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[发明专利]掺杂区形成方法-CN200810113987.2有效
发明人： 韩秋华;杜珊珊;韩宝东;李泽逵 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：一种掺杂区形成方法，包括：在基底上确定掺杂区域；对所述区域完成离子注入操作；将经历所述离子注入操作的基底移出离子注入腔室，移出时，所述基底的温度小于或等于磷酸生成温度；清洁所述基底；对经历所述清洁操作的基底执行热处理操作，形成掺杂区。可减少掺杂区表面凹陷的产生，进而减少掺杂损失。
掺杂形成方法

[发明专利]凸点下金属层和连接垫层的形成方法-CN200810114066.8有效
发明人：王新鹏;韩秋华;沈满华;孙武 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：一种凸点下金属层的形成方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有金属层、绝缘介质层及位于绝缘介质层中的凹槽，金属层位于绝缘介质层之上以及凹槽内；在金属层之上形成硬掩膜层；在硬掩膜层之上形成光刻胶层，定义出凸点下金属层形状；以光刻胶层为掩膜刻蚀硬掩膜层；去除光刻胶层；以硬掩膜层为掩膜刻蚀金属层；去除硬掩膜层。类似地，本发明还提供了一种形成连接垫层的方法。与现有技术相比，本发明重新安排了灰化和刻蚀凸点下金属层的工艺步序，使绝缘介质层在去除光刻胶的过程中有了金属层的保护，解决了绝缘介质层中聚酰亚胺大量损失的问题，有助于提高产品的良率。
凸点下金属连接垫层形成方法

[发明专利]掺杂区、阱区形成方法和基底图形化方法-CN200810113985.3有效
发明人：韩宝东;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-05-30 - 公布日： 2009-12-02 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：一种掺杂区形成方法，包括：在基底上形成栅极；在具有所述栅极的基底上形成图形化的抗蚀剂层；以所述抗蚀剂层为掩模，对具有所述栅极的基底执行离子注入操作；利用缓冲气体去除所述抗蚀剂层，形成掺杂区。本发明还提供了一种阱区形成方法和一种基底图形化方法。可减小完成清洗操作后在所述掺杂区、阱区或基底表面产生凹陷的深度。
掺杂形成方法基底图形

[发明专利]去除光刻胶残留的方法-CN200810112515.5有效
发明人： 韩秋华;马擎天 -专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2008-05-23 - 公布日： 2009-11-25 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种去除光刻胶残留的方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有第一掺杂区、第二掺杂区和图形化的光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述半导体衬底上的第一掺杂区并暴露第二掺杂区，所述第一掺杂区经离子注入而掺杂有第一离子，所述第二掺杂区上与第一掺杂区交界处具有交界区，所述交界区与第二掺杂区上其他部位光反射性能不同的，所述交界区留有光刻胶残留；对所述半导体衬底进行等离子体处理，去除所述光刻胶残留；以所述光刻胶层为掩膜，对所述第二掺杂区进行处理，并去除光刻胶层。上述方法去除因交界区光反射性能差异所产生的光刻胶残留，防止其影响后续处理第二掺杂区的工艺。
去除光刻残留方法

[发明专利]控制刻蚀方法及刻蚀装置的控制装置-CN200810105303.4有效
发明人：杜珊珊;韩秋华;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种控制刻蚀方法，包括：获取同一批生长的薄膜的厚度的平均值；判断平均值是否超出预定范围；若平均值超出预定范围，进行附加刻蚀工艺和标准刻蚀工艺；若在预定范围内，进行标准刻蚀工艺。相应地，本发明还提供一种控制刻蚀装置。本发明通过对同一批生长的薄膜的厚度计算其平均值，对于平均值超出预定范围的该批薄膜在进行标准刻蚀工艺之前或者之后进行附加刻蚀的时候，均采用相同的附加刻蚀的参数，故避免了现有技术的在进行附加刻蚀前对每片半导体衬底上的薄膜进行测试、和调整附加刻蚀的参数步骤，节约了工艺过程，缩短了整个刻蚀过程的时间。
控制刻蚀方法装置

