“李浩南”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果167个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]具有沟槽结构的半导体器件-CN202020513822.0有效
发明人：郑亚良;李浩南;陈伟钿;周永昌;张永杰;孙倩;黎沛涛 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2020-04-09 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开具有沟槽结构的半导体器件。半导体器件包括：基底；漂移层；阱区；设置在阱区上的第一接触区和第二接触区；沟槽，沟槽的侧壁与第一接触区和阱区接触；第一掩埋区和第二掩埋区，设置在沟槽的底壁的下方并且与底壁接触；栅区，设置在沟槽中；第一源金属区，设置在沟槽中并且位于栅区下方；栅氧化区；第二源金属区，设置在第一接触区和第二接触区上方，并且与第一源金属区电连接；以及漏金属区。根据本实用新型的半导体器件具有更高的器件密度、更好的电流能力、和更小的开关损耗。
具有沟槽结构半导体器件

[实用新型]半导体晶片-CN202020619631.2有效
发明人：孙倩;陈伟钿;张永杰;周永昌;李浩南 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开半导体晶片。根据一实施例的半导体晶片包括：划道区，设置有多个沟槽；多个器件单元，相邻的器件单元被划道区隔开；以及支撑结构，包括本体和多个腿部，多个腿部中的每个腿部与多个沟槽中的相应沟槽相匹配，使得每个腿部的一部分能被限定在相应沟槽中。根据本实用新型的半导体晶片可消除或改善晶片的翘曲、提高良率、降低制造成本。
半导体晶片

[发明专利]一种键盘轴体的转盘式自动装配设备-CN202010477515.6在审
发明人：李庆;赵文英;王科翔;李浩南;邵军 -专利权人：安徽机电职业技术学院
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： B23P21/00 文献下载
摘要：本发明涉及键盘轴体加工技术领域，具体是涉及一种键盘轴体的转盘式自动装配设备，包括六边形加工台以及分别安装在六边形加工台上的转盘、轴底上料机构、弹簧工装机构、弹性支架工装机构、连接器工装机构、轴盖工装机构和下料机构，转盘的顶部边缘处均设有与轴底上料机构、弹簧工装机构、弹性支架工装机构、连接器工装机构、轴盖工装机构和下料机构相对应的工件定位槽，轴底上料机构、弹簧工装机构、弹性支架工装机构、连接器工装机构、轴盖工装机构和下料机构均包括能够在每个料盒和转盘之间升降并且直线移动的夹爪，该技术方案解决了在批量生产时，需要大量的人力进行操作，并且人工操作容易将零件损坏，能够自动进行工装，提高效率和工装质量。
一种键盘转盘自动装配设备

[实用新型]一种带有气体引射器的自行车气囊安全系统-CN202020112559.4有效
发明人：董景明;胡秋宇;李帅;杜贞钰;吴圣洋;林威;杨雅才;李研;李浩南 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： B62J27/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带有气体引射器的自行车气囊安全系统，包括高压气瓶、电磁控制阀、气体引射器、运动姿态传感器、电磁三通阀、安全气囊和整流罩。所述高压气瓶经电磁控制阀与气体引射器连接；所述电磁控制阀通过电路与运动姿态传感器连接；所述电磁三通阀的出口与安全气囊连接。本实用新型利用高压气瓶中的高压气体驱动气体引射器来引射周围环境中的空气，从而增加安全气囊的进气量，增大安全气囊的保护面积。本实用新型通过使用运动姿态传感器，在自行车失去平衡时自动启动，最大程度上减少安全气囊开启的反应时间。本实用新型采用电磁三通阀设计，运动姿态传感器只需控制电磁三通阀向失去平衡的一侧打开安全气囊，降低了高压气瓶的体积。
一种带有气体引射器自行车气囊安全系统

[发明专利]内表面亲水改性中空纤维膜及其制备方法和应用-CN201810199905.4有效
发明人：徐志康;陈志雄;林福文;李浩南;杨熙 -专利权人：浙江大学
申请日： 2018-03-12 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： B01D71/82 文献下载
摘要：本发明公开了一种内表面亲水改性中空纤维膜的制备方法，包括以下步骤：(1)采用醇类溶剂对疏水性中空纤维基膜进行浸润；(2)将含有氧化剂、多酚类化合物和破乳剂的反应溶液通入浸润后的中空纤维基膜中，反应5～100min；(3)清洗、干燥反应后的中空纤维基膜，即得。本发明还公开了该制备方法制备的内表面亲水改性中空纤维膜及其应用，该内表面亲水改性中空纤维膜内表面亲水、外表面疏水的中空纤维膜，可对乳液中的油相进行高效率回收。
表面改性中空纤维及其制备方法应用

