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[发明专利]一种用于高温晶体生长的气体花洒装置-CN201510419537.6有效
发明人：鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于高温晶体生长的气体花洒装置，包括：基座；若干喷管，所述若干喷管沿所述基座的轴向延伸并与所述基座气体连通；至少一层隔板，所述隔板上开设有与所述若干喷管对应的若干通孔5，所述隔板通过所述通孔5套设在所述喷管上。本发明设置的隔板能够有效的阻隔来自样品托和衬底附近的热辐射，使得花洒装置整体特别是喷管内外壁均达不到晶体外延生长的温度，这样就防止了花洒装置上生产晶体外延的可能性，保证了源气不消耗在花洒装置上，可以顺利到达衬底表面，同时也有效延长了花洒装置的使用寿命。
一种用于高温晶体生长气体装置

[发明专利]石墨托以及装有石墨托的晶体生长炉-CN201510418813.7有效
发明人：鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2015-07-17 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨托以及装有石墨托的晶体生长炉，所述石墨托为中部截面直径小于两端截面直径的回转体结构。所述晶体生长炉，包括：位于反应室内的石墨托，以及设置在所述反应室周向的加热装置，其特征在于，所述石墨托为中部截面直径小于两端截面直径的回转体，所述石墨托上部设有台面，所述加热装置的位置配合所述石墨托以对其进行加热。本发明设置的石墨托中部设有径向尺寸较小的中部，在石墨托外周设置的加热装置向石墨托进行振荡加热后，石墨托上部的台面能够获得较为均匀的热量，热量在台面上分布较为均匀，从而保证衬底上的温度较为均匀，为晶体外延生长过程中提供了均匀的温度环境，保证衬底上晶体外延生长均有较好的均匀性。
石墨以及装有晶体生长

[发明专利]具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制作方法-CN201410415562.2有效
发明人：张晓东;范亚明;蔡勇;张宝顺 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有原位栅介质的AlGaN/GaN异质结器件及其制造方法。该器件包括形成于衬底上的AlGaN/GaN异质结构及源、漏和栅极，且该异质结构上还原位外延生长有用作栅介质的BN薄膜或者BAlN薄膜。该制造方法包括在衬底上生长形成AlGaN/GaN异质结构的操作，以及将该异质结构置入外延生长设备，并输入氮源与硼源以及作为可选原料的铝源，从而在该异质结构上原位生长形成用作栅介质的BN薄膜或者BAlN薄膜的操作。本发明在对器件结构无损伤的情况下，可以在器件材料外延时形成高质量BN或者BAlN栅介质，该栅介质具有高的介电常数，大的禁带宽度，利用此栅介质可以提高具有GaN/AlGaN介质结构的半导体电子器件的性能，降低栅漏电流，抑制电流崩塌效应和回滞现象，提高器件的整体性能。
栅介质异质结构薄膜异质结器件衬底半导体电子器件电流崩塌效应外延生长设备介电常数介质结构器件材料器件结构原位生长原位外延栅漏电流无损伤生长氮源禁带可选铝源硼源置入制造制作

[发明专利]一种智能化控制的热水供应系统及其控制方法-CN201510438511.6有效
发明人： 范亚明;李曹县;江志彬;梁孝章;兰胜坤;周海霞;叶靖;张慈枝 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2015-07-23 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： F24D19/10 文献下载
摘要：本发明为一种能够实现节能节水目的的智能化控制的热水供应系统及其控制方法。它包括现有热水供应系统，在热水供应系统基础上还包括冷水收集模块、用户侧储热模块、用户侧蓄冷模块、冷水供水模块、控制模块，较之前技术而言，本发明的有益效果为：通过将部分热水分布就近蓄存在用户侧的出水终端处，大大减少循环管网的热水循环时间，降低热水输配过程中循环管网的耗热量及水泵耗电量。 1
热水供应系统循环管网智能化水泵耗电量出水终端供水模块控制模块热水循环收集模块蓄冷模块储热节能节水

[发明专利]垂直结构AlGaN/GaNHEMT器件及其制作方法-CN201510103132.1有效
发明人：孙世闯;张宝顺;范亚明;付凯;蔡勇;于国浩;张志利;宋亮 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2015-03-10 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件，其包括衬底、外延结构以及源、漏、栅极，所述外延结构包括依次形成在所述衬底正面的电流阻挡层、第二半导体层、第一半导体层和钝化层，所述第一半导体层和/或第二半导体层内分布有二维电子气沟道，所述源极与第一半导体层电连接，所述栅极设置在所述钝化层上，所述漏极设置在所述衬底背面，其中所述电流阻挡层采用高阻GaN层，且所述高阻GaN层中于位于栅极下方的区域内分布有Si离子注入形成的n型重掺杂电流导通通孔。本发明器件具有高耐压、低漏电等优点。本发明还公开了所述HEMT器件的制作方法。
垂直结构 algan gan hemt 器件及其制作方法