[发明专利]减小LDD光刻制程中硅凹陷的方法-CN200810033973.X无效
发明人：韩宝东;韩秋华;张世谋;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2008-02-28 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明揭示了一种减小LDD光刻制程中硅凹陷的方法，包括：在沉积光阻层之前沉积一牺牲性氧化层，该牺牲性氧化层至少覆盖无法被后续的光阻层所覆盖的有源区；该牺牲性氧化层在LDD光刻制程中进行湿法刻蚀的过程中，防止有源区硅层的损伤；移除剩余的牺牲性氧化层。采用本发明的技术方案，通过沉积牺牲性氧化层，使得在湿法刻蚀的步骤中首先被刻蚀的是牺牲性氧化层，从而有效地保护了器件本身的硅层不会被消除掉。
减小 ldd 刻制程中硅凹陷方法

[发明专利]栅极形成方法-CN200710094524.1有效
发明人： 韩秋华;杜珊珊;张文广;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极形成方法，包括：在半导体基底上形成多晶硅层；对所述多晶硅层执行掺杂操作；在经历掺杂后的多晶硅层上形成钝化层及图形化的抗蚀剂层；以所述图形化的抗蚀剂层为掩膜，利用氢氟酸溶液图形化所述钝化层；以图形化的所述钝化层为掩膜，图形化经历掺杂后的多晶硅层，以形成栅极。可在确定的栅极临界尺寸下，减少栅极颈相缺陷的产生。
栅极形成方法

[发明专利]金属硅化物接触层的制造方法-CN200710094567.X有效
发明人：杜珊珊;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：金属硅化物接触层的制造方法，包括：提供具有多晶硅栅极的半导体衬底；在所述多晶硅栅极侧壁形成侧壁层；在所述半导体衬底表面、多晶硅栅极和侧壁层表面形成金属层；对具有金属层的半导体衬底执行退火工艺，所述金属层与多晶硅栅极反应，生成金属硅化物；去除未发生反应的金属层材料；通过增大或减小侧壁层施加于所述多晶硅栅极的张应力，使形成于所述多晶硅栅极上的金属硅化物的方块电阻相应的减小或增大。本发明能够根据需要调整金属硅化物接触层的方块电阻，且对其它结构或膜层具有较小的影响。
金属硅接触制造方法

[发明专利]栅极、浅沟槽隔离区形成方法及硅基材刻蚀表面的平坦化方法-CN200710094520.3有效
发明人： 韩秋华;张海洋;马擎天 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：一种栅极形成方法，包括：在半导体基底上形成介质层；在所述介质层上形成多晶硅层；刻蚀所述多晶硅层；采用包含氟基气体和氧气的气体对刻蚀后的所述多晶硅层执行各向同性等离子体刻蚀操作；对经历各向同性等离子体刻蚀操作的所述半导体基底执行清洗操作，以形成栅极。可改善栅极侧壁的刻蚀均匀性。一种浅沟槽隔离区形成方法，可改善所述浅沟槽的侧壁及底壁的刻蚀均匀性；一种硅基材刻蚀表面的平坦化方法，可改善硅基材表面的刻蚀均匀性。
栅极沟槽隔离形成方法基材刻蚀表面平坦

[发明专利]通孔形成方法-CN200710094499.7有效
发明人： 韩秋华;何德飚;韩宝东 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种通孔形成方法，包括：在半导体基底上形成接触层，所述半导体基底内已形成掺杂扩散区；在所述接触层上形成介质层；图形化所述介质层，以形成暴露部分接触层的接触孔；去除暴露的所述部分接触层的表层，剩余的所述部分接触层具有满足产品要求的厚度；填充所述接触孔，以形成通孔。可减小接触电阻，且操作简单。
形成方法

