“阚志国”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果10个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法及MOSFET器件-CN202310390632.2在审
发明人：管浩;阚志国;何云;丛茂杰 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2023-04-13 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及屏蔽栅沟槽MOSFET的制造方法及MOSFET器件，提供衬底上已形成沟槽，且沟槽内已形成屏蔽栅氧化层、屏蔽栅、隔离层的半导体结构；在半导体结构位于隔离层上部裸露的沟槽侧壁处外延形成单晶硅层，然后在单晶硅层侧壁形成栅氧化层，并在沟槽内填充多晶硅形成栅多晶硅层，最后在衬底表面形成绝缘介质层后进行源极接触孔刻蚀。本发明在栅氧化层形成前，通过外延工艺在屏蔽栅上部的沟槽侧壁上生长一层单晶硅，增大了沟槽到源极接触孔之间的横向距离，能够保证小尺寸MOSFET在进行源极接触孔光刻时有充足的工艺窗口，有利确保了器件VT参数的稳定性，提高了屏蔽栅沟槽MOSFET的生产合格率。
屏蔽沟槽 mosfet 制造方法器件

[发明专利]屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法-CN202211493315.5在审
发明人： 阚志国;何云;丛茂杰 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其制备方法。该制备方法中，通过氧化屏蔽电极的凸出部以形成第一隔离层，并进一步利用预定条件下具有流动性的绝缘材料对第一隔离层和第二介质层之间的间隙进行填充，不仅可以填充间隙内的尖角形状的空隙，防止栅电极的底部产生夹角结构，并且还能够补偿隔离层的厚度，提高栅电极和屏蔽电极之间的隔离效果，进而降低器件的漏电流现象，提高器件的可靠性。
屏蔽场效应晶体管及其制备方法

[实用新型]一种带有可折叠针管保护套的植入式给药装置专用针-CN202122195666.5有效
发明人：常保鑫;李咏懋;吴超;阚志国;张建娟 -专利权人：天津哈娜好医材有限公司
申请日： 2021-09-12 - 公布日： 2022-04-08 - 主分类号： A61M5/158 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种带有可折叠针管保护套的植入式给药装置专用针，包括护套、钢针、针翼、针座，护套两外侧对称设有一个手柄，在两个手柄内侧对称设有凸柱；针翼一侧设有圆孔Ⅰ，在圆孔Ⅰ边缘设有凸台，另一侧设有圆孔Ⅱ；针座两外侧平面上对称设有一个凹孔。本实用新型结构简单，使用方便，通过在针座上设置一个可上下翻折的护套，钢针收在护套内部，避免了在使用过程中因护套滑落丢失造成污染及针刺误伤；在针翼左右两侧分别设置的凸台和圆孔结构，两侧针翼在对折进行穿刺时能够避免产生相对滑动，起到定位作用，不会影响穿刺效果。
一种带有可折叠针管护套植入装置专用

[发明专利]SiC基欧姆接触结构及其制造方法-CN202110731269.7有效
发明人：李翔;谢志平;丛茂杰;阚志国 -专利权人：绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种SiC基欧姆接触结构及其制造方法，在对所述SiC基材区进行离子掺杂以形成离子掺杂区之后且在进行退火处理以激活所述离子掺杂区中的掺杂离子之前，先在所述衬底上形成具有第一开口的保护层，所述第一开口暴露出所述离子掺杂区的至少部分顶面，由此，在该保护层的掩蔽作用下，在退火处理过程中激活所述离子掺杂区中的掺杂离子，并使得所述第一开口暴露出的离子掺杂区的顶面因发生SiC升华而变为粗糙顶面，从而在沉积金属层并再次退火后而形成SiC基欧姆接触时，可以利用粗糙顶面而提高金属与离子掺杂区之间的结合性能，进而使得SiC基欧姆接触具有更低的接触电阻，从而提高器件性能。
sic 欧姆接触结构及其制造方法

[外观设计]扑克牌-CN202130037142.6有效
发明人： 阚志国 -专利权人： 阚志国
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： 21-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：扑克牌。2.本外观设计产品的用途：用于休闲娱乐。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1组件1主视图。5.设计1组件2‑54后视图与设计1组件1后视图相同，省略设计1组件2‑54后视图;设计2组件2‑54后视图与设计2组件1后视图相同，省略设计2组件2‑54后视图;无设计要点，省略设计1组件1‑54其他视图;无设计要点，省略设计2组件1‑54其他视图。6.指定设计1为基本设计。
扑克牌

