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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件金属连接孔的制造方法和半导体器件-CN200610147807.3有效
  • 马擎天;韩秋华 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2006-12-22 - 2008-06-25 - H01L21/768
  • 本发明公开了一种半导体器件金属连接孔的制造方法，包括：在半导体衬底表面形成MOS器件，所述MOS器件包括栅极、源区和漏区，在所述栅极表层形成有栅极金属硅化物；在所述源区和漏区表层形成有源漏金属硅化物；所述栅极两侧具有包括氧化硅层和氮化硅层的侧壁隔离物；腐蚀所述衬底表面的所述氧化硅层，在所述侧壁隔离物与源区和漏区的表面之间形成凹陷；沉积介质层并刻蚀所述介质层形成通孔，所述通孔底部露出所述源漏金属硅化物；在所述源漏金属硅化物表面沉积黏附层；在所述通孔中填充金属形成金属连接孔。本发明的方法能够防止金属硅化物转变为高阻态和向沟道方向的扩散。
  • 半导体器件金属连接制造方法
  • [发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610119141.0有效
  • 张海洋;韩秋华;杜珊珊;韩宝东 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2006-12-05 - 2008-06-11 - H01L21/336
  • 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，包括提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；形成覆盖所述衬底和栅极表面的高介电常数氧化层；形成覆盖所述氧化层的氮化硅层；刻蚀所述氧化层和氮化硅层形成侧壁间隔物；在所述侧壁间隔物两侧的衬底中形成源极和漏极；形成自对准阻挡层覆盖所述衬底、侧壁间隔物和栅极表面；利用所述自对准阻挡层为掩膜在所述栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物；移除所述自对准阻挡层。本发明能够在利用自对准工艺形成金属硅化物的过程中有效地避免侧壁间隔物下方凹陷的产生。
  • 半导体器件及其制造方法
  • [发明专利]半导体器件的制造方法-CN200610119170.7无效
  • 韩秋华;张世谋 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2006-12-05 - 2008-06-11 - H01L21/336
  • 本发明提供了一种半导体器件的制造方法：包括提供一半导体衬底，在所述衬底表面形成栅极；在所述栅极两侧形成侧壁间隔物；在所述侧壁间隔物两侧的衬底中形成源极和漏极；在所述衬底、侧壁间隔物和栅极表面形成第一介质层；在所述第一介质层表面形成第二介质层；在所述栅极、源极和漏极表面形成金属硅化物；干法刻蚀去除所述第二介质层；湿法去除所述第一介质层。所述第一介质层为富硅氧化物层，所述第二介质层为氮化硅、氮氧化硅或其组合。本发明的方法在去除自对准阻挡层的过程中，不但能避免破坏衬底有源区，而且可防止侧壁间隔物下方凹陷的产生。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610030796.0有效
  • 韩秋华 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2006-09-04 - 2008-03-12 - H01L21/311
  • 一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层及图案化的光致抗蚀剂层；刻蚀抗反射涂层；刻蚀介质层；移除光致抗蚀剂层；进行刻蚀终止层的刻蚀；所述介质层的刻蚀过程包括第一刻蚀过程和第二刻蚀过程；分别选用第一刻蚀气体和第二刻蚀气体进行所述第一刻蚀过程和第二刻蚀过程。采用本发明方法，可提高光致抗蚀剂层的致密度，进而有效地控制刻蚀通孔的形貌；并可进一步调整横向、纵向的刻蚀选择比，精确控制刻蚀通孔的形状，以避免损伤栅极侧墙，保证器件可正常工作。
  • 刻蚀方法
  • [发明专利]通孔刻蚀方法-CN200610030795.6有效
  • 韩秋华 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2006-09-04 - 2008-03-12 - H01L21/311
  • 一种通孔刻蚀方法，包括：形成通孔刻蚀结构，所述通孔刻蚀结构包含顺序沉积的粘接层、刻蚀终止层、介质层、辅助刻蚀终止层及图案化的光致抗蚀剂层；将所述刻蚀终止层分为第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层，所述第一刻蚀终止层及第二刻蚀终止层分别具有第一厚度及第二厚度；顺序刻蚀辅助刻蚀终止层、介质层及第一刻蚀终止层；移除光致抗蚀剂层；刻蚀第二刻蚀终止层及部分粘接层，同时进行终点检测。通过在介质层上方增加辅助刻蚀终止层，且所述辅助刻蚀终止层与所述刻蚀终止层材料相同，可保证移除通孔内刻蚀终止层材料时，刻蚀终止层的终点检测获得足够的检测粒子数目，提高刻蚀检测数据的相对稳定性，可实现通孔刻蚀的终点检测。
  • 刻蚀方法
  • [实用新型]环保抽烟用具-CN200620138316.8无效
  • 韩秋华 - 韩秋华
  • 2006-09-22 - 2007-10-03 - A24F13/06
  • 本实用新型提供一种结构简单、使用方便的环保型抽烟用具，它包括一体式的烟嘴和烟杆。烟嘴和烟杆之间是一个安放过滤芯的过滤腔，烟杆内部为一个放置香烟的空腔，烟杆由可掀开的翻盖和底座组成。在烟杆上有数个通孔，内壁上固设有过滤烟气的过滤层。烟杆的后端由阻燃网封闭。与现有的分体式结构的抽烟用具相比，本实用新型结构简单，方便实用，具有减少环境污染、不撒落烟灰、不造成他人被动吸烟的特点。
  • 环保抽烟用具
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