[发明专利]形成浅沟槽隔离结构及刻蚀方法-CN200710094465.8无效
发明人：陈海华;韩秋华;张海洋;刘乒 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种形成浅沟槽隔离结构方法，包括：提供依次带有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底；在腐蚀阻挡层上形成第一掩膜层；在第一掩膜层上依次形成抗反射层和图案化光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，刻蚀抗反射层和第一掩膜层至露出腐蚀阻挡层；去除光刻胶层和抗反射层后，以第一掩膜层为掩膜，刻蚀腐蚀阻挡层和垫氧化层至露出半导体衬底；以第一掩膜层、腐蚀阻挡层和垫氧化层为掩膜，刻蚀半导体衬底，形成浅沟槽；去除第一掩膜层后，在浅沟槽内侧沉积衬氧化层，并将绝缘氧化层填充满浅沟槽；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明还提供一种刻蚀方法。本发明在刻蚀时腐蚀阻挡层由第一掩膜层保护，厚度不变化，提高了隔离结构的隔离效果。
形成沟槽隔离结构刻蚀方法

[发明专利]金属前介质层内连接孔及其形成方法-CN200710042151.3有效
发明人： 韩秋华;张海洋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种金属前介质层内连接孔，所述连接孔位于连接基体上，包括：位于所述连接基体上的通孔和覆盖所述通孔侧壁及底部的粘接层，所述连接孔还包括钨填充层，所述钨填充层形成于所述粘接层上；所述连接孔还包含至少一层导电层，所述导电层的电导率高于钨填充层，所述导电层覆盖所述钨填充层。可具有减小的连接孔内接触电阻。一种金属前介质层内连接孔的形成方法，包括：提供连接基体；在所述连接基体上形成通孔；形成覆盖所述通孔侧壁及底部的粘接层；在所述粘接层上形成钨填充层；在所述钨填充层上形成至少一层导电层，所述导电层的电导率高于所述钨填充层。可形成具有减小的接触电阻的连接孔。
金属介质连接及其形成方法

[发明专利]CMOS器件钝化层形成方法-CN200710042153.2有效
发明人：张海洋;韩秋华;韩宝东;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS器件钝化层形成方法，包括：提供半导体基体，所述半导体基体包含至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管；形成第一应力膜层，并形成第一应力体；去除覆盖第二晶体管的第一应力膜层；形成第二应力膜层，并形成第二应力体；形成覆盖所述第二应力体，并填充所述第二应力体和已覆盖第二应力膜层的第一应力体间的间隔区域，且所述牺牲层表面与覆盖第二应力膜层后的第一应力体上表面平齐的牺牲层；形成图形化的抗蚀剂层；以所述抗蚀剂层为掩膜，去除部分牺牲层和第二应力膜层；去除所述抗蚀剂层；以所述第一应力膜层为刻蚀停止层，去除牺牲层和部分第二应力膜层。可使具有不同应力类型的钝化层间交界处的平滑度满足工艺要求。
cmos 器件钝化形成方法

[发明专利]CMOS器件应力膜的形成方法-CN200710042129.9有效
发明人：张文广;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-18 - 公布日： 2008-12-24 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种CMOS器件应力膜的形成方法，包括：提供半导体基体，所述半导体基体包含至少一个CMOS器件，所述CMOS器件包含至少一个PMOS晶体管和至少一个NMOS晶体管；形成拉应力膜层，所述拉应力膜层覆盖所述NMOS晶体管和PMOS晶体管；利用DHF去除所述PMOS晶体管上的拉应力膜层；沉积压应力膜层，所述压应力膜层覆盖所述PMOS晶体管。或者，在形成所述拉应力膜层后，利用干式刻蚀去除覆盖所述PMOS晶体管的部分拉应力膜层；利用DHF去除所述PMOS晶体管上的拉应力膜层；沉积压应力膜层，所述压应力膜层覆盖所述PMOS晶体管。可减小去除拉应力膜层时造成的器件表面损伤。
cmos 器件应力形成方法

[发明专利]通孔的形成方法-CN200610147808.8有效
发明人：杜珊珊;韩秋华;张世谋 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2006-12-22 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种通孔的形成方法，包括步骤：提供衬底；对所述衬底进行光刻处理，形成具有第一孔径的孔图案；沉积附加介质层；刻蚀所述衬底，在所述衬底上形成具有第二孔径的通孔。采用本发明的形成方法形成的通孔，尺寸均匀、形状规则，且孔径的可调整范围较大，可控性较强，形成质量较高。
形成方法