造领域，具体是涉及一种汽车消声器的多孔管自动装配设备，自动装配设备包括有：旋转工作台，旋转工作台的工作面分为多个工位；首尾工位一侧分别设置有第一送料机构和第二送料机构；胚管夹持机构，包括有：滑台气缸，设置在旋转工作台每个工位；第一F型夹持器，设置在滑台气缸工作端；第二F型夹持器，设置在第一F型夹持器底部；旋压器，设置在第二送料机构上一工位一侧；弹性定位器，设置在旋压器上一工位一侧，所述弹性定位器定位孔自上而下孔径逐渐减小且底端为弹性件；回转抵压器，工作端竖直朝下；工业机器人和多孔管上料机构均设置在弹性定位器一侧，该装置能够连续不断的装配多孔管，工作效率高，装配精准。
一种汽车消声器多孔自动装配设备

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110995247.1在审
发明人： 李浩南;张永杰;周永昌;黄晓辉;董琪琪 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司;创能动力科技有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请技术方案提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构位于器件区外侧的边缘区，包括：半导体衬底及位于所述半导体衬底上的外延层；绝缘层，自所述外延层的部分表面延伸至所述外延层中；保护层，位于所述绝缘层与所述外延层之间，且与所述外延层的掺杂类型不同；过渡层，自所述绝缘层一侧的外延层表面延伸至所述外延层中，且所述过渡层与所述保护层的掺杂类型相同；场氧化层，位于所述绝缘层以及所述绝缘层另一侧的保护层和外延层的表面；金属场板，位于所述过渡层和部分所述场氧化层上，且所述金属场板连接所述器件区的器件结构。本申请技术方案的半导体结构及其形成方法，能够大幅度提高边缘区终端结构的击穿电压。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]F-P腔效应消除的电磁屏蔽光窗-CN202110837133.4在审
发明人：张龙;李浩南;董红星;张亚强 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2021-07-23 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H05K9/00 文献下载
摘要：一种电磁屏蔽光窗，该光窗自上而下依次包括第一层低阻导电层、第二层透明介质基板、第三层高阻导电层，通过精确控制两个导电层的阻抗，消除了传统电磁屏蔽光窗屏蔽效率随频率抖动(F‑P腔效应)的问题，实现了全频点的电磁屏蔽。本发明在雷达微波波段具有优异的宽带全频点电磁波屏蔽性能，同时本发明在可见及红外波段能够保持较高的透过率，具有很高的应用前景。
效应消除电磁屏蔽

[发明专利]集成MOSFET和二极管的半导体装置及其制造方法-CN201910696557.6有效
发明人：郑亚良;李浩南;陈伟钿;周永昌;黎沛涛 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明公开集成MOSFET和二极管的半导体装置及其制造方法。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一面和第二面。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。二极管设置在第一区和第二区之间，二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区。第一肖特基区靠近第一区设置，第二肖特基区靠近第二区设置。半导体装置还包括电场调制区，电场调制区设置在第一肖特基区与第二肖特基区之间。本发明还提供了半导体装置的制造方法。根据本发明的半导体装置具有更好的电流能力、电压能力、可靠性以及更高的芯片集成度。
集成 mosfet 二极管半导体装置及其制造方法