“韩秋华”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果294个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体结构的制作方法-CN201510916709.0有效
发明人： 韩秋华;潘亚武;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-12-10 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种半导体结构的制作方法，包括：提供绝缘体上硅衬底，所述绝缘体上硅衬底包括PMOS区域和NMOS区域；在所述PMOS区域上形成第一鳍部，所述第一鳍部顶部被第一硬掩膜块覆盖，侧面暴露；在所述NMOS区域上形成第二鳍部，所述第二鳍部顶部和侧面都暴露；采用退火工艺对所述第一鳍部和所述第二鳍部进行退火处理。所述半导体结构的制作方法提高PMOS鳍式场效应管和NMOS鳍式场效应管的电流匹配性能。
半导体结构制作方法

[发明专利]鳍部的形成方法和鳍式场效应管的形成方法-CN201610016115.9有效
发明人： 韩秋华;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2016-01-11 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍部的形成方法和鳍式场效应管的形成方法。其中，所述鳍部的形成方法包括：在半导体衬底的第一区的表面和第二区的表面形成硬掩膜层；形成位于硬掩膜层中的开口；沿开口刻蚀半导体衬底，直至形成第一沟槽，相邻第一沟槽之间的剩余半导体衬底成为第一鳍部；在第一沟槽和开口内填充满填平材料；在第一区的填充材料上形成光刻胶层；刻蚀位于第二区的填充材料、硬掩膜层和第一鳍部，直至去除位于第二区的第一鳍部，并使第二区中的第一沟槽成为第一凹槽；以第一鳍部和硬掩膜层为掩模，并沿第一沟槽和第一凹槽继续刻蚀半导体衬底。所述形成方法消除了稀疏鳍负载效应，节省了工艺步骤，简化了工艺过程，提高了工艺效率。
形成方法场效应

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201510531698.4有效
发明人：张海洋;孟晓莹;韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底、位于衬底表面的栅极膜以及位于栅极膜表面的初始掩膜层；在初始掩膜层表面形成图形化的光刻胶层；以图形化的光刻胶层为掩膜，刻蚀初始掩膜层形成若干分立的硬掩膜层，且硬掩膜层上以及栅极膜表面形成有聚合物杂质；采用灰化工艺去除图形化的光刻胶层，灰化工艺包括依次进行的第一灰化工艺和第二灰化工艺，第一灰化工艺还适于去除聚合物杂质中的硅离子，第二灰化工艺还适于去除聚合物杂质中的碳离子；在进行灰化工艺之后，对硬掩膜层以及栅极膜进行湿法清洗处理；以硬掩膜层为掩膜刻蚀所述栅极膜，在衬底上形成若干分立的栅极；在栅极两侧的衬底内形成源区和漏区。本发明提高了形成的栅极的质量。
半导体器件形成方法

[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法-CN201510465603.3有效
发明人： 韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干第一凹槽；在所述半导体衬底上形成硅锗层，所述硅锗层填充满第一凹槽；刻蚀去除部分厚度的硅锗层，在所述硅锗层中形成若干第二凹槽；对所述第二凹槽侧壁和底部的硅锗层进行平坦化处理；进行平坦化处理后，在所述第二凹槽中形成填充满第二凹槽的磷化铟层；回刻蚀去除磷化铟层之间的硅锗层，暴露出磷化铟层的侧壁表面；在所述磷化铟层的顶部和侧壁表面上形成铟镓砷层；在所述铟镓砷层表面上形成高K介质层；在所述高K介质层上形成金属栅电极。本发明方法形成的鳍式场效应晶体管载流子迁移率提升。
场效应晶体管及其形成方法

[发明专利]形成具有扩展空气间隙的半导体器件的方法-CN201610178733.3有效
发明人： 韩秋华;吴端毅;肖芳元 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2016-03-25 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种形成具有空气间隙的半导体器件的方法，通过对金属互连线进行回刻蚀来在所述金属互连线上方形成凹槽，以用于定义金属互连线之间形成空气间隙的扩展深度，从而保证了后续形成的器件结构的对准精度，同时通过在凹槽中填充第三层间介质层后，将金属互连线周围的第二层间介质层替换为牺牲层，并在之后在牺牲层和第三层间介质层上覆盖第四层间介质层，使得去除牺牲层而获得空气间隙仅在深度方向上扩展，从而在实现进一步降低金属互连结构之间的寄生电容的同时，还能足够保证器件的机械抗压能力的效果。
形成具有扩展空气间隙半导体器件方法

