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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN202080016354.9有效
发明人：竹内有一;铃木克己;山下侑佑;加藤武宽 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：将源极区域(8)做成具有由形成在基体区域(6)侧的外延生长层构成的第1源极区域(8a)、以及由与源极电极相接并且第1导电型杂质浓度比第1源极区域高的离子注入层构成的第2源极区域(8b)的结构。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201780041600.4有效
发明人：竹内有一;宫原真一朗;秋叶敦也;铃木克己;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在p型连接层(30)的前端连结p型扩张区域(40)。通过形成这样的p型扩张区域(40)，能够消除在p型连接层(30)与p型保护环(21)之间间隔变大的区域。因此，在台面部中，能够抑制等电位线过度隆起，能够确保耐压。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]成膜装置-CN201711130137.9有效
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;矢岛雅美;原一都;藤林裕明;松浦英树;铃木克己 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，可收容基板；气体供给部，设置在成膜室的上部，具有向基板的成膜面上供给气体的多个喷嘴；加热器，对基板进行加热；以及第一保护罩，在与气体供给部的多个喷嘴相对应的位置具有多个开口部。
装置

[发明专利]碳化硅半导体装置-CN201880006962.4有效
发明人：竹内有一;秋叶敦也;青井佐智子;铃木克己 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：使得从相对于半导体衬底的表面的法线方向观察时小平面(F)不与沟槽栅构造的前端重叠。由此，用来形成沟槽栅构造的沟槽(6)的底面的深度变得均匀，能够以在底面没有凹凸的状态形成栅极绝缘膜(7)，所以能够使栅极绝缘膜(7)的膜厚成为一定。因而，能够将p型深层(5)及p型深层(30)形成到较深的位置，并且能够得到栅极绝缘膜(7)的耐压。
碳化硅半导体装置

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201780041585.3有效
发明人：竹内有一;箕谷周平;铃木克己;山下侑佑 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：与相邻的p型保护环(21)彼此的间隔对应地设定p型保护环(21)的宽度，使得p型保护环(21)彼此的间隔越大则宽度越大。另外，使框状部(32)的宽度基本上与p型深层(5)的宽度相等，并使框状部(32)彼此的间隔与p型深层(5)彼此的间隔相等。由此，能够在单元部、连接部以及保护环部减小每单位面积的沟槽(5a、21a、30a)的形成面积的差。因此，在形成p型层(50)时，进入每单位面积的沟槽(5a、21a、30a)内的p型层(50)的量的差也变小，能够使p型层(50)的厚度均匀化。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201780041566.0有效
发明人：竹内有一;铃木克己;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：关于框状部(32)及p型保护环(21)中的单元部侧与其他部分相比间隔窄，将使间隔变窄的部分设为点线部(211、322)。这样，使框状部(32)及p型保护环(21)中的单元部侧的间隔变窄，从而将单元部侧的电场集中缓和，使得等电位线更朝向外周侧。此外，通过设置点线部(211、322)，在单元部、连接部及保护环部，减少每单位面积的沟槽的形成面积的差，使形成在单元部、连接部及保护环部之上的p型层的厚度均匀化。由此，当将p型层进行回蚀时，能够抑制p型层作为残渣残留在保护环部。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201880032744.8有效
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;一般财团法人电力中央研究所;株式会社电装
申请日： 2018-04-19 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本实施方式的SiC外延晶片的制造方法具有外延生长工序，所述外延生长工序中，向所述SiC单晶基板的表面供给Si系原料气体、C系原料气体和具有Cl元素的气体，在所述SiC单晶基板上生长所述外延层，所述外延生长工序的生长条件中，成膜压力为30托以下，Cl/Si比为8～12，C/Si比为0.8～1.2，生长速度从生长初期起为50μm/小时以上。
sic 外延晶片及其制造方法

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201780041004.6有效
发明人：竹内有一;铃木克己;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2017-06-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：使相邻的p型保护环(21)彼此的间隔全部达到p型深层(5)彼此的间隔以下。由此，p型保护环(21)的间隔增大、即沟槽(21a)变稀疏，由此能够抑制在使外延生长p型层(50)时在保护环部形成得较厚。因此，如果在回蚀时将单元部的p型层(50)去除，则能够在保护环部不留残渣地去除p型层(50)。因此，在对p型层(50)进行回蚀来形成p型深层(5)或p型保护环(21)及p型连接层(30)时，能够抑制p型层(50)的残渣残留在保护环部。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]SiC外延晶片及其制造方法-CN201780082719.6在审
发明人：深田启介;石桥直人;坂东章;伊藤雅彦;镰田功穗;土田秀一;原一都;内藤正美;上东秀幸;藤林裕明;青木宏文;杉浦利和;铃木克己 -专利权人：昭和电工株式会社;株式会社电装
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种SiC外延晶片，具有主面相对于(0001)面具有0.4°～5°的偏离角的SiC单晶基板、和设置于所述SiC单晶基板上的外延层，所述外延层，从所述SiC单晶基板绵延到其外表面的基底面位错密度为0.1个/cm²以下，内在3C三角缺陷密度为0.1个/cm²以下。
单晶基板外延晶片外延层基底面偏离角主面相位错制造

