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[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201410074602.1在审
发明人：程伟;李华国;蔡青龙;任驰;许正源 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2014-03-03 - 公布日： 2015-09-09 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括一基板、一第一栅结构、一第二栅电极、一第三栅电极及一保护层。第一栅结构包括一第一栅电极及一第一栅介电质，第一栅电极设置在基板上，第一栅介电质覆盖第一栅电极。第二栅电极设置在第一栅电极上，并与第一栅电极电性隔离。第一栅结构相对于第二栅电极具有一延伸部。第三栅电极相邻于第一栅电极和第二栅电极设置，并与第一栅电极、第二栅电极电性隔离。第三栅电极具有一延伸部，位于保护层的一下表面和第一栅结构的延伸部的一上表面之间。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201010168838.3无效
发明人：何军;孔蔚然 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2010-04-29 - 公布日： 2011-11-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：衬底；位于衬底表面的栅介质层；位于栅介质层表面的栅电极区，所述栅电极区包括分立的第一栅电极、第二栅电极、第三栅电极以及形成在第一栅电极与第二栅电极之间和第二栅电极与第三栅电极之间的隔离层；位于栅电极区的侧壁的侧墙；位于栅电极区两侧并位于衬底内的源极区和漏极区。所述半导体结构形成工艺简单，且所述半导体结构相应速度快。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]太阳能电池的电极结构-CN202320398165.3有效
发明人：石强;陈刚 -专利权人：浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请提供了一种太阳能电池的电极结构，该太阳能电池的电极结构包括正电极结构以及负电极结构，正电极结构包括正电极主栅、多个间隔设置的第一正电极副栅以及多个间隔设置的第二正电极副栅，其中，多个第一正电极副栅与多个第二正电极副栅交叉接触，多个第一正电极副栅的一端分别与第一正电极主栅接触，多个第二正电极副栅的一端分别与第二正电极主栅接触；负电极结构包括负电极主栅、多个间隔设置的第一负电极副栅以及多个间隔设置的第二负电极副栅，多个第一负电极副栅与多个第二负电极副栅交叉接触，多个第一负电极副栅的一端分别与第一负电极主栅接触，多个第二负电极副栅的一端分别与第二负电极主栅接触。
太阳能电池电极结构

[实用新型]太阳能电池的电极结构及太阳能电池-CN202222227884.7有效
发明人：范洵;付少剑;郁寅珑;张明明 -专利权人：滁州捷泰新能源科技有限公司
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开一种太阳能电池的电极结构及太阳能电池，涉及太阳能电池技术领域。所公开的电极结构设于太阳能电池的电池片上，电极结构包括正电极主栅、正电极副栅、负电极主栅和负电极副栅，其中，正电极副栅包括正电极副栅干线和正电极副栅支线，正电极副栅干线的第一端连接于正电极主栅，正电极副栅支线的第一端连接于正电极副栅干线，负电极副栅包括负电极副栅干线和负电极副栅支线，负电极副栅干线的第一端连接于负电极主栅，负电极副栅支线的第一端连接于负电极副栅干线。上述方案能够解决相关技术中，太阳能电池的电极结构的正电极副栅以及负电极副栅收集电流的能力较差的问题。
太阳能电池电极结构

[实用新型]一种防断栅的晶硅太阳能电池正电极网版图形结构-CN202220664699.1有效
发明人：王丽婷;周啸颖;王守志;舒振兴;王金淳;孙航;黄镇;刘阳;高荣刚;黄国平 -专利权人：中节能太阳能科技（镇江）有限公司
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： B41F15/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种防断栅的晶硅太阳能电池正电极网版图形结构结构，包括正电极主栅和正电极细栅，正电极主栅与正电极细栅相互垂直，正电极主栅与正电极细栅的交界处设有防断栅结构，防断栅结构包括梯形防断栅段和矩形防断栅段，梯形防断栅段为自正电极主栅向正电极细栅的方向防断栅梯形截面逐渐变窄的等腰梯形结构，梯形下底与正电极主栅相连，矩形防断栅段位于梯形防断栅段上底和正电极细栅之间。相比于现有技术，本实用新型的设计的防断栅正电极图形可以有效降低电池片正电极印刷时断栅比例，能最大限度的减少正电极细栅线光生载流子的收集损失，从而进一步提高电池片的转换效率。
一种防断栅太阳能电池电极版图结构