[发明专利]垂直结构AlGaN/GaNHEMT器件及其制作方法-CN201510109496.0有效
发明人：孙世闯;张宝顺;范亚明;付凯;蔡勇;于国浩;张志利;宋亮 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2015-03-12 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： H01L29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件，包括衬底、以及依次形成于所述衬底上的n+GaN层、高阻GaN层、本征GaN层和AlGaN层，与所述n+GaN层形成欧姆接触的漏电极、与所述AlGaN层形成欧姆接触的源电极，以及栅电极；所述高阻GaN层是作为电流阻挡层，其包含由Si离子注入形成的电流导通通孔，所述电流导通通孔上下贯穿所述高阻GaN层。本发明还公开了所述垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件的制作方法。本发明能够在相对价格低的蓝宝石(sapphire)或者Si衬底上实现垂直结构的同时，还具有很好的电流阻挡、电流传输、高耐压、低漏电等优点。
垂直结构 algan gan hemt 器件及其制作方法

[实用新型]一种双源一体式高效集热蒸发器-CN201621285142.8有效
发明人：侯根富;张慈枝;戴贵龙;范亚明 -专利权人：福建工程学院
申请日： 2016-11-28 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： F25B39/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种双源一体式高效集热蒸发器，包括蛇形制冷剂管、吸热翅片板、围合边框、透明玻璃盖板、上集管、下集管及若干根支管；所述围合边框围设在蛇形制冷剂管的外围；所述透明玻璃盖板盖在围合边框的上方；每所述支管上均设置有多翼第一翅片，且各支管的一端均并联连通上集管，另一端均并联连通下集管；所述蛇形制冷剂管的前段设置在吸热翅片板上形成一第一制冷剂管段，后段穿设于各支管内部形成一第二制冷剂管段；所述第二制冷剂管段的底部以及边缘均设置有保温层。本实用新型优点可以充分利用太阳能和空气能进行换热，并根据太阳辐射条件和室外气温变化，在多种运行模式之间进行合理切换，实现全天候高效供热和提供生活热水。
一种双源一体式高效蒸发器

[实用新型]增强型自支撑垂直结构Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaN HEMT器件-CN201620554498.0有效
发明人：宋亮;付凯;张志利;孙世闯;李维毅;李夏珺;郝荣晖;袁洁;于国浩;邓旭光;范亚明;蔡勇;张宝顺 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种增强型自支撑垂直结构Ⅲ族氮化物HEMT器件及AlGaN/GaN HEMT器件。在一优选实施例中，所述HEMT器件包括N极性外延结构，所述N极性外延结构包括依次形成于衬底上的电流阻挡层、N极性的第一AlGaN层、N极性本征GaN层和N极性的第二AlGaN层，所述衬底、本征GaN层分别与漏极、源极形成欧姆接触，所述栅极设置在第二AlGaN层上，所述电流阻挡层内分布有沿竖直方向贯穿电流阻挡层的电流导通通道，且所述电流导通通道的电阻率小于所述电流阻挡层。本实用新型提供的增强型自支撑垂直结构AlGaN/GaN HEMT器件具有垂直结构，同时实现了增强型，还具有高耐压、低漏电等优点，且其制备工艺简单，易于操作，成本低，有利于工业化生产。
增强支撑垂直结构氮化物 hemt 器件 algan gan

[发明专利]通过p型钝化实现增强型HEMT的方法及增强型HEMT-CN201610403535.2在审
发明人：宋亮;郝荣晖;付凯;张志利;孙世闯;李维毅;李夏珺;袁洁;于国浩;邓旭光;范亚明;蔡勇;张宝顺 -专利权人：苏州能屋电子科技有限公司
申请日： 2016-06-08 - 公布日： 2016-08-17 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开了一种通过p型钝化实现增强型HEMT的方法，其包括：提供主要由第一、第二半导体组成的异质结构，所述第二半导体分布于第一半导体上，并具有宽于第一半导体的带隙，且所述异质结构中形成有二维电子气；在所述第二半导体上形成p型掺杂的第三半导体；对所述第三半导体中除栅下区域之外的其余区域进行钝化处理，使p型掺杂区仅存在于栅下区域，所述栅下区域分布在所述HEMT器件的栅极正下方；制作与所述异质结构连接的源、漏、栅极，并使所述源、漏极能够通过所述二维电子气电连接，且使所述栅极分布于源、漏极之间。本发明还公开了一种增强型HEMT。本发明具有工艺简单，重复性高，器件性能稳定优良，成本低廉，易于进行大规模生产等优点。
通过钝化实现增强 hemt 方法

[发明专利]一种天然砂砾最大干密度的测算方法-CN201310654839.2无效
发明人：张长林;田耀刚;宋勇;范亚明;薛保贵;赵铁;李宏超;经冠举;李炜光 -专利权人：长安大学
申请日： 2013-12-05 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G01N9/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种天然砂砾最大干密度的测算方法，具体包括如下步骤：预估料场或现场的含石量；对砂砾样品进行水筛法筛分试验，得到超尺寸颗粒含量p和含石量；将砂砾中40mm～60mm的颗粒筛出留样备用；再将＜40mm的颗粒筛为5mm以下和5～40mm两种；击实试验；确定含石量与最大干密度的关系；取40mm～60mm颗粒的留样，计算得到超尺寸颗粒的毛体积相对密度。将砂砾样品的含石量代入回归公式，计算得到粒径＜40mm的砂砾样品的最大干密度；计算修正后的最大干密度；本发明针对天然砂砾作为路基填料性能良好，但级配不良的特点，分析颗粒粒径与最大干密度之间的关系，对天然砂砾的最大干密度进行科学地综合确定，本发明的方法科学、简便快捷，测试结果准确、可靠。
一种天然砂砾大干密度测算方法

