“费晨曦”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果23个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种SBD器件及其制备方法-CN201911250850.6有效
发明人：王谦;费晨曦;柏松 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供了一种SBD器件及其制备方法，所述SBD器件包括：欧姆接触金属层；衬底，位于所述欧姆接触金属层上；外延层，位于所述衬底上；第一钝化层，位于所述外延层上；金属层，位于所述第一钝化层上；以及第二钝化层，位于所述金属层上。本发明提供的一种SBD器件及其制备方法，通过在垂直型Ga2O3 SBD器件中引入多台阶场板结构，不仅解决台阶处电场聚集效应，提高电场调制作用，提升器件击穿电压，而且将器件的电场峰值由表面拉至器件内，降低器件泄漏电流。
一种 sbd 器件及其制备方法

[发明专利]一种钛镍银三层电极结构的湿法图形化方法-CN202111550069.8在审
发明人：张宏伟;孙西龙;孙浩;费晨曦;栗锐;柏松;杨勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-12-17 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公布了一种钛镍银三层电极结构的湿法图形化方法，步骤包括：准备具有钛镍银金属层的衬底，钛位于底层，镍位于中层，银位于顶层；在银金属上表面涂覆光刻胶，并光刻形成掩膜；腐蚀银金属和镍金属，并使腐蚀后的镍金属边缘超出银金属边缘；腐蚀钛金属；再次腐蚀银金属和镍金属，并使腐蚀后的镍金属边缘超出银金属边缘、钛金属边缘超出镍金属边缘；去除光刻胶。相比于传统的槽式腐蚀，得到了更好的稳定性、均匀性与形貌；相比于一般的多层金属腐蚀结果，避免了因为底层或中层金属侧蚀带来的结构缝隙，消除了器件的可靠性隐患；相比于干法刻蚀，避免了腔体沾污、衬底损伤以及等离子体损伤等问题。
一种钛镍银三层电极结构湿法图形方法

[发明专利]一种激光划片分割SiC薄片的方法-CN202110718412.9在审
发明人：钱志成;张宏伟;费晨曦;张阳 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光划片分割SiC薄片的方法，包括步骤：(1)将SiC薄片贴到划片膜上，薄片背面与划片膜紧密接触,划片膜绷紧并位于划片框上；(2)在SiC薄片正面，沿着每条划片道进行激光隐形切割；在SiC薄片内部产生激光爆点，激光爆点在应力作用下连接，在SiC内部产生贯通的微裂纹，微裂纹延伸到SiC薄片正面形成裂纹；(3)对SiC薄片进行裂片，使得SiC薄片顺着裂纹方向分开，分成单独的管芯。本发明利用激光划片能实现SiC薄片的快速划片，并且划片效果良好，崩边率低，损伤管芯少。
一种激光划片分割 sic 薄片方法

[发明专利]一种金属电极结构的实现方法-CN202011575601.7在审
发明人：张宏伟;栗锐;陈征;柏松;杨勇;费晨曦 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属电极结构的实现方法，该方法包括：通过金属化方法形成钛铝双层金属，其中钛金属设于底层，位于衬底表面，铝金属设于顶层，位于钛金属表面；涂覆光刻胶，并光刻出掩膜图形；基于单片式湿法喷雾腐蚀系统，使用特定的腐蚀液，控制腐蚀过程的转速、喷淋压力、喷淋区域与喷淋时间等参数，逐层腐蚀铝金属、钛金属，然后再次腐蚀铝金属，使铝金属的侧蚀继续增大，露出底层钛的边界，最终形成底层钛边缘超出顶层铝边缘至少0.1um的电极结构；相比于传统的槽式腐蚀，得到了更好的稳定性、均匀性与形貌；相比于一般的多层金属腐蚀结果，避免了因为底层金属侧蚀带来的缝隙，消除了器件的可靠性隐患；相比于干法刻蚀，避免了腔体沾污、衬底损伤以及等离子体损伤等问题。
一种金属电极结构实现方法

[发明专利]一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法-CN202011245394.9在审
发明人： 费晨曦;柏松;王谦;张宏伟;李强;黄润华 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2020-11-10 - 公布日： 2021-03-16 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公布了一种改善碳化硅栅沟槽质量的方法，该方法包括：使用干法刻蚀方法对碳化硅进行栅沟槽刻蚀；在惰性气体氛围下，对刻蚀后的碳化硅栅沟槽进行第一次高温钝化处理，以消除刻蚀过程中在碳化硅栅沟槽底角所产生的微沟槽；在单一或者混合气体氛围下，对的碳化硅栅沟槽进行第二次高温钝化处理，以降低栅沟槽的表面粗糙度。本发明通过两次高温钝化处理使得碳化硅栅沟槽底部圆滑且无微沟槽、沟槽表面粗糙度低，得到高质量的碳化硅栅沟槽。
一种改善碳化硅沟槽质量方法