[发明专利]装饰部件和装饰品-CN201510430408.7有效
发明人： 铃木克己;伊藤勉;竹森裕之 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2015-07-21 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： A44C5/00 文献下载
摘要：本发明为装饰部件和装饰品。本发明的装饰部件的特征在于，具有：第1部位，其由含有Ni的不锈钢构成；和第2部位，其与所述第1部位电连接，由包含从Mg、Al、Zn和Fe所构成的组中选择的1种或2种以上的材料构成。优选的是，所述第2部位设置在看不到的部位。并且，优选的是，所述第2部位使用膜状材料形成。优选的是，所述第1部位中的Ni的含有率是在质量上为2.0％以上且29.0％以下。
装饰部件装饰品

[发明专利]成膜装置-CN201711130148.7在审
发明人：铃木邦彦;池谷尚久;矢岛雅美;原一都;藤林裕明;松浦英树;铃木克己 -专利权人：纽富来科技股份有限公司
申请日： 2017-11-15 - 公布日： 2018-05-25 - 主分类号： C30B25/16 文献下载
摘要：本发明的实施方式的成膜装置具备：成膜室，收容基板并进行成膜处理；气体供给部，设置在成膜室的上部，并向基板上供给气体；以及加热器，对基板进行加热；成膜室具有温度上升抑制区域，所述温度上升抑制区域位于气体供给部的下部，并且抑制供给到加热器上部的气体的温度上升。
成膜室加热器气体供给部成膜装置成膜处理供给气体收容基板对基板基板加热

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201480004973.0有效
发明人：青井佐智子;渡辺行彦;铃木克己;水野祥司 -专利权人：丰田自动车株式会社;株式会社电装
申请日： 2014-01-09 - 公布日： 2017-10-27 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括在漂移层的第一区域中形成第一沟槽,该漂移层具有包括第一区域和第二区域的表面；在形成第一沟槽之后,在漂移层的表面上生长p型基极层的晶体；以及在基极层的表面上生长n型源极层的晶体。漂移层的材料、基极层的材料和源极层的材料是宽带隙半导体。
制造半导体器件方法

[发明专利]X射线图像诊断装置以及骨密度测量方法-CN201611183884.4在审
发明人：竹之内忍;铃木克己 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2016-12-20 - 公布日： 2017-08-04 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：本发明提供一种X射线图像诊断装置以及骨密度测量方法，通过准确地提取腰椎的横突能够更准确地测定骨密度，为此，X射线图像诊断装置(1)从照射具有不同能量峰值的两束X射线而拍摄的各X射线图像生成差分图像，从差分图像检测腰椎区域，并且将腰椎区域的周边部分割为局部区域，从各局部区域的像素值分布等检测横突区域以及软组织区域，以检测到的软组织区域的像素值为基准来修正腰椎区域的像素值，并基于修正后的腰椎区域的像素值计算骨密度。
射线图像诊断装置以及密度测量方法

[发明专利]透光性部件、钟表及透光性部件的制造方法-CN201611168545.9在审
发明人：古里大喜;铃木克己 -专利权人：精工爱普生株式会社
申请日： 2016-12-16 - 公布日： 2017-07-25 - 主分类号： C03C17/34 文献下载
摘要：本发明提供透光性部件、钟表及透光性部件的制造方法。所述透光性部件能够提高观察性且不易带电，所述钟表使用所述透光性部件作为玻璃罩。透光性部件(1)具备具有透光性的基材(5)，其中，在基材(5)的一个面上形成有交替层叠主要由氧化硅构成的低折射率层(12)和主要由氮化硅构成的高折射率层(11)而形成的防反射层(10)，在基材(5)的另一个面上形成有至少具有透明导电膜层(25)的防带电层(20)。
透光部件钟表制造方法

[发明专利]医用图像拍摄装置及其监视系统-CN201380038463.0有效
发明人：竹之内忍;铃木克己;柳田隼;佐藤明 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2013-08-23 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： A61B6/00 文献下载
摘要：为了提供一种监视与运转状态或寿命无关的装置异常，能够进行与该异常对应的动作的医用图像拍摄装置，具备拍摄部(13)，其拍摄被检测体来生成医用图像数据，包含一个以上单元而构成；状态信号取得部(8)，其取得用于表示每个单元的正常或异常的状态信号；状态值计算部(9)，其使用与医用图像拍摄装置的动作状况对应的权重以及所述状态信号，计算表示所述单元的不良度的等级的状态值；以及输出部(10)，其输出与所述状态值对应的信息。
医用图像拍摄装置及其监视系统

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