专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种高效刻字膜刻制图案排版方法-CN201911174251.0在审
  • 李伸;肖廷本 - 苏州赛客爱茵智能科技有限公司
  • 2019-11-26 - 2020-04-14 - B44C1/165
  • 本发明提供一种胶膜刻制图案的紧密排布方法,其通过将所有刻制单元按长度尺寸由大到小依次排列,按刻制单元组的排列顺序在本列从下到上依次排列各刻制单元,每排列一个刻制单元计算其上部空间的尺寸,如上部空间尺寸大于下一个要排列的刻制单元,则将该刻制单元进行排列,如上部空间尺寸小于下一个要排列的刻制单元,则跳过该刻制单元,直至该列上部空间尺寸小于所有的刻制单元宽度。该胶膜刻制图案的紧密排布方法能够实现刻字膜刻制图案的自动化排列,可大幅提高刻字膜刻制图案的排列速度,提高工作效率;再有采用这种方法能大幅提高刻字膜的利用率,减少浪费,提高经济效益。
  • 一种高效刻字刻制图案排版方法
  • [发明专利]去除深沟渠剑山的方法-CN02152651.6有效
  • 倪志荣;江家興;刘岳良 - 华邦电子股份有限公司
  • 2002-11-28 - 2004-06-16 - H01L21/306
  • 一种去除深沟渠剑山的方法,是用以去除在一晶片上制作深沟渠时所产生的剑山,其步骤包含:于该晶片正面覆上一光阻层;对该晶片洗边至一特定范围以裸露该剑山;对该晶片进行一第一蚀刻制程,该第一蚀刻制程是为一湿式蚀刻制程,利用蚀刻液可由晶片背面回蚀到晶片正面的作用,去除该剑山;对该晶片进行一第二蚀刻制程,该第二蚀刻制程是为一干式蚀刻制程,利用该干式蚀刻制程去除于该第一蚀刻制程中形成的氮化硅(SiN)薄片;以及将该晶片正面的光阻层去除
  • 去除深沟渠剑山方法
  • [实用新型]一种椭圆通孔三维结构电感-CN202020265806.4有效
  • 陈立均;代文亮;李苏萍;吴浩昱 - 上海芯波电子科技有限公司
  • 2020-03-05 - 2020-11-06 - H01L23/64
  • 本实用新型公开了一种椭圆通孔三维结构电感,包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层,所述晶圆块表面刻制电容下极板,电容下极板表面设置第一隔离介质层,第一隔离介质层上刻制第一通孔,第一通孔连通至电容下极板,并在第一隔离介质层上刻制电容上极板,电容上极板刻制第二隔离介质层,并在第二隔离介质层上刻制管脚窗口,晶圆块与电容下极板相对的一面刻制第二通孔,第二通孔连通至电容下极板,晶圆块下表面刻制背面金属走线,并在背面金属走线上刻制第三隔离介质层
  • 一种椭圆三维结构电感
  • [实用新型]一种高孔径比衬底穿孔结构-CN202020255749.1有效
  • 陈立均;代文亮;李苏萍 - 上海芯波电子科技有限公司
  • 2020-03-05 - 2020-10-02 - H01L23/522
  • 本实用新型公开了一种高孔径比衬底穿孔结构,包括晶圆块、电容下极板和第一隔离介质层,所述晶圆块表面刻制第一金属孔,晶圆块上表面刻制电容下极板,并在电容下极板表面设置第一隔离介质层,第一隔离介质层上刻制第一通孔,第一通孔连通至电容下极板,并在第一隔离介质层上刻制电容上极板,晶圆块下表面刻制第二金属孔,晶圆块下表面刻制背面金属走线并在背面金属走线上刻制第三隔离介质层,本实用新型优化了衬底通孔的工艺流程,创新性的在衬底两面进行通孔工艺
  • 一种孔径衬底穿孔结构
  • [实用新型]一种刻制墓碑碑文的石刻机械设备-CN202122160835.1有效
  • 曾振保 - 惠安建振石业有限公司
  • 2021-09-08 - 2022-03-01 - B28D1/30
  • 本实用新型公开了一种刻制墓碑碑文的石刻机械设备,具体涉及石刻机械设备领域。本实用新型提供的一种刻制墓碑碑文的石刻机械设备,包括底座、工作台、夹紧装置、支撑架、刻制装置、清灰装置、降温装置,所述工作台设置于所述底座上,所述工作台与所述底座之间设有前后移动装置,所述支撑架设置于所述底座上,所述支撑架上设有左右移动装置,所述左右移动装置上设有上下移动装置,所述刻制装置设置于所述上下移动装置上,所述所述清灰装置、所述降温装置均设置于所述刻制装置上,其中,所述前后移动装置、所述左右移动装置、所述上下移动装置相互配合以使所述刻制装置在墓碑上刻制碑文。
  • 一种刻制墓碑碑文石刻机械设备
  • [实用新型]一种轮胎生产用胎面花纹刻制设备-CN202221066236.1有效
  • 周德勇 - 重庆市金盾橡胶制品有限公司
  • 2022-05-06 - 2022-08-16 - B26D7/02
  • 本实用新型公开了一种轮胎生产用胎面花纹刻制设备,包括刻制机本体以及定位装置,定位装置安装在刻制机本体上,定位装置包括定位结构、夹紧结构以及缓冲结构;定位结构安装在刻制机本体上,夹紧结构安装在定位结构上,通过定位结构可以对轮胎的安装位置进行限定,保证夹紧时,轮胎的位置稳定,不会发生偏移;本案设置夹紧结构,通过夹紧结构可以实现对轮胎的自动化夹紧,提高夹紧安装的速度,提高加工效率;本案设置有缓冲结构,通过缓冲结构可以避免刻制机与轮胎长时间接触,因为碰撞冲击导致的刻制机使用寿命降低的问题。
  • 一种轮胎生产用胎面花纹刻制设备

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