[发明专利]一种碳化硅材料上栅极氧化层的制造方法-CN201911249108.3在审
发明人： 费晨曦;柏松;王谦;张宏伟;何志强;刘超 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅材料上栅极氧化层的制造方法，该方法包括：在低压环境中，在碳化硅表面通过热分解正硅酸四乙酯的方法淀积50‑70nm厚度的二氧化硅；然后在氧气环境中对形成主体氧化层的碳化硅衬底进行第一次高温退火；接着在氮气氛围下对氧化层进行第二次高温退火；最后在氩气对形成氧化层的碳化硅衬底进行第三次高温处理。本发明中的碳化硅材料上栅极氧化层的制造方法，使得栅极氧化层更加致密，并且去除氧化过程中形成的固定氧化层电荷和界面陷阱电荷，降低栅极氧化层的界面态，提高栅极氧化层的性能。
一种碳化硅材料栅极氧化制造方法

[发明专利]一种沟槽型MOSFET功率器件及其制备方法-CN201911161356.2在审
发明人：王谦;费晨曦;柏松;杨勇 -专利权人：中电国基南方集团有限公司
申请日： 2019-11-24 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种沟槽型MOSFET功率器件及其制备方法，制备方法包括：提供衬底，于衬底表面形成外延层；于外延层中形成电流扩展层、阱区、阳极接触区、源区以及重掺杂接触区；于外延层中形成沟槽，于沟槽底部下方的外延层中形成屏蔽区；于沟槽侧壁及底部形成栅介质层；于沟槽内填充多晶硅层；于外延层表面形成钝化层；于钝化层中形成源极窗口，于源极窗口内形成源极欧姆接触层，于衬底底部表面形成漏极欧姆接触层；于钝化层内形成栅极窗口；分别制备栅极电极、源极电极和漏极电极。本发明通过将SBD结构内嵌至沟槽型MOSFET器件内部，提高MOSFET器件的反向导通能力，降低SiC功率模块的整体尺寸与经济成本。
一种沟槽 mosfet 功率器件及其制备方法

[发明专利]一种制备碳化硅MOSFET栅介质层的方法-CN201911005945.1在审
发明人：王谦;柏松;费晨曦;杨勇 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-02-18 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种制备碳化硅MOSFET栅介质层的方法，包括如下步骤：提供SiC基材，并将所述SiC基材放置于ALD反应腔室中；将所述ALD反应腔室升温；采用ALD工艺在所述SiC基材表面依次循环生长SiO2薄膜与Al2O3薄膜，形成栅介质层；在氧气氛围中对形成的所述栅介质层进行退火处理。本发明的栅介质层在生长过程中，未消耗SiC外延片中的Si原子从而避免了栅介质层与SiC界面处C族聚集的现象，提高了界面特性；本发明利用ALD技术形成栅介质层，热预算低，简化器件制备工艺过程；本发明利用ALD技术形成的栅介质层同时具备SiO2高击穿强度，禁带宽度宽，热稳定性高，以及Al2O3介电常数高的特点，可大幅降低引入栅介质薄膜中的电场强度，避免栅介质击穿，并抑制栅泄漏电流。
一种制备碳化硅 mosfet 介质方法

[发明专利]一种在碳化硅材料上制造栅氧化层的方法-CN201911006234.6在审
发明人： 费晨曦;何志强;柏松;黄润华;刘昊;王谦 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种在碳化硅材料上制造栅氧化层的方法，包括以下步骤：(1)在第一温度下，氧气气氛中，在碳化硅衬底表面形成氧化层；(2)在第二温度下，氩气气氛中，将步骤(1)中形成氧化层的碳化硅衬底进行第一次高温热退火处理；(3)在第三温度下，在湿氧气气氛中，将步骤(2)中形成氧化层的碳化硅衬底进行湿氧气再氧化处理；(4)在第二温度下，一氧化氮气氛或者一氧化二氮气氛中，将步骤(3)中形成氧化层的碳化硅衬底进行第二次高温热退火处理；(5)将温度降低至执行卸载工艺所要求的温度，将步骤(4)中形成氧化层的碳化硅衬底卸载。本发明提供的栅氧化层的制造方法，能够有效降低界面态密度以及氧化层固定电荷数量，从而提高栅氧化层的性能。
氧化层碳化硅衬底栅氧化层次高温热退火湿氧气卸载界面态密度碳化硅材料一氧化二氮衬底表面固定电荷温度降低氧气气氛一氧化氮氩气气氛再氧化制造

[发明专利]一种在碳化硅材料上制造栅极氧化层的方法-CN201911006243.5在审
发明人： 费晨曦;柏松;王谦;黄润华;陈征;张宏伟 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种在碳化硅材料上制造栅极氧化层的方法，包括以下步骤：(1)将碳化硅衬底上载至高温炉管中；(2)在第一温度下，氧气的气氛中，在碳化硅衬底表面形成初始氧化层；(3)在第二温度下，氩气气氛中，将碳化硅衬底进行第一次高温热退火处理；(4)将碳化硅衬底卸载；(5)将碳化硅衬底上载至低压炉管腔体中，在第三温度下使用低压化学气相淀积法形成主体氧化层；(6)将碳化硅衬底卸载；(7)将碳化硅衬底上载至高温炉管中；(8)在第二温度下，氩气气氛中，将碳化硅衬底进行第二次高温热退火处理；(9)将碳化硅衬底卸载。本发明的方法能够有效降低界面态密度以及氧化层固定电荷数量，从而提高栅极氧化层的性能。
碳化硅衬底氧化层卸载栅极氧化层高温炉管氩气气氛次高温热退火界面态密度碳化硅材料衬底表面低压化学固定电荷低压炉淀积法管腔体氧气制造