[实用新型]一种新型屏蔽栅MOSFET器件栅结构-CN202220457562.9有效
发明人：王新;周仲建;张帅 -专利权人：成都复锦功率半导体技术发展有限公司
申请日： 2022-03-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种新型屏蔽栅MOSFET器件栅结构，自下而上依次生长有衬底、半导体漂移区、body区和半导体源区，还包括栅结构，所述栅结构从半导体源区中间部位向下贯穿body区后延伸至半导体漂移区内，由位于中间部位的屏蔽栅和位于屏蔽栅上方的控制栅构成；所述衬底的下方设置有漏电极，半导体源区的上方设置有源电极，所述屏蔽栅和控制栅分别从栅结构中引出，形成屏蔽栅电极和控制栅电极；所述屏蔽栅电极、控制栅电极以及源电极在芯片表面形成互不接触的屏蔽栅电极PAD、控制栅电极PAD以及源电极PAD。通过将屏蔽栅电极从栅结构中单独引出进行控制，能够有效降低器件导通时，屏蔽栅极侧壁区域电阻和调节工艺变化对器件击穿电压性能的影响。
一种新型屏蔽 mosfet 器件结构

[发明专利]一种半导体结构及其形成方法-CN201910795479.5在审
发明人：王楠 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-08-27 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，所述方法在基底上形成第一初始栅电极结构后，刻蚀所述第一初始栅电极结构的底部侧壁，使第一初始栅电极结构形成第一栅电极结构，所述第一栅电极结构底部的基底中具有第一沟道区，在沿所述第一沟道区的长度方向上，所述第一栅电极结构的底部尺寸小于顶部尺寸。由于第一初始栅电极结构在第一沟道区的长度方向上的尺寸相对较大，因此在形成第一初始栅电极结构的过程中，能够较好的控制第一初始栅电极结构的尺寸均一性。而第一栅电极结构由刻蚀第一初始栅电极的底部侧壁而形成，因此形成的第一栅电极结构的尺寸均一性较好，从而提高了器件的尺寸均一性，进而提高了器件的性能均一性。
一种半导体结构及其形成方法

[发明专利]栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置-CN202210634372.4在审
发明人：朴台镇;李将银;金熙中 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-06-06 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：公开了栅极结构和包括该栅极结构的半导体装置。所述栅极结构可以包括：第一栅电极，在第一方向上延伸；第二栅电极，在第一栅电极的一部分上；栅极掩模，在第一栅电极和第二栅电极上；以及栅极绝缘图案，在第一栅电极的下表面和侧壁以及第二栅电极和栅极掩模的侧壁上栅极结构在基底的上部分中。第二栅电极的晶粒尺寸大于第一栅电极的晶粒尺寸。
栅极结构包括半导体装置

[实用新型]一种高电子迁移率晶体管结构-CN202022345205.7有效
发明人：林志东;蔡仙清;刘胜厚;张辉;孙希国 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2020-10-20 - 公布日： 2021-06-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种高电子迁移率晶体管结构，它包括依次形成于衬底上方的成核层、缓冲层、沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层，AlGaN势垒层上表面形成有间隔设置的源、漏、栅电极结构，源、漏、栅电极结构之间具有钝化层，栅电极结构由第一栅电极层，设于第一栅电极层上且宽度大于第一栅电极层的第二栅电极层，设于第二栅电极层上且宽度大于第二栅电极层的第三栅电极层组成。
一种电子迁移率晶体管结构

[发明专利]具有分离栅增强结构的低栅电阻功率MOSFET器件及方法-CN202011301931.7在审
发明人：乔明;马涛;董仕达;王正康;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有分离栅增强结构的低栅电阻功率MOSFET器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、槽结构，槽结构中包含控制栅电极与分离栅电极，控制栅电极包括第一栅电极、第二栅电极和第三栅电极，第三栅电极位于第一栅电极和第二栅电极的上方，且与第一栅电极和第二栅电极邻接，第一导电类型外延层上方为第二导电类型阱区，第二导电类型阱区内部上方为第二导电类型重掺杂区，第二导电类型阱区上方为第一导电类型重掺杂源区；本发明所述器件结构既具有低栅电容特性，又具有低栅电阻特性，实现了高开关速度与低开关损耗的目标，得到了低栅电阻的分离栅增强结构的金属氧化物半导体场效应晶体管。
具有分离增强结构电阻功率 mosfet 器件方法