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201510943662.7有效
发明人： 韩秋华;郑喆 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2015-12-15 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明的半导体器件的制造方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有用于形成N型金属栅极的第一伪栅极和用于形成P型金属栅极的第二伪栅极，所述半导体衬底上还形成有包围所述第一伪栅极和所述第二伪栅极的层间介电层；去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极中的一个以形成第一填充开口，并在所述第一填充开口内形成第一金属栅极；在所述第一金属栅极上形成第一硬掩膜层和第二硬掩膜层，所述第一硬掩膜层为易于被等离子体去除的多孔聚合物层；以所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层为掩膜，去除所述第一伪栅极和所述第二伪栅极中的另一个以形成第二填充开口，并去除所述第一硬掩膜层和第二硬掩膜层；在所述第二填充开口内形成第二金属栅极。
一种半导体器件制造方法

[发明专利]半导体结构形成方法-CN201410621485.6有效
发明人： 韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有若干伪栅极，所述伪栅极包括位于半导体衬底表面的栅介质层、位于栅介质层表面的金属层和位于金属层表面的伪栅层，所述伪栅极包括第一伪栅极和第二伪栅极；去除第一伪栅极的伪栅层，形成第一伪栅开口；形成填充满所述第一伪栅开口的第一铝栅极，所述第一铝栅极包括覆盖第一伪栅开口侧面及底面的第一功能层以及覆盖第一功能层的第一铝栅层；对所述第一铝栅层顶面进行改性处理，形成铝栅极保护层；去除第二伪栅极的伪栅层，形成第二伪栅开口。本方法形成抗氢氟酸水溶液腐蚀的铝栅极保护层，避免第一铝栅层受腐蚀损伤，降低半导体器件失效几率。
半导体结构形成方法

[发明专利]PMOS晶体管及其形成方法-CN201510292726.1有效
发明人： 韩秋华;肖莉红 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-06-01 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种PMOS晶体管及其形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有伪栅极结构，在所述伪栅极结构两侧的半导体衬底中形成源漏区；形成中间层，所述中间层覆盖所述伪栅极结构和所述半导体衬底；在所述中间层表面形成多层堆叠的刻蚀阻挡层，并对每一层刻蚀阻挡层分别进行紫外线固化。所述PMOS晶体管及其形成方法，可以提高PMOS晶体管的性能和可靠性。
pmos 晶体管及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN201510465545.4有效
发明人： 韩秋华;王彦 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-31 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/84 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底，包括NMOS区域和PMOS区域；在PMOS区域的半导体衬底上形成第一鳍部，在NMOS区域的半导体衬底上形成第二鳍部；在第一鳍部的侧壁表面形成第一硅锗层，在第二鳍部的侧壁表面形成第二硅锗层；形成覆盖第二硅锗层表面的掩膜层；对第一硅锗层进行锗凝结处理，形成锗鳍部和位于锗鳍部表面的氧化硅层；去除掩膜层和第二鳍部，在相邻的第二硅锗层之间形成空腔；在第二硅锗层的侧壁和顶部表面上形成铟铝砷层；在所述铟铝砷层的表面形成铟镓砷层；在形成铟镓砷层后，去除所述锗鳍部表面的氧化硅层。本发明方法提高了集成工艺中形成的器件的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体器件的形成方法-CN201711213534.2在审
发明人： 韩秋华;蒋晓钧;吴端毅 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件的形成方法，提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区域和与之相邻的第二区域，半导体衬底表面覆盖有层间介质层、贯穿第一区域上方层间介质层的第一伪栅、贯穿第二区域上方层间介质层的第二伪栅；形成硬掩膜层，硬掩膜层覆盖层间介质层、第一伪栅和第二伪栅的顶部表面；形成覆盖硬掩膜层顶部表面的阻挡层，避免后续刻蚀硬掩膜层时，硬掩膜层中的元素进入光阻层；在阻挡层表面形成光阻层，光阻层暴露出第二区域上方的阻挡层；以光阻层为掩膜去除第二区域上方的阻挡层；去除光阻层；和以阻挡层为掩膜去除硬掩膜层。在硬掩膜层与光阻层之间形成阻挡层，避免了刻蚀硬掩膜层时，氮原子扩散进入光阻层中破坏其尺寸结构。
硬掩膜层光阻层阻挡层第二区域伪栅介质层去除半导体器件第一区域顶部表面上方层衬底刻蚀掩膜半导体半导体衬底表面层间介质层阻挡层表面尺寸结构氮原子覆盖层贯穿覆盖扩散暴露