[实用新型]具有渐变结深的芯片终端结构-CN201921417629.0有效
发明人：陈伟钿;张永杰;周永昌;李浩南 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2019-08-28 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开具有渐变结深的芯片终端结构。芯片终端结构围绕器件区设置。器件区设置有半导体器件。芯片终端结构包括JTE区和多个环区，JTE区和多个环区设置在半导体层。半导体层具有第一导电类型并且包括第一面和与第一面相对的第二面，JTE区和多个环区具有第二导电类型并且从第一面朝向第二面的方向延伸。沿器件区朝向芯片终端结构的方向，多个环区中每个环区的结深逐渐减小。根据本实用新型的芯片终端结构具有更低的电场峰值和更均匀的电场分布，能提高半导体器件的反向击穿电压。
具有渐变芯片终端结构

[发明专利]用于制造具有支撑结构的半导体晶片的方法-CN202010321573.X在审
发明人：孙倩;陈伟钿;张永杰;周永昌;李浩南 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开用于制造具有支撑结构的半导体晶片的方法。根据一实施例的方法包括：提供半导体晶片，半导体晶片的第一面上设置有多个器件单元和划道区；在划道区形成多个沟槽；提供支撑结构，支撑结构包括本体和多个腿部，多个腿部从本体朝向一个方向延伸，多个腿部中的每个腿部与多个沟槽中的相应沟槽相匹配；以及将支撑结构定位在第一面上，使得每个腿部的一部分被限定在相应的沟槽中。根据本发明的方法可消除或改善晶片的翘曲、提高良率、降低制造成本。
用于制造具有支撑结构半导体晶片方法

[实用新型]晶片测试系统-CN201921752013.9有效
发明人：孙倩;陈伟钿;李浩南 -专利权人：飞锃半导体（上海）有限公司
申请日： 2019-10-17 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本实用新型公开晶片测试系统。晶片测试系统用于测试晶片，晶片具有第一面和第二面。晶片测试系统包括测试机台、第一探针组、载体、膜片、第二探针组、以及工作台。测试机台包括测试电路。第一探针组与测试机台电学连接，第一探针组用于在操作时与晶片的第一面电学接触。载体与测试机台机械连接，并且承载第一探针组。膜片具有多个孔，膜片用于在操作时与晶片的第二面物理接触。第二探针组用于在操作时通过多个孔与晶片的第二面电学接触。工作台用于承载第二探针组。根据本实用新型的晶片测试系统能实现在封装前对薄晶片的电学测试，提供机械保护，改善芯片在电传导和热传导方面的性能。
晶片测试系统

[发明专利]一种集成MOSFET及二极管的半导体装置及其制造方法-CN202010378707.1在审
发明人：郑亚良;李浩南;陈伟钿;周永昌;张永杰;孙倩;黎沛涛 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2020-05-07 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，公开了一种集成MOSFET及二极管的半导体装置及其制造方法。MOSFET包括第一阱区、第一源区、第一栅氧化层及第一栅极，二极管包括第二阱区、第二源区、第二栅氧化层及第二栅极，半导体装置还包括重掺杂区、第一接触区、第二接触区、第一调制掺杂区、第二调制掺杂区、源金属区及漏金属区，第一栅极与第二栅极电学隔离，源金属区与第二栅极电学连接，重掺杂区分别与第一栅氧化层及第二栅氧化层接触。通过以上方式，可大大减小第一栅氧化层及第二栅氧化层在反向电压时的电场强度，从而提高半导体装置的可靠性，同时，可降低二极管的导通压降以减少功率损耗。
一种集成 mosfet 二极管半导体装置及其制造方法

[实用新型]一种球型果蔬分选设备-CN201920630476.1有效
发明人：杨磊;徐亮;盛言佳;蒋名芝;马翔宇;李孜豪;李浩南;黄星平 -专利权人：安徽机电职业技术学院
申请日： 2019-05-05 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： B07B1/28 文献下载
摘要：本实用新型涉及食品加工技术领域，具体地，涉及一种球型果蔬分选设备，包括机架、工作台、上料组件、消毒组件、清洗组件、预干燥组件、筛选组件和下料组件，上料组件包括第一传送带和若干个容纳格，消毒组件包括消毒池、第一滚筒传送带、第一电机和两个第一支撑板，清洗组件与消毒组件结构相同，清洗组件的水池为清洗池，预干燥组件包括第二传送带、第一支撑架和鼓风机，筛选组件包括筛板、震动器和储料箱，筛板设置在工作台的顶部，下料组件设置有下料滑道，下料滑道设置在筛板的下方，本实用新型的一种球型果蔬分选设备，本设备为自动化设备，大大提高了工作效率，通过消毒组件和清洗组件，减少了后续的工序，降低了加工成本。
一种球型果蔬分选设备