[发明专利]碳化硅衬底上的缓冲层及其形成方法-CN202110186694.2有效
发明人：李翔;丛茂杰;谢志平;阚志国;刘煊杰 -专利权人：中芯集成电路制造（绍兴）有限公司
申请日： 2021-02-18 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种碳化硅衬底上的缓冲层及其形成方法。缓冲层包括至少两层碳化硅薄膜层，并且至少对下层的碳化硅薄膜层其顶表面进行预定离子掺杂，以在碳化硅薄膜层的顶表面上形成参数不同的阻隔面，以用于阻隔延伸至碳化硅薄膜层中的位错缺陷，避免位错缺陷在碳化硅薄膜层中进一步向上传播。
碳化硅衬底缓冲及其形成方法

[发明专利]一种双层布线平坦化加工工艺-CN201810300484.X有效
发明人： 阚志国;张晓新;赵铝虎;余庆;张敏森;周卫宏;潘国刚 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种双层布线平坦化加工工艺，包括如下步骤：1）第一层金属淀积；2）一次金属光刻；3）一次金属湿刻；4）一次金属干刻；5）一次LPCVDSiO2淀积；6）平坦化介质涂布；7）固化；8）进行通孔光刻和刻蚀后再进行第二层金属淀积。本发明明显优化简化了工艺，显著缩短了工艺周期、大幅减少原材料使用、降低了对设备的性能要求。
一种双层布线平坦加工工艺

[实用新型]一种肖特基二极管划片区氧化层-CN201820475621.9有效
发明人：何火军;张晓新;鄢细根;赵铝虎;阚志国;潘国刚;周卫宏;张敏森;傅劲松 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种肖特基二极管划片区氧化层，所述的肖特基二极管划片区包括背面金属层，所述的背面金属层上依次设有N⁺衬底层、N^_外延层、势垒层、氧化层和正面金属层，且所述的势垒层两侧光刻有P⁺保护环；所述的氧化层包括11000埃的场氧区氧化层，且11000埃的场氧区氧化层上开设有20微米宽4000埃的标记区氧化层，且所述的20微米宽4000埃的标记区氧化层位于P⁺保护环之上；使所述的11000埃的场氧区氧化层和4000埃的标记区氧化层形成氧化层台阶。本实用新型既产生一种清晰可靠的切割基准线，又避免划片切割时硅过度裸露出来引起短路现象，解决了封装良率低下的问题。
氧化层肖特基二极管标记区场氧区划片区背面金属层本实用新型势垒层切割正面金属层短路现象衬底层基准线外延层光刻划片良率封装裸露清晰

[发明专利]一种光敏三极管加工工艺-CN201810298755.2在审
发明人：陆辉;赵铝虎;张晓新;余庆;阚志国;葛亚英;陈昂;任志远;鄢细根;何火军 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种光敏三极管加工工艺，依次包括如下步骤：产品导入、场氧化、基区光刻、基区刻蚀、基区掺杂、发射区光刻、发射区刻蚀、氧化、注入掺杂、氧化层淀积、发射区推进、发射区掺杂、孔光刻、孔刻蚀、金属淀积、光刻、金属刻蚀、固化、背面研磨、背面金属；其特征在于：所述工艺通过调整外延片的晶向，采用P型100晶向外延片或者衬底片作为抛光片，提高光的敏感度；同时发射区推进过程中采用小剂量注入+扩散的工艺，来保证放大倍数的可控性又保证了发射区接触电阻。
发射区光刻刻蚀基区光敏三极管掺杂外延片晶向金属氧化层淀积背面研磨接触电阻金属淀积推进过程场氧化衬底片可控性敏感度抛光片小剂量固化背面放大保证扩散

[发明专利]一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺-CN201810298724.7在审
发明人：鄢细根;张晓新;余庆;何火军;潘国刚;周卫宏;赵铝虎;张敏森;陈晓静;阚志国 -专利权人：华越微电子有限公司
申请日： 2018-04-04 - 公布日： 2018-08-24 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本发明公开了一种能降低肖特基二极管正向压降值的加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：1）外延材料高温炉管进行反推作业，温度1200—1250度，时间为60分钟；2）漂尽反推形成的厚氧，重新生长厚场氧，保护环光刻、刻蚀、环杂质注入、退火；3）在步骤2）的基础上对有源区进行光刻、刻蚀、势垒层金属溅射、势垒层合金、漂尽势垒层金属，然后进行正面Ti/Ni/Ag多层金属蒸发；4）在步骤3）的基础上，对Ti/Ni/Ag多层金属光刻、腐蚀；5）在步骤4）基础上对衬底进行减薄，背面进行Ti/Ni/Ag多层金属蒸发。本发明通过重掺杂衬底反推技术，在不影响Vz，Ir电参数前提下，显著降低Vf值。
多层金属势垒层反推光刻肖特基二极管正向压降衬底刻蚀蒸发退火高温炉管金属溅射外延材料杂质注入电参数重掺杂厚场厚氧减薄源区合金背面腐蚀金属生长

1
共 10 条