[发明专利]基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法-CN201611032861.3在审
发明人：刘红侠;汪星;赵璐;冯兴尧;费晨曦;王永特 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统氧化铪高K金属栅结构栅氧化层结晶温度低、栅氧化层/衬底界面层厚度大，及栅极金属离子向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构自下而上包含Ge衬底(1)、厚度为4‑10nm的铪基铝酸盐高k栅介质薄膜(2)、厚度为2‑3nm的TiN阻挡层(3)、厚度为4‑6nm的Ti氧元素吸附层(4)以及厚度为100‑150nm重金属Pt栅电极(5)，其中，铪基铝酸盐高k栅介质薄膜采用HfAlO3或HfO2/Al2O3叠层结构；本发明的结晶温度高、电学特性和栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。
基于 ge 衬底铪基铝酸盐高金属结构制备方法

[发明专利]基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法-CN201611024689.7在审
发明人：刘红侠;王永特;赵璐;汪星;费晨曦;冯兴尧 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-03-22 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ge衬底的La基介质材料高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层介电常数低和栅极金属向栅氧化层扩散的问题。该结构自下而上包含Ge衬底(1)、La基高k栅介质薄膜(2)、TiN阻挡层(3)、Ti氧元素吸附层(4)以及重金属Pt栅电极(5)，其中La基高k栅介质薄膜采用厚度为6‑12nm的La2O3或LaAlO3或La2O3/Al2O3叠层结构；TiN阻挡层厚度为2‑4nm；Ti氧元素吸附层厚度为3‑6nm；重金属Pt栅电极厚度为100‑200nm。本发明具有栅氧化层介电常数高、栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。
基于 ge 衬底 la 介质材料金属结构制备方法

[发明专利]基于SOI衬底的La基高介电常数栅介质结构及其制作方法-CN201610898309.6在审
发明人：刘红侠;冯兴尧;汪星;刘贺蕾;赵璐;费晨曦 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-10-14 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于SOI衬底的高介电常数材料栅介质，主要解决现有栅介质材料介电常数低，热稳定性和薄膜致密性差等问题。该栅介质材料自下而上包含SOI衬底(1)、阻挡层(2)、La基高介电常数薄膜(3)和保护层(4)，其中，阻挡层(2)采用厚度为0.5‑4nm的Al2O3；La基高介电常数薄膜(3)采用厚度为1‑10nm的La2O3或LaAlO3或HfLaOx；保护层(4)采用厚度为1‑4nm的Al2O3。整个栅介质采用原子层淀积方法制备，其工艺与现有CMOS工艺相兼容。本发明具有介电常数高，薄膜致密性和台阶覆盖性好，热稳定性好，表面粗糙度小的优点，可用于金属氧化物半导体场效应晶体管的制造。
基于 soi 衬底 la 介电常数介质结构及其制作方法

[发明专利]基于Si衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法-CN201611024998.4在审
发明人：刘红侠;赵璐;汪星;冯兴尧;费晨曦;王永特 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Si衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统高K金属栅结构栅氧化层结晶温度低、栅氧化层/衬底界面层厚度大，及栅极金属离子向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构是在衬底上自下而上包含厚度为4‑10nm铪基铝酸盐高k栅介质薄膜(1)、厚度为2‑3nm的TiN阻挡层(2)、厚度为4‑6nm的Ti氧元素吸附层(3)以及厚度为100‑150nm重金属Pt栅电极(4)，其中，铪基铝酸盐高k栅介质薄膜采用HfAlO3或HfO2/Al2O3叠层结构；本发明的栅氧化层材料结晶温度高、电学特性和栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管。
基于 si 衬底铪基铝酸盐高金属结构制备方法

[发明专利]基于La基栅的LaAlO₃/SrTiO₃异质结场效应晶体管及制作方法-CN201510760804.6在审
发明人：刘红侠;赵璐;陈煜海;冯兴尧;汪星;费晨曦 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于La基栅结构的LaAlO₃/SrTiO₃异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有技术中栅电容对器件沟道电荷控制能力弱的问题。其自下而上包括：SrTiO₃晶体衬底(1)，LaAlO₃薄膜(2)，LaAlO₃薄膜(2)上设有源极(4)，漏极(5)和栅电极(6)；LaAlO₃薄膜(2)与栅电极(6)之间设有栅介质材料层(3)，构成该晶体管的栅电容，该栅介质材料层(3)，采用由La₂O₃薄膜(301)和Al₂O₃保护层(302)构成的叠栅结构。本发明的栅介质材料性能稳定、介电常数高，热稳定性好，栅电容控制能力强，栅极击穿电压高，可用于制造高性能异质结场效应晶体管器件。
基于 la laalo sub srtio 异质结场效应晶体管制作方法

1
2
下一页»
尾页
共 23 条