[发明专利]一种基于人脸识别的身份证清晰度的判别方法和系统-CN201711388469.7有效
发明人：种衍文;潘文超;郑炜玲;李浩南;赵帆 -专利权人：武汉大学
申请日： 2017-12-20 - 公布日： 2020-05-12 - 主分类号： G06K9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于人脸识别的身份证清晰度的判别方法和系统，包括步骤1，图像预处理，包括先将彩色图转化为灰度图，然后对灰度图进行降噪处理；步骤2，识别图像中的人脸并标记；步骤3，选定身份证图片中的文字部分，然后对这部分图像文字信息进行文字清晰度的判定；步骤4，根据文字清晰度的判定结果，保存清晰的图像，供后续的处理使用。本发明提供了一套高度自动化、高精度、高可靠性的身份证图片清晰度的检测应用程序，不仅节省了时间，更加克服了人工检测稳定性差、检测结果不可靠的弊端。
一种基于识别身份证清晰度判别方法系统

[实用新型]一种具有JFET区布图设计的半导体器件-CN201921185448.X有效
发明人：张永杰;李浩南;陈伟钿;周永昌 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开一种具有JFET区布图设计的半导体器件。半导体器件包括半导体层、阱区、源区、栅区、漏电极层、和JFET区。半导体层具有第一面和第二面，半导体层包括基底和漂移区。阱区设置在漂移区中并且从第一面朝向基底的方向延伸。源区设置在阱区中，栅区设置在第一面上并且与源区和阱区接触，栅区包括栅电极和介质层。漏电极层设置在第二面上。JFET区设置在漂移区中并且从第一面朝向基底的方向延伸，JFET区包括多个JFET子区，在顶平面视图下，相邻JFET子区被阱区隔开。根据本实用新型的半导体器件具有更好的电流能力和电压阻断能力、更好的可靠性、稳定性。
一种具有 jfet 区布图设计半导体器件

[实用新型]半导体装置-CN201921230128.1有效
发明人：郑亚良;李浩南;陈伟钿;周永昌;黎沛涛 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体装置。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一面和第二面。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。二极管设置在第一区和第二区之间，二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区。第一肖特基区靠近第一区设置，第二肖特基区靠近第二区设置。半导体装置还包括电场调制区，电场调制区设置在第一肖特基区与第二肖特基区之间。调制掺杂区包括第一调制掺杂区和第二调制掺杂区。半导体装置还包括第一JFET区和第二JFET区。根据本实用新型的半导体装置具有更好的电流能力、电压能力、可靠性以及更高的芯片集成度。
半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN201921230129.6有效
发明人：郑亚良;李浩南;陈伟钿;周永昌;黎沛涛 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体装置。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一面和第二面。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。二极管设置在第一区和第二区之间，二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区。第一肖特基区靠近第一区设置，第二肖特基区靠近第二区设置。半导体装置还包括电场调制区、第一JFET区、和第二JFET区，电场调制区设置在第一肖特基区与第二肖特基区之间。根据本实用新型的半导体装置具有更好的电流能力、电压能力、可靠性以及更高的芯片集成度。
半导体装置

[实用新型]半导体装置-CN201921241096.5有效
发明人：郑亚良;李浩南;陈伟钿;周永昌;黎沛涛 -专利权人：创能动力科技有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了半导体装置。MOSFET和二极管设置在同一半导体层上，半导体层具有第一面和第二面。MOSFET包括第一区和第二区，第一区包括第一阱区、第一源区、和第一栅区，第二区包括第二阱区、第二源区、和第二栅区。二极管设置在第一区和第二区之间，二极管包括第一肖特基区和第二肖特基区。第一肖特基区靠近第一区设置，第二肖特基区靠近第二区设置。半导体装置还包括电场调制区，电场调制区设置在第一肖特基区与第二肖特基区之间。根据本实用新型的半导体装置具有更好的电流能力、电压能力、可靠性以及更高的芯片集成度。
半导体装置

首页
«上一页
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
下一页»
尾页
共 167 条