[发明专利]一种半导体器件的制造方法-CN201710995776.5在审
发明人： 韩秋华;蒋晓钧 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2017-10-23 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有鳍片；形成横跨所述鳍片的伪栅极；形成覆盖所述鳍片和所述伪栅极的层间介电层；在所述层间介电层中形成暴露所述伪栅极的凹槽，所述凹槽覆盖栅极结构需要切断的区域；在所述凹槽中形成自组装嵌段共聚物，所述自组装嵌段共聚物包括内层共聚物和外层共聚物，所述内层共聚物的图案定义所述栅极结构需要切断的区域；去除所述内层共聚物；以所述外层共聚物为掩膜执行刻蚀，以在所述伪栅极中形成暴露所述鳍片的开口。本发明提供的半导体器件的制造方法，使用自组装嵌段共聚物作为掩膜对栅极进行切断，从而缩小了栅极切断工艺的对接方向间距，并简化了工艺流程。
共聚物伪栅极鳍片自组装嵌段共聚物半导体器件内层层间介电层栅极结构衬底掩膜半导体制造对接方向图案定义工艺流程暴露覆盖刻蚀去除横跨开口

[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法-CN201510215959.1有效
发明人： 韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有栅极结构密集区和栅极结构稀疏区，半导体衬底表面具有凸起的鳍部和横跨所述鳍部的栅极结构；形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖鳍部和栅极结构；对侧墙材料层进行第一刻蚀，在栅极结构密集区的鳍部两侧形成第一侧墙，在栅极结构稀疏区的鳍部两侧形成第二侧墙，所述第一侧墙和第二侧墙低于鳍部的顶部表面；对栅极结构两侧的鳍部进行第二刻蚀，形成第一鳍部，第一侧墙与第一鳍部平齐，第二侧墙高于第一鳍部；进行第三刻蚀，第三刻蚀能够减小第二侧墙与第一鳍部的高度差；在第一鳍部上形成源漏区。所述鳍式场效应晶体管的形成方法，可以提高鳍式场效应晶体管的性能。
场效应晶体管形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201410627869.9有效
发明人： 韩秋华;孟晓莹 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-11-10 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构的形成方法，包括：提供半导体衬底和覆盖所述半导体衬底表面的栅极层膜，所述栅极层膜表面形成有若干图形化的保护层，相邻保护层的间隔距离为第一距离；以所述图形化的保护层为掩模，刻蚀部分栅极层膜，形成位于栅极层膜中的开口，所述开口的宽度大于第一距离；在形成所述开口之后，以所述保护层为掩模，刻蚀开口下方的栅极层膜直至暴露半导体衬底表面，形成栅极层，所述栅极层顶部的部分侧壁相对剩余部分侧壁向栅极层内缩进；形成位于所述栅极层和保护层侧壁表面的侧墙；在所述侧墙一侧暴露出的半导体衬底中形成沟槽；形成填充满所述沟槽的应力层。所形成的半导体结构性能改善，良率提升。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]一种FinFET器件及其制造方法-CN201410010682.4有效
发明人： 韩秋华 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种FinFET器件及其制造方法，所述制造方法包括：a)提供半导体衬底，在半导体衬底上形成鳍片，且鳍片的顶部形成有硬掩膜层；b)在鳍片两侧的半导体衬底上形成绝缘隔离层，露出硬掩膜层和鳍片的大部分；c)在露出的鳍片的两侧形成紧靠鳍片的侧墙；d)去除硬掩膜层；e)对鳍片实施退火，使鳍片的顶部与侧壁之间的夹角呈拐角圆化；f)去除侧墙。根据本发明，形成的鳍片的顶部与侧壁之间的夹角呈拐角圆化，即鳍片的顶部呈圆弧状，可以降低FinFET器件的关态电流，提升器件的性能。
一种 finfet 器件及其制造方法

[发明专利]晶体管的形成方法-CN201410504707.6有效
发明人： 韩秋华;陈杰 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种晶体管的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底表面具有栅极膜；在所述栅极膜表面形成掩膜层，所述掩膜层内掺杂有碳离子；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述栅极膜之至暴露出衬底表面为止，形成栅极层；在所述栅极层和掩膜层的侧壁表面形成第一侧墙，所述第一侧墙内掺杂有碳离子；在所述栅极层和第一侧墙两侧的衬底内形成应力层。所形成的晶体管性能提高。
晶体管形成方法