[发明专利]一种具有弧形栅电极的氮化镓高频晶体管及制作方法-CN202010350442.4在审
发明人：刘志宏;朱肖肖;张进成;王泽宇;郎英杰;周弘;赵胜雷;张雅超;张苇杭;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-04-28 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有弧形栅电极的氮化镓高频晶体管及制作方法，包括：晶圆结构；栅电极、源电极和漏电极，所述栅电极、所述源电极和所述漏电极设置于所述晶圆结构上，其中，所述栅电极包括栅脚和设置于所述栅脚上的栅头，所述栅头的体积大于所述栅脚的体积，所述栅头与所述栅脚的连接处为弧形。本发明的晶圆结构为氮化镓高迁移率晶体管外延结构，包括衬底层、复合缓冲区、沟道层和复合势垒区，栅电极采用弧形结构，可提高器件的工作频率、增加器件的击穿电压，使器件具有更低的导通电阻和更高的输出电流。
一种具有弧形电极氮化高频晶体管制作方法

[发明专利]半导体器件-CN201810263317.2在审
发明人：金柱然 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-03-28 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：第一栅电极结构设置在衬底的NMOS区域上。第一栅电极结构包括第一阻挡层、第一栅电极层和第二阻挡层，其如所列的次序堆叠。第二栅电极结构设置在PMOS区域上。第二栅电极结构包括第三阻挡层、第二栅电极层和第三栅电极层，其如所列的次序堆叠。第一栅电极层和第三栅电极层包括基本相同的材料。第二阻挡层和第二栅电极层包括基本相同的材料。
栅电极层栅电极结构阻挡层半导体器件衬底堆叠

[发明专利]半导体结构和CMOS晶体管的形成方法-CN201510870357.X有效
发明人：张海洋;张城龙;纪世良 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-01 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构的形成方法和一种CMOS晶体管的形成方法。所述半导体结构的形成方法包括：提供基底以及位于所述基底上的伪栅结构，所述伪栅结构包括栅介质层、伪栅电极和侧墙；去除所述伪栅电极，形成暴露出所述栅介质层的凹槽；形成栅电极材料层，所述栅电极材料层填充满所述凹槽并覆盖所述基底的表面；采用化学机械研磨工艺去除所述凹槽外的栅电极材料层，剩余在所述凹槽内的栅电极材料层构成栅电极层，且在所述化学机械研磨工艺去除所述凹槽外的栅电极材料层时，在所述基底的外围区域形成栅电极材料残余层；对所述基底的外围区域进行斜边刻蚀处理，去除所述栅电极材料残余层。本发明形成的半导体结构良率高。
半导体结构 cmos 晶体管形成方法

[发明专利]半导体装置-CN202211222032.7在审
发明人：崔茂林;成政泰;张允瑄 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-08 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：所述半导体装置包括包含单元区域和外围电路区域的第一基底和第二基底、第一栅电极结构和第二栅电极结构、第一沟道和第二沟道以及第一晶体管至第三晶体管。第一栅电极结构和第二栅电极结构在竖直方向上包括第一栅电极和第二栅电极。第一沟道和第二沟道延伸穿过第一栅电极结构和第二栅电极结构。第一晶体管在外围电路区域上。第二栅电极结构在第一栅电极结构和第一晶体管上。第二晶体管和第三晶体管在第二栅电极结构上。第二基底在第二晶体管和第三晶体管上。第一沟道和第二沟道彼此不直接接触，彼此电连接，并且从第二晶体管接收电信号。第一晶体管和第三晶体管将电信号施加到第一栅电极和第二栅电极结构。
半导体装置

[发明专利]垂直存储器件及其制造方法-CN201910979076.6有效
发明人：李在吉;宋姝璃;刘香根;李世昊 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-10-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B51/00 文献下载
摘要：根据一个方面的垂直存储器件包括衬底，设置在衬底上的第一栅电极结构以及在基本上垂直于衬底的第一方向上与第一栅电极结构间隔开的第二栅电极结构，设置在第一栅电极结构与第二栅电极结构之间的沟道接触电极层，以及沿第一方向延伸并与沟道接触电极层以及第一栅电极结构和第二栅电极结构接触的沟道层
垂直存储器件及其制造方法

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