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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN202080016354.9有效
发明人：竹内有一;铃木克己;山下侑佑;加藤武宽 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：将源极区域(8)做成具有由形成在基体区域(6)侧的外延生长层构成的第1源极区域(8a)、以及由与源极电极相接并且第1导电型杂质浓度比第1源极区域高的离子注入层构成的第2源极区域(8b)的结构。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201880006937.6有效
发明人：浦上泰;加藤武宽;青井佐智子 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2018-01-17 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：通过进行H2退火而使层间绝缘膜(10)致密化。通过进行这样的致密化，与不进行致密化的情况相比，层间绝缘膜(10)变硬。因此，即使在对于层间绝缘膜(10)形成接触孔(10a、10b)后进行成为高温的加热工序，也抑制接触孔(10a、10b)的侧壁的角部变圆。由此，即使成为金属电极的Al－Si层(9d、31c)向接触孔(10a、10b)内的进入量较多，也抑制基于应力的层间绝缘膜(10)的变形，抑制因该应力而使栅极绝缘膜(7)产生裂纹。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置-CN202080060210.3在审
发明人：上原准市;加藤武宽;三角忠司;山下侑佑 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-03-18 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底具有形成有主开关元件构造的有源区域、形成有感测开关元件构造的电流感测区域、以及位于上述有源区域和上述电流感测区域的周围的周边区域。上述半导体衬底是在11－20方向上具有偏离角的4H－SiC衬底。上述电流感测区域在沿着1－100方向观察时配置在不存在上述有源区域的范围中。
半导体装置

[发明专利]碳化硅半导体装置及其制造方法-CN202080036895.8在审
发明人：登尾正人;加藤武宽;山下侑佑 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：通过用外延层构成源极区域(4)，减小基极区域(3)的厚度的不均，抑制阈值Vt的不均。此外，关于栅极沟槽(6)的侧面，在单元部(RC)的外侧，与单元部内的源极区域中的与基极区域相接的由外延层构成的部分相比，相对于衬底(1)的主表面的法线方向倾斜。由此，使得栅极绝缘膜(7)即使在单元部内成为厚度较薄的薄膜部，在单元部的外部也成为厚度较厚的厚膜部。
碳化硅半导体装置及其制造方法

[发明专利]IGBT以及IGBT的制造方法-CN201280069700.5有效
发明人： 加藤武宽;大西徹 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2012-02-14 - 公布日： 2016-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT的制造方法，所述IGBT具有：n型的发射区；p型的顶部体区；n型的中间区；p型的底部体区；n型的漂移区；p型的集电区；多个沟槽，其从半导体基板的上表面起，贯穿发射区、顶部体区、中间区以及底部体区并到达漂移区；栅电极，其被形成在沟槽内。该制造方法包括：在半导体基板的上表面上形成沟槽的工序；在沟槽内形成绝缘膜的工序；在绝缘膜形成之后，在半导体基板上以及沟槽内形成电极层的工序；使电极层的上表面平坦化的工序；在使电极层的上表面平坦化之后，从半导体基板的上表面侧将n型杂质注入至中间区的深度的工序。
igbt 以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201380073624.X在审
发明人： 加藤武宽 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2013-02-22 - 公布日： 2015-11-18 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：已知一种半导体装置,其从半导体基板的表面侧起顺次层压有第一导电型的第一区域、第二导电型的第二区域以及第一导电型的第三区域，并且形成有贯穿第一区域和第二区域并到达至第三区域的沟槽栅电极，在半导体基板的表面形成有表面电极，通过覆盖沟槽栅电极的表面的绝缘区域而使表面电极与沟槽栅电极绝缘。使覆盖沟槽栅电极的表面而使表面电极与沟槽栅电极绝缘的绝缘区域停留在沟槽的内部。表面电极被形成在无高低差的半导体基板的表面上且均匀地延展。在表面电极上未形成有应力集中部位，从而表面电极的强度与可靠性提高。
半导体装置

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