[发明专利]一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室-CN201310437339.3有效
发明人：王劼;张立国;范亚明;张洪泽 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-09-24 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用射频加热的桶式CVD设备反应室，包括：具有双层管状结构的水冷壁，该水冷壁的内管腔中设有反应室，而内、外管之间至少与该反应室相应的区域内分布有冷却介质容置腔；设于该反应室内的加热基座，且该加热基座上分布有若干凹槽；分布于该加热基座与水冷壁内管之间的整流罩；至少绕设在该水冷壁外壁上与该反应室相应区域内的感应线圈。本发明通过采用桶式结构的反应室，可以满足多片晶片同时生长，而通过采用射频感应加热，同时有直接热传导和辐射加热，提高了晶片温度分布的均匀性，尤其是对于大尺寸的晶片来说，加热不受反应室直径大小的限制，加热速度快、效率高、温度高、加热状态稳定，适合在大尺寸的高温CVD反应室中使用。
一种使用射频加热 cvd 设备反应

[发明专利]一种MOCVD自动化控制系统-CN201310426749.8有效
发明人：王劼;张立国;范亚明;张洪泽 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-09-18 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C23C16/52 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOCVD自动化控制系统，包括执行模块和控制模块，该执行模块包括分别用于控制反应室内温度、压力、气体流量的温度控制模块、压力控制模块、流量控制模块，该控制模块可通过PID算法控制执行模块，该控制模块的扫描单元实时扫描所述执行模块，并自动记录扫描得到的执行信息到内置信息记录单元，同时传送执行信息至与控制模块连接的人机界面模块。本发明自动化程度高，可以自动检查和模拟MOCVD工艺，实现对MOCVD工艺的调整和优化，并且无需生长经验也可操作使用，同时能够大幅减轻工艺人员的工作量，还可以大大节省工艺搜索带来的能源，原材料及人力的巨大浪费。
一种 mocvd 自动化控制系统

[发明专利]晶体生长炉-CN201310124381.X有效
发明人：王劼;张立国;范亚明;张洪泽 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶体生长炉，包括反应室和加热装置，所述的反应室包括第一热壁和第二热壁，所述的第一热壁和第二热壁可拆卸连接，且所述的第一热壁和第二热壁围成晶体的反应空间，所述的第二热壁的材质为石墨，所述的加热装置配合第二热壁设置以对其进行加热；所述第一热壁的材质为高温耐热材料。该装置中的反应室的保温、隔热不采用石墨毡，消除了采用石墨毡来保温和隔热所造成的反应室杂质污染的问题，极大的降低了外延片的背景载流子浓度；并且，采用可拆卸式热壁，易于安装，更换方便。
晶体生长

[发明专利]用于CVD设备的多面漏斗型进气装置及CVD设备-CN201310036037.5有效
发明人：王劼;张立国;范亚明;张泽洪 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-01-30 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于CVD设备的多面漏斗型进气装置及CVD设备。该进气装置呈多面体形结构，包括呈环形分布的复数个漏斗瓶进气喷头，其中任一漏斗瓶进气喷头内均设有相互隔离的内层进气腔和外层进气腔，所述内层进气腔和外层进气腔分别与第一进气管和第二进气管连通。该CVD设备包括前述多面漏斗型进气装置。本发明能够将不同反应源气体分隔送入反应室中，使不同反应源到达衬底前就已充分混合，并且有效抑制预反应，同时，本发明还可使反应气体以一定角度，从一个小区域均匀扩散到一个大的区域之中，实现层流，为反应室提供均匀而且可以快速切换的供气。本发明可有效提高CVD设备外延生长的速度、质量以及原材料利用率。
用于 cvd 设备多面漏斗型进气装置

[发明专利]多波长发光二极管及其制备方法-CN201210326905.9有效
发明人：金朝;范亚明;朱建军;边历峰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，涉及半导体材料与器件技术领域。本发明提供的多波长发光二极管包括一衬底、一缓冲层、一第一氮化镓层、一第二氮化镓层、一具有台阶化量子阱柱状结构的有源区、一电子阻挡层、一第三氮化镓层；本发明还提供所述多波长发光二极管的制备方法，包括：生长形成一具有多层结构的半导体结构；形成具有台阶化量子阱柱状结构的有源区；生长第三氮化镓层；沉积N型电极和P型电极。本发明提供多波长发光二极管及其制备方法，优点在于拓展发光二极管发光谱线范围，简化驱动电路的复杂性，提高电子或空穴的注入效率，降低接触电阻，提高了色度的调节和显色性指数。
波长发光二极管及其制备方法